粘合膜、半导体设备及半导体封装制造技术

公开了一种粘合膜包括：多孔金属层，在其中具有多个孔；第一粘合层，在多孔金属层的一侧上；粘合物质，至少部分地填充多孔金属层的孔隙；以及多个第一导热构件，分布在第一粘合层中。

【技术实现步骤摘要】
粘合膜、半导体设备及半导体封装相关申请的交叉引用本公开要求于2018年12月28日在韩国知识产权局提交的题为：“AdhesiveFilm，SemiconductorApparatusUsingtheSame，andSemiconductorPackageIncludingtheSame”的韩国专利申请No.10-2018-0171499通过引用整体并入本文。
实施例涉及粘合膜、使用该粘合膜的半导体设备以及包括该粘合膜的半导体封装。
技术介绍
由于粘合剂易于使用，所以粘合剂用于各种应用，例如片材、薄膜、标签和胶带，并且粘合剂所附着的材料还包括各种材料，例如有机材料、金属材料和无机材料。近来，粘合剂的应用越来越多地扩展到显示器、触摸屏、触摸板、触摸透镜、电子设备、电极、LED照明等，这些要求具有各种性能的高功能性以及对湿气、腐蚀和温度的高耐久性和可靠性。
技术实现思路
实施例涉及一种粘合膜，包括：多孔金属层，在其中具有多个孔；第一粘合层，在多孔金属层的一侧上；粘合物质，至少部分地填充多孔金属层的所述多个孔；以及多个第一导热构件，分布在第一粘合层中。示例性实施例还涉及一种半导体设备，包括衬底、在衬底上的放热器件、以及在衬底与放热器件之间的粘合膜。粘合膜可以包括：多孔金属层，在其中具有多个孔；第一粘合层，在多孔金属层的一侧上、以及粘合物质，至少部分地填充所述多孔金属层的所述多个孔。示例实施例还涉及一种半导体封装，包括：封装衬底；半导体芯片，在封装衬底上；热辐射器，覆盖半导体芯片；以及粘合膜，在半导体芯片与热辐射器之间。粘合膜可以包括：第一粘合层，在半导体芯片的顶面上；多孔金属层，在第一粘合层的顶面上；以及粘合物质，至少部分地填充多孔金属层的内部。附图说明通过参考附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，在附图中：图1示意了示出根据示例实施例的粘合膜的截面图。图2和图3示意了示出图1的部分A的放大图。图4示意了示出根据示例实施例的粘合膜的截面图。图5示意了示出图4的部分B的放大图。图6示意了示出根据比较例的处理粘合膜的截面图。图7示意了示出根据示例实施例的处理粘合膜的截面图。图8至图10示意了示出根据示例实施例的制造粘合膜的方法中的阶段的截面图。图11示意了示出根据示例实施例的半导体设备的截面图。图12至图14示意了示出根据示例实施例的半导体封装的截面图。具体实施方式下面将参考附图描述根据本示例实施例的粘合膜。图1示意了示出根据示例实施例的粘合膜的截面图。图2和图3示意了示出图1的部分A的放大图。参照图1和图2，粘合膜AF可以是导热粘合膜，并且可以包括第一粘合层10、金属层20、粘合物质40和第一导热构件12。第一粘合层10可以提供为具有膜形状。第一粘合层10可以包括非导(例如非导电)材料。第一粘合层10可以包括粘合聚合物。例如，第一粘合层10可以包括丙烯酸类聚合物、环氧基聚合物或氨甲酸酯基聚合物中的一种或多种。第一粘合层10的材料可以包括另一种合适的粘合聚合物。金属层20可以提供在第一粘合层10的一侧处。金属层20可以具有膜形状。金属层20可以包括导热率高的材料。金属层20可以包括金属。例如，金属层20可以包括铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、银(Ag)、锌(Zn)、铝(Al)或镁(Mg)或其合金中的一种或多种。合金可以包括例如铝镁铜合金(例如，AlMg15Cu10)或锌铝镁合金(例如，ZnAl3.3Mg3.3)。金属层20的材料可以包括具有高导热率的另一种合适的金属或合金。金属层20可以具有多孔形状。例如，金属层20可以在其中具有多个孔PO。孔PO可以形成在金属层20内，并且孔PO中的一个或多个可以形成为与金属层20的表面接触或形成在该表面处，例如，在第一粘合层10和金属层20之间的界面处。例如，孔PO中的一个或多个可以暴露在金属层20的表面处。金属层20可以具有约30％至约100％的孔隙率。在本说明书中，术语“孔隙率”是指孔的体积相对于金属层20的总体积的分率。孔PO可以具有球形、椭圆形或隧道形状。每个孔PO可以具有长轴WT1，长轴WT1具有约5μm至约3000μm的长度。孔PO可以在空间上与相邻的其他孔PO连接。金属层20可以提供为多孔形状或金属海绵的形式。因此，粘合膜AF可以增加可加工性(例如，可加工性)。例如，金属层20可以改善弯曲特性、延展特性或切割表面特性(下面将参考图6和图7进一步讨论金属层20的切割表面特性)。粘合物质40可以浸渍到金属层20中。例如，粘合物质40可以例如至少部分地填充金属层20的孔PO。金属层20可以由设置在金属层20中(或孔PO中)的粘合物质40支撑，因此可以防止金属层20的形状过度变形。例如，粘合物质40可以防止金属层20被改变(通过外力)。因为一个或多个孔PO形成为与金属层20的表面接触，所以粘合物质40可以暴露在金属层20的表面处。例如，金属层20可以具有第一表面20a，第一粘合层10与第一表面20a接触，并且粘合物质40暴露在第一表面20a上，这可以使粘合物质40接触第一粘合层10。金属层20可以在第一表面20a上具有粘合性，粘合物质40暴露在第一表面20a上。粘合物质40可以将金属层20刚性地附着到第一粘合层10。因此，金属层20可以不从第一粘合层10分层(或移去)，并且粘合膜AF可以增加结构稳定性。粘合物质40可以暴露在金属层20的第二表面20b上，该第二表面20b面对第一表面20a。金属层20可以在第二表面20b上具有粘合性，粘合物质40暴露在第二表面20b上。因此，粘合膜AF可以在第一粘合层10的一侧上和(b)在金属层20的相对侧上均具有粘合性，因此粘合膜AF可以用作双面粘合膜。粘合物质40可以包括粘合聚合物。粘合物质40可以包括与第一粘合层10的材料相同的材料。例如，粘合物质40可以包括丙烯酸类聚合物、环氧基聚合物或氨甲酸酯基聚合物中的一种或多种。当粘合物质40包括与第一粘合层10的材料相同的材料时，粘合物质40可以具有与第一粘合层10连续的配置，并且可以在粘合物质40和第一粘合层10之间提供不可见或不可感知的界面。例如，粘合物质40和第一粘合层10可以以单体的形式提供。粘合物质40可以是第一粘合层10浸渍到金属层20的孔PO中的部分。在另一实现方式中，当粘合物质40包括与第一粘合层10的材料不同的材料时，可以在粘合物质40和第一粘合层10之间提供可见的或可感知的界面。第一导热构件12可以提供在第一粘合层10中。第一导热构件12可以具有例如珠、线或杆形状。每个第一导热构件12的尺寸可以小于金属层20的孔PO的尺寸。每个第一导热构件12可以具有长轴WT2，长轴WT2具有约1μm至约1500μm的长度。在另一实现方式中，第一导热构件12的尺寸(例如平均尺寸)可以大于孔PO的尺寸(例如平均尺寸)。第一导热构件12可以分布在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种粘合膜，包括：/n多孔金属层，在其中具有多个孔；/n第一粘合层，在所述多孔金属层的一侧上；/n粘合物质，至少部分地填充所述多孔金属层的所述多个孔；以及/n多个第一导热构件，分布在所述第一粘合层中。/n

