含有芳基硼受体和空间电荷转移发光的荧光高分子化合物、制备方法及有机电致发光器件技术

本发明专利技术提供一种含有芳基硼受体和空间电荷转移发光的荧光高分子化合物，具有式(I)所示结构，本发明专利技术提供的高分子具有非共轭主链结构，其发光来源于电子给体到电子受体的空间电荷转移。电子给体和受体在空间上是分离的，因而有利于减小HOMO和LUMO重叠，实现较小的ΔE

【技术实现步骤摘要】
含有芳基硼受体和空间电荷转移发光的荧光高分子化合物、制备方法及有机电致发光器件
本专利技术属于有机发光材料领域，尤其涉及一种含有芳基硼受体的空间电荷转移荧光高分子化合物、其制备方法及有机电致发光器件。
技术介绍
有机发光器件(OLEDs)通常是由阴极、阳极及阴极和阳极之间插入的有机物层构成，即器件的组成是由透明ITO阳极、空穴注入层(TIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极形成，按需要可省略1～2有机层。其作用机理为两个电极之间形成电压，一边从阴极注入电子，另一边从阳极注入空穴，电子和空穴在发光层再结合形成激发态，激发态回到稳定的基态，器件发光。由于色彩丰富、快速响应以及可制备柔性器件等特点，有机电致发光器件被认为是最具有发展前景的下一代平板显示和固体照明技术。根据发光材料的种类不同，OLEDs可以分为有机小分子器件和有机高分子器件两大类。其中，有机高分子器件可以采用溶液加工(如旋涂和打印等)的方式制备低成本、大面积器件，因而在显示和照明领域具有广阔应用前景。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.含有芳基硼受体和空间电荷转移发光的荧光高分子化合物，具有式(I)所示结构，/n

【技术特征摘要】
1.含有芳基硼受体和空间电荷转移发光的荧光高分子化合物，具有式(I)所示结构，



其中，x为0.001～0.999，n为2～9999之间的整数；
D为电子给体，A为含有芳基硼单元的电子受体；
所述D选自式(D-1)～式(D-41)所示结构化合物的任意一种或多种：






所述A选自式(A-1)～式(A-32)所示结构化合物中的任意一种或几种：






其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立的选自H、卤素、-CN、-F、-CF3、-NO2、-PO(Ph)2、取代或非取代的C1～C22的直链烃基、取代或非取代的C1～C22的支链烃基、取代或非取代的C1～C22的环烷基、取代或非取代的C1～C22的烷氧基；
R3、R4各自独立的选自取代或非取代的C1～C22的直链烃基、取代或非取代的C1～C22的支链烃基、取代或非取代的C1～C22的环烷基、取代或非取代的C1～C22的烷氧基。


2.根据权利要求1所述的含有芳基硼受体和空间电荷转移发光的荧光高分子化合物，其特征在于，所述x为0.01～0.20；所述n为20～1000之间的整数。


3.根据权利要求1所述的含有芳基硼受体和空间电荷转移发光的荧光高分子化合物，其特征在于，所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8中的取代指的是C1～C22中一个或多个不相邻的C原子，被O、S、Si、-CO-O-取代；还包括一个或多个氢原子被F取代。


4.根据权利要求1所述的含有芳基硼受体和空间电荷转移发光的荧光高分子化合物，其特征在于，所述D选自式(d-1)～式(d-41)所示结构化合物中的一种或多种：

【专利技术属性】
技术研发人员：王利祥，邵世洋，陈凡，王兴东，吕剑虹，赵磊，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22