N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物、光固化组合物以及制备方法技术

本申请涉及下述式(I)所示的N‑对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物、光固化组合物以及式(I)所示的N‑对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物的制备方法。本发明专利技术的式(I)所示的N‑对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物在350nm以上波长处具有良好吸收，与5‑位取代的硫鎓盐相比，分子的合成步骤更简便简单，原材料成本下降，更适合工业化的生产和应用。

【技术实现步骤摘要】
N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物、光固化组合物以及制备方法
本专利技术属于新材料有机化学领域，具体涉及一种N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物的制备。
技术介绍
在20世纪80年代初，IBM的伊藤首先提出了化学增幅抗蚀剂(H.Ito,C.G.Wilson,J.M.S.Frechet,Processof1982SymposiumonVLSITechnology,1982,1:86-87)。经过三十余年的发展，化学增幅抗蚀剂已经在成像材料领域获得广泛的认可和应用。化学增幅体系成为了高感度抗蚀剂的基础选择。而在化学增幅抗蚀剂中，光生酸剂受到了人们的广泛研究。由于光生酸剂具有良好的化学增幅作用，使其不仅在成像材料领域拥有广泛应用，而且还在二维、三维微刻技术、规模集成电路制造、微电子学、微流体学和数据存储等领域。在诸多种光生酸剂中，硫鎓盐以其良好的热稳定性，分子可设计性以及优秀的光生酸性在工业生产和科学研究中得到了广泛的重视和应用。然而，目前已经商业化应用的硫鎓盐的共轭体系较小，使得其主要吸收峰的吸收波长相对较小，无法满足其在长波长领域的应用。而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.下述的式(I)所示的N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物，/n

【技术特征摘要】
1.下述的式(I)所示的N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物，



其中：
R1、R2各自独立地选自C1-12的烷基、未取代或者被1-5个R7取代的苯基、未取代或者被1-9个R7取代的稠环芳基、未取代或被1-4个R7取代的芳香杂环基、或者、未取代或者被1-8个R7取代的苯并芳香杂环基；
R3选自H、C1-6烷基、C3-6环烷基、未取代或者被1-5个R7取代的苯基、未取代或者被1-9个R7取代的稠环芳基、未取代或者被1-4个R7取代的芳香杂环基、未取代或者被1-8个R7取代的苯并芳香杂环基；
R4选自未取代或者被1-4个Ra取代的C1-6的烷基、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、-CF2CF3、-CF3、-NO2、-NRbRb、-ORb、-SRb、-C(＝O)Rb、-CO2Rb、-OC(＝O)Rb、-NRbC(＝O)Rb、-S(＝O)Rb、-S(＝O)2Rb；
y为0、1、2、3或者4；
R5、R6各自独立地选自C1-12的烷基、未取代或者被1-5个R7取代的苄基、未取代或者被1-5个R7取代的苯基；
R7各自独立地选自未取代或者被1-5个Ra取代的C1-6的烷基、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、-CF2CF3、-CF3、-NO2、-NRbRb、-ORb、-SRb、-C(＝O)Rb、-CO2Rb、-OC(＝O)Rb、-NRbC(＝O)Rb、-S(＝O)Rb、-S(＝O)2Rb、未取代或者被1-5个Rc取代的碳环，未取代或者被1-5个Rd取代的杂环、或者、P(＝O)(ORb)2；
Ra各自独立地选自C1-6烷基、(CH2)rC3-6环烷基或者-(CH2)r苯基；
Rb各自独立地选自H、未取代或者被1-5个Re取代的C1-6烷基、未取代或者被1-5个Re取代的-(CH2)rPh；
Rc各自独立地选自未取代或者被1-5个Re取代的C1-6烷基、未取代或者被1-5个Re取代的(CH2)rPh；
Rd各自独立地选自未取代或者被1-5个Re取代的C1-6烷基、未取代或者被1-5个Re取代的(CH2)rPh；
Re各自独立地选自-F、-Cl、-Br、-I、-OH、-NO2、-CN，-CF3、-CF2CF3、C1-4烷基、C1-4烷氧基、C3-7环烷基、苯基、苄基、苯乙基、萘基、杂环芳基、或者、酮基；
r各自独立地为0、1、2、3或者4；
X-为阴离子。


2.根据权利要求1所述的N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物，其中，R5、R6各自独立地选自甲基、环丙基、苯基、苄基、4-氰基苄基、或者、4-三氟甲基苄基。


3.根据权利要求1所述的N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物，其中，R1、R2各自独立地为选自下述的(A)、(B)中的芳香杂环基：
(A)杂环上包含1-3个杂原子的6元芳香杂环基，所述杂原子选自O、N、S和Se组成的组；
(B)杂环上包含如下任意一组的杂原子的5元芳香杂环基，
1)1个O、1个N、或者、1个S；
2)1个S和1个N、1个O和1个N、或者、2个N；或者
3)3个N、1个O和2个N、或者、1个S和2个N。


4.根据权利要求1所述的N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物，其中，R1、R2各自独立地选自下述的结构式组成的组：






其中，R7的定义与权利要求1中相同。


5.根据权利要求1所述的N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物，其选自下述的结构式所示的化合物组成的组，















其中，X-为阴离子。


6.根据权利要求1～5的任一项所述的N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物，其中，X-选自卤素、含氧酸根、硼酸根、磷酸根、锑酸根、或者、铝酸根。


7.根据权利要求6所述的N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物，其中，X-选自Cl-、CF3SO3-、CH3SO3-、p-MePhSO3-、BF4-、B(Ph)4-、B(PhF5)4-、PF6-、SbF6-、或者、Al(t-Bu)4-。


8.一种光固化组合物，其含有权利要求1～7的任一项所述的N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物和可聚合成分，所述可聚合成分包含具有烯键或者环氧基的单体或聚合物。


9.根据权利要求8所述的光固化组合物，相对于所述可聚合成分的总量100重量份，所述式(I)所示的N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物的含量为0.1～15重量份。


10.权利要求1～7的任一项所述的N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物的制备方法，其包括如下步骤(c)：



所述步骤(c)中，式(I)-b所示的化合物与R5、R6取代亚砜、以Metal+X-表示的含金属元素化合物反应得到式(I)所示的N-对位硫鎓盐取代吡唑啉衍生物，
所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、n、y、X-的定义与权利要求1中相同。


11.根据权利要求10所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴红辉，汤文杰，金明，葛前建，张辛宇，陈世雄，樊彬，
申请(专利权)人：浙江扬帆新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33