一种介质滤波器、制备介质滤波器的方法及通信设备技术

本申请提供了一种介质滤波器、制备介质滤波器的方法及通信设备。该介质滤波器包括多个介质块及至少两个第一介质板，多个介质块彼此间隔设置，至少两个第一介质板依次设置于空间上相邻的两个介质块之间，以形成依次经过多个介质块的主耦合路径；其中，介质块和第一介质板一体烧结成型，相比于现有技术中多个介质块拼接成型的方式，取消了拼接工艺中所需的定位工艺及二次烧结工艺，降低了工艺复杂性，结构简单，适合大批量生产，且消除了定位过程中出现的尺寸误差而导致多个介质块的耦合窗口拼接精度不高的问题，提高了介质滤波器的稳定性及一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种介质滤波器、制备介质滤波器的方法及通信设备
本申请涉及通信
，特别是涉及一种应用于5G通信系统的介质滤波器、制备介质滤波器的方法及通信设备。
技术介绍
随着通信技术的突飞猛进，5G通信技术的应用越来越广泛，滤波器作为5G通信系统中的重要部件，高度集成化、小型化、轻量化、低成本的滤波器是5G通信技术必然需求。现有技术中，一般采用高介电常数的陶瓷材料制备形成多个谐振单元，再将多个谐振单元的表面金属化后使用定位夹具进行拼接定位，最后通过烧结工艺将多个谐振单元拼接以形成所需的滤波器，工艺复杂，且尺寸精度较低。
技术实现思路
本申请主要是提供一种介质滤波器、制备介质滤波器的方法及通信设备，旨在解决通过拼接工艺形成的介质滤波器工艺复杂、尺寸精度较低的问题。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种介质滤波器，其中，所述介质滤波器包括:多个介质块，所述多个介质块彼此间隔设置；至少两个第一介质板，依次设置于空间上相邻的两个所述介质块之间，以形成依次经过所述多个介质块的主耦合路径；其中，所述介质块和所述第一介质板一体烧结成型；其中，所述介质滤波器的材料包括碳酸钙、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种制备介质滤波器的方法，所述方法用于制备前述的介质滤波器，所述方法包括：提供对应碳酸钙、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料；添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨；将所述一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体；粉碎所述陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨；将所述二次球磨得到的料浆烘干；将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒；在与所述介质滤波器的形状匹配的模具中干压成型；以及去除粘结剂并再次烧结，以得到一体烧结成型的所述多个介质块和所述至少两个第一介质板；在一体烧结成型的所述多个介质块和所述至少两个第一介质板的表面上覆盖电磁屏蔽层，以得到所述介质滤波器。为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种通信设备，其中，所述通信设备包括上述的介质滤波器。本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供的介质滤波器包括多个介质块及至少两个第一介质板，多个介质块彼此间隔设置，至少两个第一介质板依次设置于空间上相邻的两个介质块之间，以形成依次经过多个介质块的主耦合路径；其中，介质块和第一介质板一体烧结成型，相比于现有技术中多个介质块拼接成型的方式，取消了拼接工艺中所需的定位工艺及二次烧结工艺，降低了工艺复杂性，结构简单，适合大批量生产，且消除了定位过程中出现的尺寸误差而导致多个介质块的耦合窗口拼接精度不高的问题，提高了介质滤波器的稳定性及一致性；此外，介质滤波器的材料包括碳酸钙、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛，具有低介电常数、低损耗和近零的温度系数。能够改善介质滤波器的介电性能。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：图1是本申请提供的介质滤波器第一实施例的结构示意图；图2是图1中至少两个第一介质板形成的主耦合路径示意图；图3是图1中III-III向的截面示意图；图4是图1中第一介质板与介质块另一实施例的连接结构示意图；图5是图4中V-V向的截面示意图；图6是本申请提供的介质滤波器第二实施例的结构示意图；图7是图6中第二介质板形成的交叉耦合路径示意图；图8是制备介质滤波器的方法的流程示意图；图9示例性地示出了介质滤波器的微波介电性能的测试结果。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参阅图1，图1是本申请提供的介质滤波器10第一实施例的结构示意图，本实施例中的介质滤波器10包括多个介质块及至少两个第一介质板。其中，本实施例中多个介质块以八个介质块为例，该八个介质块分别为如图1所示的介质块111、介质块112、介质块113、介质块114、介质块115、介质块116、介质块117及介质块118。可选的，每个介质块呈矩形体设置，当然，在其他实施例中，每个介质块也可以呈其他规则或不规则的形状设置，在此不做限定。可选的，介质块的材质为陶瓷材料，由于陶瓷材料的介电常数较高，因此，通过高介电常数的陶瓷材料对微波波长的压缩效应，可以大幅度压缩介质滤波器的有效尺寸，使介质滤波器的整体外形尺寸小型化，同时因陶瓷材料易于模具成型，可以实现较低成本的批量化生产，故小型化、集成化应用具备优势的陶瓷滤波器与5G微基站(SmallCells)、MIMO系统的技术需求高度匹配，当然，在其他实施例中，介质块的材质也可以为其他介电常数与陶瓷相近的材料。进一步的，多个介质块彼此间隔设置，在本实施例中，也即八个介质块彼此间隔设置。可选的，多个介质块划分为彼此并排设置的至少两排介质块组合，比如在本实施例中，将八个介质块划分成彼此并排设置的两排介质块组合11a及11b，也即介质块111、介质块114、介质块115及介质块118划分成介质块组合11a，介质块112、介质块113、介质块116及介质块117划分为介质块组合11b，可以理解的，在其他实施例中，多个介质块也可以为其他的排列方式，比如多个介质块在一个方向上彼此间隔设置以形成一排介质块组合的排列方式或者其他排列方式的结构，具体情况可根据实际所需进行设置，在此不做限定。其中，至少两排介质块组合内的介质块分别沿各种的介质块组合的长度方向间隔设置，在本实施例中，也即介质块组合11a中的介质块111、介质块114、介质块115及介质块118在如图1所示的X向上间隔设置，介质块组合11b中的介质块112、介质块113、介质块116及介质块117在如图1所示的X向上间隔设置。进一步的，至少两排介质块组合垂直于长度方向彼此并排且间隔设置，在本实施例中，也即介质块组合11a与介质块组合11b在如图1所示的Y向上间隔设置。共同参阅图1及图2，图2是图1中至少两个第一介质板形成的主耦合路径L1示意图，其中，至少两个第一介质板依次设置于空间上相邻的两个介质块之间，以形成依次经过多个介质块的主耦合路径L1，比如在本实施例中，多个第一介质板分别为第一介质板121、第一介质板122、第一介质板123、第一介质板124、第一介质板125、第一介质板126及第一介质板127，第一介质板121设置于介质块111与介质块112之间，第一介质板1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器包括:/n多个介质块，所述多个介质块彼此间隔设置；/n至少两个第一介质板，依次设置于空间上相邻的两个所述介质块之间，以形成依次经过所述多个介质块的主耦合路径；/n其中，所述介质块和所述第一介质板一体烧结成型；/n其中，所述介质滤波器的材料包括碳酸钙、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。/n

