【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非接触式工作的路程传感器
本专利技术涉及一种非接触式工作的路程传感器,其具有适合于高温的传感器元件并且具有与所述传感器元件电耦合并带有控制电子器件和/或评估电子器件的电子器件。
技术介绍
在实践中,非接触式工作的路程传感器是众所周知的,所述路程传感器例如是带有集成电子器件的用于在-40℃至最高125℃的范围内的温度的路程传感器。在更高的温度情况下,所述电子器件通常与所述传感器元件分离或分开布置,从而将所述电子器件从高温范围排除出去。标准实施的常规CMOS电子器件可以在高达125℃的范围内使用。在这一点上应该强调的是,本专利技术涉及一种路程传感器,其可以在高于125℃的所谓高温范围内工作。在此,该术语包括适用于位移测量、位置测量、距离测量、厚度测量等的路程传感器。由WO2014/114279A1已知一种开头所述类型的适合于所述高温范围的非接触式工作的路程传感器。在该文献中描述的传感器情况下,适用于高温的传感器元件被专用补偿元件和壳体包围。电子器件在此与所述传感器元件分离,并经由具有矿物绝缘物的耐高温钢护套缆线与 ...
【技术保护点】
1.一种非接触式工作的路程传感器,具有适合于高温的传感器元件(1)以及具有与所述传感器元件(1)电耦合并带有控制电子器件和/或评估电子器件的电子器件,其特征在于,所述电子器件被设计用于高于125℃的温度范围并直接与所述传感器元件(1)连接或集成到所述传感器元件(1)中。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 DE 102017217494.31.一种非接触式工作的路程传感器,具有适合于高温的传感器元件(1)以及具有与所述传感器元件(1)电耦合并带有控制电子器件和/或评估电子器件的电子器件,其特征在于,所述电子器件被设计用于高于125℃的温度范围并直接与所述传感器元件(1)连接或集成到所述传感器元件(1)中。
2.根据权利要求1所述的路程传感器,其特征在于,所述电子器件或所述电子器件的至少一个部件(4)是基于SoI工艺、即绝缘体上硅工艺或基于GaAs、SiC或金刚石作为半导体材料来制造的。
3.根据权利要求1或2所述的路程传感器,其特征在于,所述传感器元件(1)具有衬底(2),所述衬底具有嵌入其中的至少一个传感器部件,其中优选地在所述衬底(2)上布置至少一个印制导线。
4.根据权利要求3所述的路程传感器,其特征在于,所述衬底(2)具有印刷电路板,优选由聚酰亚胺、PTFE或LCP制成。
5.根据权利要求3所述的路程传感器,其特征在于,所述衬底(2)具有陶瓷,优选由Al2O3、LTCC或HTCC制成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的路程传感器,其特征在于,所述电子器件布置在陶瓷壳体中或者具有布置在陶瓷壳体中的至少一个部件(4)。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的路程传感器,其特征在于,所述电子器件通过板上芯片作为陶瓷上芯片与所述传感器元件(1)连接。
8.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:托马斯·惠斯宾特纳,哈拉尔德·哈斯,托比亚斯·斯科普夫,莱因霍尔德·霍尼卡,
申请(专利权)人:微埃普西龙测量技术有限两合公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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