X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于陶瓷电容器介质材料技术领域，具体涉及一种X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法。本发明专利技术X9R型多层陶瓷电容器介质材料为“芯‑壳”结构，其中，以0.9BT‑0.1BNT为“芯”、以钴元素和钕元素形成的表面包覆层为“壳”。本发明专利技术X9R型多层陶瓷电容器介质材料中，钴元素可以与钕元素反应形成复合物或者取代钕元素的位置从而降低钕元素的扩散速率，阻碍掺杂元素向“芯”扩散，使更多的掺杂元素停留在“壳”部，进而降低“芯‑壳”结构中“壳”的占比，使所得多层陶瓷电容器介质材料的低温介电峰更加缓和，整体容温稳定性提高，符合X9R标准。

【技术实现步骤摘要】
X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法
本专利技术属于电容器介质材料
，具体涉及一种X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法。
技术介绍
随着多层陶瓷电容器(MLCC)在汽车电子、石油钻探、航空航天、国防军工等极端领域的发展，特别是混合动力汽车以及燃料电池汽车的普及将加大对高温功率器件的需求，开展可在宽温谱正常工作即X9R型MLCC器件的研究已刻不容缓。国际电子工业协会(ElectronicIndustriesAssociation，EIA)对常见类型的MLCC用介质材料的容温特性做了特殊规定，其中X9R型MLCC为在-55～200℃范围内，容温变化率≤±15％的MLCC器件。纯BT陶瓷介电常数在居里点常发生突变，在实际电路中的温度稳定性不够。BT陶瓷的居里点主要受以下一些因素的影响：自身固有属性(比如晶粒尺寸、四方性及Ba/Ti比等)、外部环境(比如外加电场及应力及外来掺杂元素)，其中，掺杂是改变居里点的最常用及有效的途径。因此，为了满足X9R型MLCC对高服役温度的需求，需通过元素掺杂来提高其温度稳定性。而对于传统通过球本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种X9R型多层陶瓷电容器介质材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供0.9BT-0.1BNT；/n在水体系中，将所述0.9BT-0.1BNT与含钴离子和钕离子的溶液进行共沉淀反应，得到表面包覆有钴元素和钕元素的0.9BT-0.1BNT；/n所述表面包覆有钴元素和钕元素的0.9BT-0.1BNT经烧结处理，得到X9R型多层陶瓷电容器介质材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种X9R型多层陶瓷电容器介质材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供0.9BT-0.1BNT；
在水体系中，将所述0.9BT-0.1BNT与含钴离子和钕离子的溶液进行共沉淀反应，得到表面包覆有钴元素和钕元素的0.9BT-0.1BNT；
所述表面包覆有钴元素和钕元素的0.9BT-0.1BNT经烧结处理，得到X9R型多层陶瓷电容器介质材料。


2.根据权利要求1所述的X9R型多层陶瓷电容器介质材料的制备方法，其特征在于，以所述0.9BT-0.1BNT的摩尔浓度为基准，所述含钴离子和钕离子的溶液中，所述钴离子和所述钕离子的摩尔浓度之和为4％；和/或；
以所述0.9BT-0.1BNT的摩尔浓度为基准，所述含钴离子和钕离子的溶液中，所述钴离子和所述钕离子的摩尔浓度之和为4％，且所述钴离子与所述钕离子的摩尔浓度比为(0.5:1)-(2:1)。


3.根据权利要求1所述的X9R型多层陶瓷电容器介质材料的制备方法，其特征在于，所述水体系中还添加有辅助分散剂；和/或
所述水体系中还添加有辅助分散剂，所述辅助分散剂为酸性分散剂；和/或
所述水体系中还添加有辅助分散剂，所述辅助分散剂选自甘氨酸、聚丙烯酸、阴离子分散剂I-7、阴离子分散剂LomarPWA-40K中的至少一种；和/或
所述水体系中还添加有辅助分散剂，所述辅助分散剂的质量占所述0.9BT-0.1BNT的质量的3％。


4.根据权利要求1所述的X9R型多层陶瓷电容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：张蕾，庄后荣，曾俊，于洪宇，王宏兆，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：广东;44