介质谐振器、介质滤波器、通信设备及制备介质块的方法技术

本申请提供了一种介质谐振器、介质滤波器、通信设备及制备介质块的方法。通过介质块在第一端面相邻的区域和第二端面相邻的区域分别设置第一镂空槽和第二镂空槽，且在垂直于长度方向将介质块等分成两个部分及后，第一端面所在的部分的几何中心位于第一镂空槽内，第二端面所在的部分的几何中心位于第二镂空槽内，其中，谐振器的材料至少包括：碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。实施本申请能够提高介质谐振器的二次谐振频率与基模谐振频率的比值，进而使得当介质谐振器应用于介质滤波器后，提高介质滤波器的带外谐波特性，且结构简单，易于成型，适合大批量生产。

【技术实现步骤摘要】
介质谐振器、介质滤波器、通信设备及制备介质块的方法
本申请涉及通信
，特别是涉及一种介质谐振器、介质滤波器、通信设备及制备介质块的方法。
技术介绍
随着通信技术的突飞猛进，5G通信技术的应用越来越广泛，滤波器作为5G通信系统中的重要部件，高度集成化、小型化、轻量化、低成本的滤波器是5G通信技术必然需求。现有技术中，一般采用高介电常数的陶瓷材料制备形成长方体结构的谐振器，以形成满足上述需求的滤波器，但是这种结构的谐振器的二次谐振频率与基模谐振频率较近，两者比值较低，导致滤波器的远端带外特性较低。
技术实现思路
本申请主要是提供一种介质谐振器、介质滤波器、通信设备及制备介质块的方法，旨在解决介质谐振器的二次谐振频率与基模谐振频率较近、比值较低而导致介质滤波器的远端带外特性较低的问题。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种介质谐振器，所述介质谐振器包括：介质块，所述介质块包括沿长度方向间隔设置的第一端面和第二端面、沿宽度方向间隔设置的第一侧面和第二侧面以及沿厚度方向间隔设置的第三侧面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质谐振器，其特征在于，所述介质谐振器包括：/n介质块，所述介质块包括沿长度方向间隔设置的第一端面和第二端面、沿宽度方向间隔设置的第一侧面和第二侧面以及沿厚度方向间隔设置的第三侧面和第四侧面，所述介质块沿长度方向的尺寸大于沿宽度方向和厚度方向的尺寸；/n其中，所述介质块在所述第一端面的相邻区域和所述第二端面的相邻区域内设置有第一镂空槽和第二镂空槽，在垂直于所述长度方向将所述介质块等分成两个部分后，所述第一端面所在的部分的几何中心位于所述第一镂空槽内，所述第二端面所在的部分的几何中心位于所述第二镂空槽内；/n其中，所述介质谐振器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。/n

【技术特征摘要】
20181231 CN PCT/CN2018/1260451.一种介质谐振器，其特征在于，所述介质谐振器包括：
介质块，所述介质块包括沿长度方向间隔设置的第一端面和第二端面、沿宽度方向间隔设置的第一侧面和第二侧面以及沿厚度方向间隔设置的第三侧面和第四侧面，所述介质块沿长度方向的尺寸大于沿宽度方向和厚度方向的尺寸；
其中，所述介质块在所述第一端面的相邻区域和所述第二端面的相邻区域内设置有第一镂空槽和第二镂空槽，在垂直于所述长度方向将所述介质块等分成两个部分后，所述第一端面所在的部分的几何中心位于所述第一镂空槽内，所述第二端面所在的部分的几何中心位于所述第二镂空槽内；
其中，所述介质谐振器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。


2.根据权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于，所述碳酸锶所占摩尔百分比为48％～62％，所述三氧化二钐所占摩尔百分比为10％～24％，所述三氧化二铝所占摩尔百分比为10％～24％，所述二氧化钛所占摩尔百分比为4％～18％。


3.根据权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于，所述第一镂空槽和所述第二镂空槽分别连通所述第一侧面和第二侧面，或者连通所述第三侧面和第四侧面；
所述介质块沿宽度方向的尺寸大于沿厚度方向的尺寸，所述第一镂空槽和所述第二镂空槽分别连通所述第三侧面和第四侧面。


4.根据权利要求3所述的介质谐振器，其特征在于，所述第一镂空槽进一步连通所述第一端面，所述第二镂空槽进一步连通所述第二端面；
所述介质块、所述第一镂空槽和所述第二镂空槽相对于沿所述长度方向且垂直于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁亮亮，陆正武，陈薛爱，吴亚晖，钟志波，
申请(专利权)人：深圳市大富科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44