【技术实现步骤摘要】
一种碳纳米管海绵增强碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法
本专利技术涉及一种碳纳米管海绵增强碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，属于复合材料制备领域。
技术介绍
在陶瓷基复合材料中，碳化硅(SiC)陶瓷材料因其高硬度、低膨胀系数、高热导率、高耐酸耐碱度等出众的性能受到重视，在机械、航天、军工等方面都展现出其他材料不可比拟的应用空间，但应用受限于陶瓷材料本身特性的影响，如脆性、导电性、热导率等方面。因此，提高碳化硅陶瓷材料的这些性能，可以拓展其更广阔的应用。碳纳米管增强体可以弥补碳化硅陶瓷材料特性的缺陷，提高其性能。但是碳纳米管在基体内的分散一直是亟待解决的问题。碳纳米管的团聚阻碍了碳纳米管单体和基体间形成理想的相互结合，这会严重影响界面和微观结构的结合，最终导致复合材料的物化性能受损。
技术实现思路
针对现有碳纳米管增强碳化硅陶瓷复合材料中碳化硅陶瓷基体质量重、导电和导热等性能差、碳纳米管在陶瓷基体中团聚、碳纳米管海绵增强体与基体材料复合强度低、易破坏的问题，本专利技术提供了一种碳纳米管海绵增强碳化硅陶...
【技术保护点】
1.一种碳纳米管海绵增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，选用碳纳米管海绵作为预制体，以Ar 作为载气，将稀释气体H
【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管海绵增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，选用碳纳米管海绵作为预制体，以Ar作为载气，将稀释气体H2和三氯甲基硅MTS烷通入反应炉中，升温至800～1000℃下开始沉积SiC，得到所述碳纳米管海绵增强碳化硅陶瓷基复合材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述稀释气体H2的流量为1500～2000sccm；所述三氯甲基硅MTS为150～200sccm；所述氩气的流量为4500～6000sccm。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述稀释气体H2和三氯甲基硅MTS的体积比为（10～11）：1。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述反应炉内压力为9～12KPa。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的时间为200～600小时。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述升...
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