氟化物荧光体、发光装置及氟化物荧光体的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的课题是提供发光强度高的氟化物荧光体、发光装置及氟化物荧光体的制造方法。其解决方法是一种氟化物荧光体，其具有含有K、Ge、Mn

【技术实现步骤摘要】
氟化物荧光体、发光装置及氟化物荧光体的制造方法
本专利技术涉及氟化物荧光体、使用了该氟化物荧光体的发光装置及氟化物荧光体的制造方法。
技术介绍
将发光二极管(LightEmittingDiode：LED)等发光元件与荧光体组合，开发了发白色、灯泡色、橙色等光的各种发光装置。这样的发光装置例如将发出相当于从紫外光到可见光的短波长侧的光的发光元件、和发出红色、绿色、或蓝色光的荧光体组合，将作为光的3原色的红色、绿色、蓝色混合，发出白色系的混合色光。这样的发光装置被利用于照明、车载照明、显示器、液晶用背光灯等广泛的领域中。例如，用于液晶用背光灯用途的发光装置的荧光体为了再现色度坐标上的广泛范围的颜色，要求颜色纯度良好，即要求发光峰的半值宽度窄。该半值宽度是指发光波谱中的发光峰的半值全宽度(FullWidthatHalfMaximum:FWHM)，是指表示发光波谱中发光峰的最大值的50％的值的发光峰的波长宽度。作为如此的半值宽度窄的发红色光的荧光体，例如在专利文献1中公开了组成由K2SiF6：Mn4+表示的氟化物荧光体。另外，在非专利文献1中公本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氟化物荧光体，其具有含有K、Ge、Mn

【技术特征摘要】
20181226 JP 2018-2434891.一种氟化物荧光体，其具有含有K、Ge、Mn4+以及F的组成，且具有1摩尔组成中的K的摩尔比为2，Ge与Mn4+的合计摩尔比为1，Mn4+的摩尔比大于0且小于0.2，F的摩尔比为6表示的组成，在发光波谱中，于615nm以上且小于625nm的范围内具有半值宽度为6nm以下的第一发光峰，于625nm以上且小于635nm的范围内具有第二发光峰，由波长为450nm的光激发带来的内量子效率为85％以上。


2.根据权利要求1所述的氟化物荧光体，其具有下述式(I)表示的组成，
K2[Ge1-aMn4+aF6](I)
式(I)中，a为满足0＜a＜0.2的数。


3.根据权利要求1或2所述的氟化物荧光体，其中，
将所述第二发光峰的发光强度设为100％，所述第一发光峰的发光强度为30％以上。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的氟化物荧光体，其具有六方晶系的结晶结构，空间群具有P63mc的对称性。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的氟化物荧光体，其中，由波长为450nm的光激发带来的内量子效率为90％以上。


6.一种发光装置，其具备：
权利要求1～5中任一项所述的氟化物荧光体、以及
在380nm以上且485nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田智一，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP