【技术实现步骤摘要】
一种用于组装ESC的多平面多路可调节温度的加热器
本专利技术涉及半导体刻蚀设备，具体是一种用于组装ESC的多平面多路可调节温度的加热器。
技术介绍
在制造半导体器件等时，对半导体晶片进行成膜或刻蚀等表面处理。该表面处理中保持半导体晶片的装置之一为ESC(静电卡盘)。现有技术的等离子处理器结构如图1所示，包括反应腔100，位于反应腔内底部的基座10，基座通过电缆连接到至少一个射频电源。基座10内包括用于冷却液循环的管道11以带走等离子处理过程中产生的多余热量。基座10上方包括加热器23，加热器23上表面通过粘接层32使ESC30固定到加热器23上方，待处理基片通过ESC固定到基座上方。反应腔内顶部还包括上电极40，以及上电极下表面的气体喷头41实现反应气体的均匀通入。如附图2所示，在传统的电流温控ESC的加热器当中，设有两层加热器，分别是主加热器层和子加热器层。通常使用的加热器是加热电阻丝，所以每层加热器层以绝缘材料层来隔开，并且加热器的最顶层和最底层设置铝板来导热。如附图3、附图4所示，主加热器的加热区划分为4个，子...
【技术保护点】
1.一种用于组装ESC的多平面多路可调节温度的加热器，其特征在于，包含：/n主加热器层、子加热器层、附加子加热器层；/n所述主加热器层设有多个主加热区；/n所述子加热器层设置在主加热器层的上方，且所述子加热器层设有多个子加热区，与至少一部分主加热区叠加；/n所述附加子加热器层设置在子加热器层的上方，且所述附加子加热器层设有多个附加加热区；每个所述附加加热区与一个或多个所述子加热区错位叠加，使得每个所述附加加热区和与之错位叠加的每个子加热区的纵向投影不完全重合，其中所述主加热区、子加热区和附加子加热区都具有独立的加热功率输入口，使得加热功率独立可调。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于组装ESC的多平面多路可调节温度的加热器，其特征在于，包含：
主加热器层、子加热器层、附加子加热器层；
所述主加热器层设有多个主加热区；
所述子加热器层设置在主加热器层的上方，且所述子加热器层设有多个子加热区，与至少一部分主加热区叠加；
所述附加子加热器层设置在子加热器层的上方，且所述附加子加热器层设有多个附加加热区；每个所述附加加热区与一个或多个所述子加热区错位叠加，使得每个所述附加加热区和与之错位叠加的每个子加热区的纵向投影不完全重合，其中所述主加热区、子加热区和附加子加热区都具有独立的加热功率输入口，使得加热功率独立可调。
2.如权利要求1所述的一种用于组装ESC的多平面多路可调节温度的加热器，其特征在于，被叠加的每一个所述主加热区上方的空间，被划分为若干子空间，每个子空间分别有对应的子加热区。
3.如权利要求1所述的一种用于组装ESC的多平面多路可调节温度的加热器，其特征在于，所述主加热器层包含同圆心的多个主加热圈；
所述子加热器层包含同圆心的多个子加热圈，叠加在至少一些主加热圈上方，使得每个子加热圈和与之叠加的每个主加热圈的纵向投影重合；或者，多个子加热圈错位叠加在至少一些主加热圈上方，使得每个子加热圈和与之错位叠加的每个主加热圈的纵向投影不完全重合。
4.如权利要求3所述的一种用于组装ESC的多平面多路可调节温度的加热器，其特征在于，每个所述主加热圈布置一个主加热区；每个所述子加热圈布置多个扇形的子加热区。
5.如权利要求3所述的一种用于组装ESC的多平面多路可调节温度的加热器，其特征在于，所述子加热圈在径向相互隔开；所述子加热器层包含若干非加热圈，与所述子加热圈同圆心设置，将相邻的所述子加热圈隔开。
6.如权利要求4所述的一种用于组装ESC的多平面多路可调节温度的加热器，其特征在于，所述附加子加热器层包含多个扇形区，各自从附加子加热器层的圆心开始沿径向延伸，且在每个扇形区布置1个附加加热区，每个附加加热区径向穿过若干个子加热圈的上方，并与被穿过的至少一个子加热圈中的每个子加热区错位叠加。
7.如权利要求6所述的一种用于组装ESC的多平面多路可调节温度的加热器，其特征在于，所述附加子加热器层的每个附加加热区...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷仲礼，吴狄，黄国民，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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