量子点的后处理方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点的后处理方法，包括：提供初始量子点溶液；将所述初始量子点溶液与第一化合物或第一化合物组合进行第一次序的混合并加热，得到第一量子点溶液；将所述第一量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液；将所述第二量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第三次序的混合并加热，得到第三量子点溶液。

【技术实现步骤摘要】
量子点的后处理方法
本专利技术属于量子点制备
，尤其涉及一种量子点的后处理方法。
技术介绍
纳米科学和纳米技术是一门新兴的科学技术并且存在潜在的应用价值和经济效益，因而在世界范围内备受科学家的关注。相对于体相材料，纳米晶体(NCs)能够呈现出非常有趣的现象主要是依赖于其电学、光学、磁学和电化学特性(相应的体相材料是无法实现)。半导体纳米晶体，又称量子点(QD)，其尺寸范围从1到10nm，当粒径大小发生变化时，半导体纳米晶的带隙价带和导带也会改变(量子尺寸效应)，如CdSe纳米晶体的吸收和发射几乎覆盖了整个可见光谱范围，因此，半导体纳米晶体表现出与尺寸有关的光致发光性质的现象。半导体纳米晶体已经在许多
被应用如生物标记、诊断、化学传感器、发光二极管、电子发光器件、光伏器件、激光器和电子晶体管等。然而针对不同
的应用需要自备不同类别的半导体量子点，制备高质量的半导体量子点是半导体量子点尺寸效应有效应用的前提。在过去的几十年中，为了得到高质量的半导体纳米晶，科研学者开了了很多种方法。现有的技术中主要有表面配体处理、核壳结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点的后处理方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供初始量子点溶液；/n将所述初始量子点溶液与有机胺或有机胺和有机膦进行第一次序的混合并加热；/n将所述第一量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液；/n将所述第二量子点溶液与第三化合物或第三化合物组合进行第三次序的混合并加热，得到第三量子点溶液；/n其中，所述第二化合物选自有机羧酸或有机膦，所述第二化合物组合选自有机羧酸和有机膦；所述第三化合物选自有机羧酸或有机膦，所述第三化合物组合选自有机羧酸和有机膦；/n将所述初始量子点溶液与有机胺或有机胺和有机膦进行第一次序的混合并加热。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点的后处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供初始量子点溶液；
将所述初始量子点溶液与有机胺或有机胺和有机膦进行第一次序的混合并加热；
将所述第一量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液；
将所述第二量子点溶液与第三化合物或第三化合物组合进行第三次序的混合并加热，得到第三量子点溶液；
其中，所述第二化合物选自有机羧酸或有机膦，所述第二化合物组合选自有机羧酸和有机膦；所述第三化合物选自有机羧酸或有机膦，所述第三化合物组合选自有机羧酸和有机膦；
将所述初始量子点溶液与有机胺或有机胺和有机膦进行第一次序的混合并加热。


2.如权利要求1所述的量子点的后处理方法，其特征在于，所述初始量子点溶液中的量子点为ⅢA-ⅤA纳米晶的单核量子点或者壳层为ⅢA-ⅤA纳米晶的核壳量子点。


3.如权利要求2所述的量子点的后处理方法，其特征在于，所述ⅢA-ⅤA纳米晶选自InP、InN、InAs、InSb、GaAs、GaSb、GaP、GaN或InGaP。


4.如权利要求2所述的量子点的后处理方法，其特征在于，将所述第一量子点溶液与有机羧酸进行第二次序的混合并加热或将所述第一量子点溶液与有机羧酸和有机膦进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液；将所述第二量子点溶液与有机膦进行第三次序的混合并加热，得到第三量子点溶液。


5.如权利要求2所述的量子点的后处理方法，其特征在于，将所述初始量子点溶液与有机胺进行第一次序的混合并加热，得到第一量子点溶液；将所述第一量子点溶液与有机膦进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液；将所述第二量子点溶液与有机羧酸进行第三次序的混合并加热或将所述第二量子点溶液与有机羧酸和有机膦进行第三次序的混合并加热，得到第三量子点溶液。


6.如权利要求1至5任一项所述的量子点的后处理方法，其特征在于，将所述次序的量子点溶液与有机羧酸进行混合并加热的步骤或将所述次序的量子点溶液与有机羧酸和有机膦进行混合并加热的步骤，在温度为150～35...

【专利技术属性】
技术研发人员：程陆玲，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44