一种整流器及无源RFID标签制造技术

本发明专利技术公开了一种整流器，包括：开关管(SW)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和电阻(R1)；本发明专利技术的整流器通过在整流器的接地端设置开关管(SW)。用于切断能量传输路径，解决了传统整流器因短路电流较高导致关断功耗较大的问题；降低了无源RFID标签的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种整流器及无源RFID标签
本专利技术属于射频识别
，具体涉及一种整流器及无源RFID标签。
技术介绍
射频识别(RadioFrequencyIdentification，RFID)技术，又称无线射频识别，可通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据，而无需识别系统与特定目标之间建立机械或光学接触。RFID技术分为三大类：无源RFID、有源RFID、半有源RFID。其中，无源RFID产品发展最早，其依靠读卡器发送的电磁能量工作；无源电子标签没有内装电池，在阅读器的读出范围之外时，电子标签处于无源状态，在阅读器的读出范围之内时，电子标签从阅读器发出的射频能量中提取其工作所需的电源，其中，无源RFID标签的主要部件整流器用于将接受下来的射频信号转化成直流电源。无源电子标签由于它结构简单、经济实用，因而其发展最成熟，市场应用最广。比如，公交卡、食堂餐卡、银行卡、宾馆门禁卡、二代身份证等，这个在我们的日常生活中随处可见，属于近距离接触式识别类。其产品的主要工作频率有低频125KHZ、高频13.56MHZ、超高频433MHZ，超高频本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整流器，其特征在于，包括：开关管(SW)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和电阻(R1)；/n所述第一NMOS管(MN1)的漏极、所述第一PMOS管(MP1)的漏极、所述第二NMOS管(MN2)的栅极、所述第二PMOS管(MP2)的栅极分别与所述第一电容(C1)的下极板相连；所述第一电容(C1)的上极板形成使能差分整流单元的差分输入正端；所述第二NMOS管(MN2)的漏极、所述第二PMOS管(MP2)的漏极、所述第一NMOS管(MN1)的栅极、所述第一PMOS管(...

【技术特征摘要】
1.一种整流器，其特征在于，包括：开关管(SW)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和电阻(R1)；
所述第一NMOS管(MN1)的漏极、所述第一PMOS管(MP1)的漏极、所述第二NMOS管(MN2)的栅极、所述第二PMOS管(MP2)的栅极分别与所述第一电容(C1)的下极板相连；所述第一电容(C1)的上极板形成使能差分整流单元的差分输入正端；所述第二NMOS管(MN2)的漏极、所述第二PMOS管(MP2)的漏极、所述第一NMOS管(MN1)的栅极、所述第一PMOS管(MP1)的栅极分别与所述第二电容(C2)的上极板相连，电容C2的下极板形成使能差分整流单元的差分输入负端；所述第一NMOS管(MN...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱云祥，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61