激励光照射装置和激励光照射方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及激励光照射装置和激励光照射方法，能够准确地进行基于基材内的色心发出的光的测定。该激励光照射装置具有基材(1)，该基材(1)包含被激励光激发的色心(1a)。关于该基材1，(a)具有相互对置的2个反射面(11、12)和相互对置的2个端面(13、14)，(b)使入射到基材1的激励光一边被2个反射面(11、12)反射一边从该2个端面(13、14)中的一个端面侧(13)向另一个端面侧(14)行进。而且，另一个端面(14)使激励光反射，并倾斜成使激励光从该2个反射面(11、12)中的任意一个射出。

【技术实现步骤摘要】
激励光照射装置和激励光照射方法
本专利技术涉及激励光照射装置和激励光照射方法。
技术介绍
近年来，开发了基于利用了色心的光检测磁共振(ODMR：OpticallyDetectedMagneticResonance)的磁场计测方法。在ODMR中，通过对具有次能级和光学跃迁能级的介质分别照射高频磁场(微波)和光以用于次能级之间的激发和光跃迁之间的激发，利用光信号以高灵敏度检测因次能级之间的磁共振引起的占有数的变化等。通常，在基态的电子被绿光激发之后，在返回基态时发出红光。另一方面，例如，金刚石构造中的氮空位中心(NVC：NitrogenVacancyCenter)中的电子在通过2.87GHz左右的高频磁场的照射，从而通过光激发而被初始化之后，从基态中的3个次能级中最低的级别(ms＝0)转变到基态中的比该最低的级别高的能量轨道的能级(ms＝±1)。当该状态下的电子被绿光激发时，在无辐射的情况下返回基态中的3个次级中最低的级别(ms＝0)，因此，发光量减少，通过该光检测，能够获知是否由于高频磁场产生了磁共振。在ODMR中，使用了NVC这样的光检本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激励光照射装置，其特征在于，/n该激励光照射装置具有基材，该基材包含被激励光激发的色心，/n所述基材(a)具有相互对置的2个反射面和相互对置的2个端面，并且(b)使入射到所述基材的所述激励光一边被所述2个反射面反射一边从所述2个端面中的一个端面侧向另一个端面侧行进，/n所述另一个端面倾斜成使所述激励光反射并从所述2个反射面中的任意一个射出。/n

【技术特征摘要】
20181227 JP 2018-2441011.一种激励光照射装置，其特征在于，
该激励光照射装置具有基材，该基材包含被激励光激发的色心，
所述基材(a)具有相互对置的2个反射面和相互对置的2个端面，并且(b)使入射到所述基材的所述激励光一边被所述2个反射面反射一边从所述2个端面中的一个端面侧向另一个端面侧行进，
所述另一个端面倾斜成使所述激励光反射并从所述2个反射面中的任意一个射出。


2.根据权利要求1所述的激励光照射装置，其特征在于，
该激励光照射装置还具有入射辅助部，该入射辅助部设置在所述2个反射面中的一个反射面上，使所述激励光从所述一个反射面入射到所述基材内。


3.根据权利要求2所述的激励光照射装置，其特征在于，
所述入射辅助部具有：入射面，其供所述激励光入射；以及射出面，其与所述一个反射面接合，使所述激励光射出，
所述入射面与所述基材的...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本将辉，芳井义治，
申请(专利权)人：胜美达集团株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP