一种基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器及其制备方法，光、热探测器包括横向热电元件、金属电极及金属引线，在横向热电元件的上表面设置有两个对称的金属电极，金属引线与金属电极相连接；横向热电元件包括铋硒碲薄膜，该铋硒碲薄膜沿

【技术实现步骤摘要】
一种基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器及其制备方法
本专利技术涉及一种新型光、热探测器，具体地说是涉及一种基于铋硒碲薄膜材料横向热电效应设计的光、热探测器及其制备方法。
技术介绍
横向热电效应是一种温差和电压方向相互垂直的热电效应。这种特殊的热电效应源于材料塞贝克系数的各向异性，通常只能在c轴倾斜生长的薄膜、单晶及人工构建的金属-金属或金属-半导体多层倾斜结构中观测的到。基于横向热电效应设计制作的光、热探测器不仅可以实现从紫外到远红外的宽光谱探测和各种热辐射探测，而且无需制冷、无需外加电源、可工作在高温等极端环境下等优点，在军事和国民经济各领域具有重要应用前景。目前这种探测器多选用铜氧化物高温超导薄膜、锰氧化物巨磁阻薄膜、层状钴氧化物热电薄膜等多元氧化物薄膜材料作为探测元件，制备工艺复杂、成本较高，且探测器的输出电压灵敏度偏低、时间响应较长，不利于商业推广。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是提供一种基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器，以解决现有多元氧化物薄膜材料制成的横向热电元件工艺复杂、成本高、性能待提升的问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器，包括横向热电元件、金属电极及金属引线，其特征在于，在横向热电元件的上表面设置有两个对称的金属电极，所述金属电极用于收集电压，所述金属引线与所述金属电极相连接，用以传输电压信号；所述横向热电元件包括铋硒碲薄膜，该铋硒碲薄膜沿

【技术特征摘要】
1.一种基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器，包括横向热电元件、金属电极及金属引线，其特征在于，在横向热电元件的上表面设置有两个对称的金属电极，所述金属电极用于收集电压，所述金属引线与所述金属电极相连接，用以传输电压信号；所述横向热电元件包括铋硒碲薄膜，该铋硒碲薄膜沿c轴倾斜生长在斜切氧化物单晶基片上。


2.根据权利要求1所述的基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器，其特征在于，所述铋硒碲薄膜的厚度为30~150nm。


3.根据权利要求1所述的基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器，其特征在于，所述斜切氧化物单晶基片c轴斜切角度θ为0°<θ<30°。


4.根据权利要求1所述的基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器，其特征在于，所述氧化物单晶基片为铝酸镧、钛酸锶、铝酸锶钽镧、氧化镁或蓝宝石。


5.根据权利要求1所述的基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器，其特征在于，所述金属电极为金、银、铂或铟。


6.根据权利要求1所述的基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器，其特征在于，金属引线的直径d为0<d<0...

【专利技术属性】
技术研发人员：马继奎，王淑芳，陈明敬，方立德，李红莲，李小亭，傅广生，
申请(专利权)人：河北大学，
类型：发明
国别省市：河北;13