一种太赫兹波光控调制器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太赫兹波光控调制器的制备方法，包括：提供一介质基板；在所述介质基板上制作一层二硒化锡材料，形成附着于所述介质基板表面的薄膜。本发明专利技术还提供了一种太赫兹波光控调制器，包括介质基板和附着于所述介质基板表面的薄膜，所述介质基板用于透过太赫兹波，所述薄膜为二硒化锡材料，用于受太赫兹光激发产生光生载流子。本发明专利技术的太赫兹波调制器基于二硒化锡薄膜进行制备，泵浦光源照射太赫兹波调制器时能激发二硒化锡产生光生载流子，通过改变光强可以控制激发的载流子数，从而实现了光控太赫兹波的开关效应。

【技术实现步骤摘要】
一种太赫兹波光控调制器及其制备方法
本专利技术涉及太赫兹
，尤其涉及一种太赫兹波光控调制器及其制备方法。
技术介绍
太赫兹指的是电磁频谱上频率为0.1THz～10THz的辐射，其波长范围为0.03mm～3mm，介于微波和光波之间，是电子学和光子学的交叉领域。太赫兹波由于具有瞬态性、低能性和相干性等独立性质，在无损检测、无线通讯、军用雷达等众多领域具有重大的科学价值和广阔的应用前景。而且太赫兹波由于其所属频段的特点，使得太赫兹无线通讯具有频段丰富、保密性好、抗干扰强等特点。但是，目前太赫兹波的调制和探测技术尚不成熟，例如，存在调制速率低、工作频率低、器件制造成本高、材料费用高、加工复杂等问题。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的不足，本专利技术提供了一种太赫兹波光控调制器及其制备方法，该太赫兹波调制器可以实现优异的性能，简单、新颖、造价低廉且性能稳定可靠。为了实现上述的目的，本专利技术采用了如下的技术方案：一种太赫兹波光控调制器的制备方法，包括：提供一介质基板；在所述介质基板上制作一层二硒化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太赫兹波光控调制器的制备方法，其特征在于，包括：/n提供一介质基板(10)；/n在所述介质基板(10)上制作一层二硒化锡材料，形成附着于所述介质基板(10)表面的薄膜(20)。/n

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹波光控调制器的制备方法，其特征在于，包括：
提供一介质基板(10)；
在所述介质基板(10)上制作一层二硒化锡材料，形成附着于所述介质基板(10)表面的薄膜(20)。


2.根据权利要求1所述的太赫兹波光控调制器的制备方法，其特征在于，提供一介质基板(10)的步骤包括：
取一片高阻硅片，用浓度在4％～8％之间的氢氟酸清洗，并在氢氟酸中浸泡5min～10min，以去除高阻硅片表面的氧化物；
然后用去离子水冲洗高阻硅片，再用氮气吹干后放置在真空环境中，防止再次被空气氧化。


3.根据权利要求1或2所述的太赫兹波光控调制器的制备方法，其特征在于，在所述介质基板(10)上制作一层二硒化锡材料的步骤包括：
将所述介质基板(10)放置于分子束外延设备中，并迅速抽真空；
将硒源和锡源加热到所需温度，将所述介质基板(10)加热到190℃～245℃；
分别将硒源和锡源以分子束或原子束的方式喷射至加热后的所述介质基板(10)的表面进行生长。


4.根据权利要求3所述的太赫兹波光控调制器的制备方法，其特征在于，将硒源和锡源加热到所需温度的步骤包括：
将硒源加热到270℃～315℃，将锡源加热到1070℃～1160℃，其中，将硒源和锡源喷射至所述介质基板(10)的表面后，二硒化锡薄膜的生长时长为10～35min。


5.根据权利要求1或2所述的太赫兹波光控调制器的制备方法，其特征在于，在所述介质基板(10)上制作一层二硒化锡材料的步骤包括：
制备片状的二硒化锡的纳米颗粒；
用旋涂法将得到的二硒化锡纳米颗粒制作为二硒化锡薄膜。


6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚琳，李伟民，杨春雷，杨兵，许述达，谢芳梅，王忠国，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44