【技术特征摘要】
20181231 CN PCT/CN2018/1260271.一种介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器包括:
多个介质块，所述多个介质块彼此间隔设置；
至少两个第一介质板，依次设置于空间上相邻的两个所述介质块之间，以形成依次经过所述多个介质块的主耦合路径；
其中，所述介质块和所述第一介质板一体烧结成型；
其中，所述介质滤波器的材料包括碳酸钙、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。


2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述碳酸钙所占摩尔百分比为48％～62％；所述三氧化二钐所占摩尔百分比为10％～24％；所述三氧化二铝所占摩尔百分比为10％～24％；所述二氧化钛所占摩尔百分比为4％～18％。


3.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一介质板在其两侧的所述相邻的两个介质块的间隔方向的垂直方向的横截面小于所述相邻的两个介质块在所述垂直方向上的横截面；
所述第一介质板的横截面所切割的所述第一介质板的表面相对于所述介质块的横截面所切割的所述介质块的表面均非共面设置；或者
所述第一介质板的横截面所切割的所述第一介质板的表面相对于所述介质块的横截面所切割的所述介质块的表面部分共面设置。


4.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述多个介质块划分为彼此并排设置的至少两排介质块组合，其中至少部分所述介质块上连接有两个所述第一介质板，其中所述两个第一介质板中的一个连接同一排所述介质块组合中的相邻介质块，所述两个第一介质板中的另一个连接不同排的所述介质块组合中的相邻介质块，所述部分介质块为位于所述主耦合路径端部的介质块以外的介质块，所述至少两排介质块组合内的介质块分别沿各自的所述介质块组合的长度方向间隔设置，且所述至少两排介质块组合垂直于所述长度方向彼此并排且间隔设置。


5.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器进一步包括输入端子和输出端子，所述输入端子和输出端子分别设置于位于所述主耦合路径端部的两个介质块上。

【专利技术属性】
技术研发人员：袁亮亮，陆正武，陈薛爱，童恩东，吴亚晖，
申请(专利权)人：深圳市大富科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44