气体感测器及其制备方法技术

一种气体感测器，其包括：基板；底栅极，其位于在基板的一表面；绝缘层，其位于在所述基板具有所述底栅极的表面上且完全覆盖所述底栅极；半导体层，其位于所述绝缘层远离所述基板的一侧；相互间隔的源极和漏极，均与半导体层连接；钝化层，其覆盖所述半导体层；以及顶栅极，其位于所述钝化层远离所述基板的表面且与所述源极和漏极均间隔设置，所述顶栅极的材质为导电的气体敏感材料。本发明专利技术还提供气体感测器的制备方法。所述气体感测器利用吸附气体改变顶栅极的电势，从而影响所述漏极的电流，进而可以根据漏极的电流变化侦测气体，所述气体感测器具有较快的感测速度且感测更加精准。

【技术实现步骤摘要】
气体感测器及其制备方法
本专利技术涉及一种气体感测器及该气体感测器的制备方法。
技术介绍
现有的一种气体传感器300，如图1所示，其包括基板101以及位于所述基板上的薄膜晶体管(TFT)。所述薄膜晶体管包括依次层叠在所述基板101上的栅极103、半导体层105、以及源极102和漏极104，其中所述栅极103和所述半导体层105之间还设置有绝缘层107以使二者相互隔离。所述源极102和所述漏极104分别连接于所述半导体层105的相对两侧。所述气体传感器的外表面，本实施例中，所述半导体层105远离所述栅极103的表面涂有分析物层109。某种气体可能会与分析物层109中的物质发生反应而形成特定的产物，并且产物可能会逐渐扩散到栅极和绝缘体之间的界面中，从而使TFT中的电极电压发生变化，进而可以检测出气体。但是，产物扩散到TFT中可能要花费较长的时间，导致气体感测速度慢。
技术实现思路
本专利技术一方面提供一种气体感测器，其包括：基板；底栅极，其位于在基板的一表面；绝缘层，其位于在所述基板具有所述底栅极的表面上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气体感测器，其特征在于，包括：/n基板；/n底栅极，位于基板的一表面；/n绝缘层，位于所述基板具有所述底栅极的表面上且完全覆盖所述底栅极；/n半导体层，位于所述绝缘层远离所述基板的一侧；/n相互间隔的源极和漏极，均位于所述半导体层远离所述基板的一侧与所述半导体层连接；/n钝化层，覆盖所述半导体层；以及/n顶栅极，位于所述钝化层远离所述基板的表面且与所述源极和漏极均间隔设置，所述顶栅极的材质为导电的气体敏感材料。/n

【技术特征摘要】
20181228 US 62/7857081.一种气体感测器，其特征在于，包括：
基板；
底栅极，位于基板的一表面；
绝缘层，位于所述基板具有所述底栅极的表面上且完全覆盖所述底栅极；
半导体层，位于所述绝缘层远离所述基板的一侧；
相互间隔的源极和漏极，均位于所述半导体层远离所述基板的一侧与所述半导体层连接；
钝化层，覆盖所述半导体层；以及
顶栅极，位于所述钝化层远离所述基板的表面且与所述源极和漏极均间隔设置，所述顶栅极的材质为导电的气体敏感材料。


2.如权利要求1所述的气体感测器，其特征在于，所述顶栅极的材质为纳米金或纳米铂。


3.如权利要求1所述的气体感测器，其特征在于，所述源极和所述漏极分别从所述钝化层远离所述基板的一侧延伸并贯穿所述钝化层从而与所述半导体层接触连接。


4.如权利要求1所述的气体感测器，其特征在于，所述钝化层位于所述绝缘层上且完全覆盖所述半导体层、所述源极和所述漏极。


5.如权利要求1所述的气体感测器，其特征在于，沿所述气体感测器的厚度方向，所述半导体层在所述基板上的投影与所述底栅极在所述基板上的投影为重叠的，所述顶栅极在所述基板上的投影与所述底栅极在所述基板上的投影至少为部分重叠的。


6.一种气体感测器的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基板并在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张炜炽，林欣桦，施博理，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44