【技术特征摘要】
20181228 KR 10-2018-01714991.一种粘合膜，包括：
多孔金属层，在其中具有多个孔；
第一粘合层，在所述多孔金属层的一侧上；
粘合物质，至少部分地填充所述多孔金属层的所述多个孔；以及
多个第一导热构件，分布在所述第一粘合层中。


2.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述多孔金属层的孔隙率为约30％至小于100％。


3.根据权利要求1所述的粘合膜，其中：
所述多个孔中的至少一个在所述多孔金属层的表面处开口，并且
填充所述多个孔中的至少一个的所述粘合物质暴露在所述多孔金属层的表面处。


4.根据权利要求1所述的粘合膜，其中：
所述粘合物质和所述第一粘合层在所述多孔金属层与所述第一粘合层之间的界面处彼此接触，并且
所述粘合物质和所述第一粘合层提供为包括相同材料的单体形式。


5.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述孔的长轴具有约5μm至约3000μm的长度。


6.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述多孔金属层包括铜、镍、铁或银中的一种或多种。


7.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一导热构件具有珠形状、线形状或棒形状中的一种或多种。


8.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一导热构件占所述第一粘合层的总体积的约1％至约50％的体积分率。


9.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一导热构件中的一些分布在所述粘合物质中。


10.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一导热构件包括非晶氧化硅、晶体氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、碳化硅、氮化铝、氧化铍、氮化硼或钻石中的一种或多种。


11.根据权利要求1所述的粘合膜，还包括：在所述多孔金属层的另一侧上的第二粘合层，所述另一侧与所述第一粘合层相对。


12.根据权利要求11所述的粘合膜，其中，所述第二粘合层包括分布在所述第二粘合层中的多个第二导热构件。


13.根据权利要求1所述的粘合膜，还包括以下中的一项或多项：
第一钝化层，覆盖所述多孔金属层；或者
第二钝化层，覆盖所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李政泌，姜明成，金永锡，徐光仙，刘惠仁，崔容元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR