窗面板制造技术

本申请涉及窗面板。该窗面板包括衬底、第一离子和第二离子，其中，衬底具有小于100μm的厚度，并且包括在厚度方向上彼此面对的第一表面和第二表面；第一离子分散在衬底中，并且各自具有第一离子半径；第二离子分散在衬底中，并且各自具有比第一离子半径大的第二离子半径，其中，第二离子生成压缩应力，压缩应力在从第一表面或第二表面到厚度的1/2点的范围内随着距第一表面或第二表面的深度的增加而减小。

【技术实现步骤摘要】
窗面板相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月28日提交的第10-2018-0172434号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
在本文中，本公开的一些示例性实施方式的方面涉及窗面板、包括该窗面板的电子设备、用于制造窗面板的方法，并且例如，涉及一种增强型窗面板、包括该增强型窗面板的电子设备以及用于制造窗面板的方法。
技术介绍
电子设备可以包括窗构件、接纳构件和电子元件。电子元件可以包括响应于电信号而被激活的各种元件，诸如显示元件、触摸元件或检测元件。窗构件保护电子元件并向用户提供有效区域。因此，用户可以通过窗构件向电子元件提供输入，或者接收在电子元件中生成的信息。此外，可以通过窗构件稳定地保护电子元件免受外部冲击。窗构件可以是轻质且薄的，并且为了补偿其结构易损性，可以利用多种方法来强化窗构件。在该
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于增强对
技术介绍
的理解，并且因此，其可能包括不构成现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的一些示例性实施方式可以包括具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.窗面板，包括：/n衬底，具有小于100μm的厚度，并且包括在厚度方向上彼此面对的第一表面和第二表面；/n第一离子，分散在所述衬底中，并且各自具有第一离子半径；以及/n第二离子，分散在所述衬底中，并且各自具有比所述第一离子半径大的第二离子半径，其中，/n所述第二离子生成压缩应力，/n在从所述第一表面或所述第二表面到所述厚度的1/2点的范围内，所述压缩应力随着距所述第一表面或所述第二表面的深度的增加而减小，以及/n压缩深度满足：/n0.15T≤DOC≤0.3T，/n其中，T是所述衬底的所述厚度，且DOC是所述压缩深度，所述压缩深度限定为所述压缩应力在该处变为0的深度。/n

【技术特征摘要】
20181228 KR 10-2018-01724341.窗面板，包括：
衬底，具有小于100μm的厚度，并且包括在厚度方向上彼此面对的第一表面和第二表面；
第一离子，分散在所述衬底中，并且各自具有第一离子半径；以及
第二离子，分散在所述衬底中，并且各自具有比所述第一离子半径大的第二离子半径，其中，
所述第二离子生成压缩应力，
在从所述第一表面或所述第二表面到所述厚度的1/2点的范围内，所述压缩应力随着距所述第一表面或所述第二表面的深度的增加而减小，以及
压缩深度满足：
0.15T≤DOC≤0.3T，
其中，T是所述衬底的所述厚度，且DOC是所述压缩深度，所述压缩深度限定为所述压缩应力在该处变为0的深度。


2.根据权利要求1所述的窗面板，其中，所述压缩应力在不小于所述压缩深度的深度范围内减小。


3.根据权利要求2所述的窗面板，其中，层深度是0.5T或更大，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李会官，金承，金胜镐，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR