蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法制造方法及图纸

本申请提出了一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法。该蚀刻液再生装置包括：第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器、及位于第一存储容器和第四存储容器之间的再生容器其中，第一存储容器用于存储蚀刻废液，第二存储容器用于存储解吸液，第三存储容器用于存储解吸废液，第四存储容器用于存储再生的蚀刻液，再生容器用于蚀刻废液的再生。第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器通过管道与再生容器选择性相连通。本申请通过再生容器的设置，吸附蚀刻废液中的铜离子，实现了蚀刻液的再生，提高了蚀刻液的使用效率，减少了蚀刻液再生过程中有机溶剂的使用，减轻了对环境造成的污染。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法。
技术介绍
随着人们对显示装置的需求量的与日俱增，显示装置的生产量也越来越大，随之而来的是显示装置的制造工艺中所需的蚀刻液的使用量的增加。现有的蚀刻液处理再生装置，由于主要采取液液萃取的方式，存在萃取耗时长、使用大量有机溶剂易造成环境污染的问题。因此，亟需一种新的蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法以解决上述技术问题。
技术实现思路
本申请提供了一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法，用于解决现有的蚀刻液再生装置存在萃取蚀刻废液中的铜离子耗时长且使用大量有机溶剂易造成环境污染的问题。为了解决上述技术问题，本申请提供的技术方案如下：本申请提出了一种蚀刻液再生装置，包括第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器、及位于所述第一存储容器和所述第四存储容器之间的再生容器；其中，所述第一存储容器用于存储蚀刻废液；所述第二存储容器用于存储解吸液；所述第三存储容器用于存储解吸废液；所述第四存储容器用于存储再生的蚀刻液；所述再生容器用于所述蚀刻废液的再生；所述第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器通过管道与所述再生容器选择性相连通。本申请提供的蚀刻液再生装置中，所述管道包括位于所述第一存储容器与所述再生容器之间第一管道、位于所述第二存储容器与所述再生容器之间的第二管道、位于所述第三存储容器与所述再生容器之间的第三管道、及位于所述第四存储容器与所述再生容器之间的第四管道。本申请提供的蚀刻液再生装置中，所述第一管道、所述第二管道、所述第三管道、及所述第四管道相互独立设置；或者所述第一管道与所述第二管道靠近所述再生容器的一侧一体设置和/或所述第三管道与所述第四管道靠近所述再生容器的一侧一体设置。本申请提供的蚀刻液再生装置中，所述管道还包括位于所述第一管道上靠近所述第一存储容器一侧的第一阀门、位于所述第二管道上靠近所述第二存储容器一侧的第二阀门、位于所述第三管道上靠近所述第三存储容器一侧的第三阀门、及位于所述第四管道上靠近所述第四存储容器一侧的第四阀门。本申请提供的蚀刻液再生装置中，所述蚀刻液再生装置与蚀刻装置相连。本申请提供的蚀刻液再生装置中，所述再生容器包括至少一填充柱；所述填充柱的固定相的材料为硅基/金属-有机框架化合物的复合材料。本申请提供的蚀刻液再生装置中，所述解吸液至少包括稀硝酸。本申请还提供了一种蚀刻液再生方法，包括S1、开启第一阀门以及第四阀门使来自第一存储容器的蚀刻废液经过再生容器再生成蚀刻液进入第四存储容器；S2、关闭所述第一阀门以及所述第四阀门；S3、开启第二阀门以及第三阀门使来自第二存储容器的解吸液经过所述再生容器带出所述再生容器中的铜离子进入第三存储容器；其中，所述再生容器至少包括一填充柱。本申请提供的蚀刻液再生方法中，所述填充柱的固定相通过匀浆法填入所述填充柱中。本申请提供的蚀刻液再生方法中，所述固定相的材料的制备方法包括：经第一反应合成二氧化硅；合成的所述二氧化硅与铜离子经第二反应形成二氧化硅/氢氧化铜的第一复合物；所述第一复合物经第三反应形成二氧化硅/金属有机框架化合物的第二复合物；所述第二复合物经第四反应形成氨基和羧基修饰的二氧化硅/金属有机框架化合物的第三复合物。有益效果：本申请通过再生容器的设置，吸附蚀刻废液中的铜离子，实现了蚀刻液的再生，提高了蚀刻液的使用效率，减少了蚀刻液再生过程中有机溶剂的使用，减轻了对环境造成的污染。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请的蚀刻液再生装置的第一种结构示意图。图2为本申请的蚀刻液再生装置的第二种结构示意图。图3为本申请的蚀刻液再生装置的第三种结构示意图。图4为本申请的蚀刻液再生方法的流程图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。现有的蚀刻液再生装置中，由于采用液-液萃取的方式，存在萃取耗时长且使用大量有机溶剂的问题，易造成环境污染。基于此，本申请提出了一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法。请参阅图1～3，所述蚀刻液再生装置100包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻液再生装置，其特征在于，包括第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器、及位于所述第一存储容器和所述第四存储容器之间的再生容器；/n其中，所述第一存储容器用于存储蚀刻废液；/n所述第二存储容器用于存储解吸液；/n所述第三存储容器用于存储解吸废液；/n所述第四存储容器用于存储再生的蚀刻液；/n所述再生容器用于所述蚀刻废液的再生；/n所述第一存储容器、所述第二存储容器、所述第三存储容器、所述第四存储容器通过管道与所述再生容器选择性相连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液再生装置，其特征在于，包括第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器、及位于所述第一存储容器和所述第四存储容器之间的再生容器；
其中，所述第一存储容器用于存储蚀刻废液；
所述第二存储容器用于存储解吸液；
所述第三存储容器用于存储解吸废液；
所述第四存储容器用于存储再生的蚀刻液；
所述再生容器用于所述蚀刻废液的再生；
所述第一存储容器、所述第二存储容器、所述第三存储容器、所述第四存储容器通过管道与所述再生容器选择性相连通。


2.根据权利要求1所述的蚀刻液再生装置，其特征在于，
所述管道包括位于所述第一存储容器与所述再生容器之间第一管道、位于所述第二存储容器与所述再生容器之间的第二管道、位于所述第三存储容器与所述再生容器之间的第三管道、及位于所述第四存储容器与所述再生容器之间的第四管道。


3.根据权利要求2所述的蚀刻液再生装置，其特征在于，
所述第一管道、所述第二管道、所述第三管道、及所述第四管道相互独立设置；或者
所述第一管道与所述第二管道靠近所述再生容器的一侧一体设置和/或所述第三管道与所述第四管道靠近所述再生容器的一侧一体设置。


4.根据权利要求3所述的蚀刻液再生装置，其特征在于，
所述管道还包括位于所述第一管道上靠近所述第一存储容器一侧的第一阀门、位于所述第二管道上靠近所述第二存储容器一侧的第二阀门、位于所述第三管道上靠近所述第三存储容器一侧的第三阀门、及位于所述第四管道上靠近所...

【专利技术属性】
技术研发人员：何毅烽，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44