一种整流器及无源RFID标签制造技术

本发明专利技术公开了一种整流器，包括：开关管(SW)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和电阻(R1)；本发明专利技术的整流器通过在整流器的接地端设置开关管(SW)。用于切断能量传输路径，解决了传统整流器因短路电流较高导致关断功耗较大的问题；降低了无源RFID标签的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种整流器及无源RFID标签
本专利技术属于射频识别
，具体涉及一种整流器及无源RFID标签。
技术介绍
射频识别(RadioFrequencyIdentification，RFID)技术，又称无线射频识别，可通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据，而无需识别系统与特定目标之间建立机械或光学接触。RFID技术分为三大类：无源RFID、有源RFID、半有源RFID。其中，无源RFID产品发展最早，其依靠读卡器发送的电磁能量工作；无源电子标签没有内装电池，在阅读器的读出范围之外时，电子标签处于无源状态，在阅读器的读出范围之内时，电子标签从阅读器发出的射频能量中提取其工作所需的电源，其中，无源RFID标签的主要部件整流器用于将接受下来的射频信号转化成直流电源。无源电子标签由于它结构简单、经济实用，因而其发展最成熟，市场应用最广。比如，公交卡、食堂餐卡、银行卡、宾馆门禁卡、二代身份证等，这个在我们的日常生活中随处可见，属于近距离接触式识别类。其产品的主要工作频率有低频125KHZ、高频13.56MHZ、超高频433MHZ，超高频915MHZ。随着无源RFID标签技术的深入发展，无源RFID标签最主要的问题在于如何实现高转换效率和低功耗，而作为无源RFID标签的主要部件整流器，如何提升整流器的工作性能是实现无源RFID标签低功耗的重要途径。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种整流器及无源RFID标签。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本专利技术实施例提供了一种整流器，包括：开关管SW、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和电阻R1；第一NMOS管MN1的漏极、第一PMOS管MP1的漏极、第二NMOS管MN2的栅极、第二PMOS管MP2的栅极分别与第一电容C1的下极板相连；第一电容C1的上极板形成使能差分整流单元的差分输入正端；第二NMOS管MN2的漏极、第二PMOS管MP2的漏极、第一NMOS管MN1的栅极、第一PMOS管MP1的栅极分别与第二电容C2的上极板相连，电容C2的下极板形成使能差分整流单元的差分输入负端；第一NMOS管MN1的源极、第二NMOS管MN2的源极和开关管SW的源极相连；开关管SW的漏极形成使能差分整流单元的输入端；开关管SW的栅极形成使能差分整流单元的使能端；第一PMOS管MP1的源极、第二PMOS管MP2的源极分别与第三电容C3的上极板和电阻R1的第一端相连；第三电容C3的下极板和电阻R1的第二端分别接地。在一个具体实施方式中，开关管SW为NMOS管或N型IGFET。在一个具体实施方式中，开关管SW的型号为HY1808A。本专利技术同时公开了一种无源RFID标签，无源RFID标签包括如本专利技术的整流器。与现有技术相比，本专利技术的有益效果：本专利技术的整流器通过在整流器的接地端设置控制开关。通过切断能量传输路径，解决了传统整流器因短路电流较高导致关断功耗较大的问题；降低了无源RFID标签的功耗。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种整流器电路图。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术做进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例一图1为本专利技术实施例提供的一种整流器电路图，包括：开关管SW、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和电阻R1；第一NMOS管MN1的漏极、第一PMOS管MP1的漏极、第二NMOS管MN2的栅极、第二PMOS管MP2的栅极分别与第一电容C1的下极板相连；第一电容C1的上极板形成使能差分整流单元的差分输入正端；第二NMOS管MN2的漏极、第二PMOS管MP2的漏极、第一NMOS管MN1的栅极、第一PMOS管MP1的栅极分别与第二电容C2的上极板相连，电容C2的下极板形成使能差分整流单元的差分输入负端；第一NMOS管MN1的源极、第二NMOS管MN2的源极和开关管SW的源极相连；开关管SW的漏极形成使能差分整流单元的输入端；开关管SW的栅极形成使能差分整流单元的使能端；第一PMOS管MP1的源极、第二PMOS管MP2的源极分别与第三电容C3的上极板和电阻R1的第一端相连；第三电容C3的下极板和电阻R1的第二端分别接地。具体地，开关管SW为NMOS管或N型IGFET。进一步地，开关管SW的型号为HY1808A。实施例二本实施例在实施例一的基础上提供了一种无源RFID标签，无源RFID标签包括：天线201、整流模块202和芯片203；其中，天线201、整流模块202和芯片203依次电连接。具体地，整流模块202将天线201上感应的射频能量转换为直流电压，转换后的直流电源供给芯片203使用，即供给芯片203中的射频模拟前段电路、数字控制器和存储器使用。进一步地，天线201可以为线绕电感天线或盘旋状天线；优选为线绕电感天线。具体地，整流模块202包括控制开关2021和整流电路2022；控制开关2021设置于整流电路2022与接地端之间。以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体实施只局限于这些说明。对于本专利技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整流器，其特征在于，包括：开关管(SW)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和电阻(R1)；/n所述第一NMOS管(MN1)的漏极、所述第一PMOS管(MP1)的漏极、所述第二NMOS管(MN2)的栅极、所述第二PMOS管(MP2)的栅极分别与所述第一电容(C1)的下极板相连；所述第一电容(C1)的上极板形成使能差分整流单元的差分输入正端；所述第二NMOS管(MN2)的漏极、所述第二PMOS管(MP2)的漏极、所述第一NMOS管(MN1)的栅极、所述第一PMOS管(MP1)的栅极分别与所述第二电容(C2)的上极板相连，电容C2的下极板形成使能差分整流单元的差分输入负端；所述第一NMOS管(MN1)的源极、所述第二NMOS管(MN2)的源极和所述开关管(SW)的源极相连；所述开关管(SW)的漏极形成使能差分整流单元的输入端；所述开关管(SW)的栅极形成使能差分整流单元的使能端；所述第一PMOS管(MP1)的源极、所述第二PMOS管(MP2)的源极分别与所述第三电容(C3)的上极板和所述电阻(R1)的第一端相连；所述第三电容(C3)的下极板和所述电阻(R1)的第二端分别接地。/n...

【技术特征摘要】
1.一种整流器，其特征在于，包括：开关管(SW)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和电阻(R1)；
所述第一NMOS管(MN1)的漏极、所述第一PMOS管(MP1)的漏极、所述第二NMOS管(MN2)的栅极、所述第二PMOS管(MP2)的栅极分别与所述第一电容(C1)的下极板相连；所述第一电容(C1)的上极板形成使能差分整流单元的差分输入正端；所述第二NMOS管(MN2)的漏极、所述第二PMOS管(MP2)的漏极、所述第一NMOS管(MN1)的栅极、所述第一PMOS管(MP1)的栅极分别与所述第二电容(C2)的上极板相连，电容C2的下极板形成使能差分整流单元的差分输入负端；所述第一NMOS管(MN...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱云祥，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61