【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种改进的坩埚，特别涉及一种真空涂层或镀膜用熔化金属坩埚，同时，还涉及一种制造坩埚的方法。目前真空蒸发装置中熔化金属所用的坩埚多为钨、钼、钽等高熔点金属所制做，由于被熔化金属和制造坩埚的金属产生反应或合金化、或熔解，制造坩埚的金属迅速被浸蚀，被熔化的金属或蒸镀膜被污染。氧化物、氮化物坩埚或其复合坩埚可以避免与某些金属反应，从而提高镀膜纯洁度和坩埚寿命，见机械工业出版社1991年出版的《薄膜科学与技术手册》上册。但这类坩埚导电性差，不适于作电极坩埚，因为其中的氧化物和氮化物多为不导电材料或绝缘材料，见中国建筑工业出版社1987年出版的《陶瓷导论》第909页，如果采用水冷铜坩埚作电极坩埚，则耗能大，镀膜速率低。本专利技术的目的是提供一种既能导电，又能提高抗熔融金属侵蚀性，且使用寿命长的涂有二硼化钛涂层的坩埚。本专利技术的另一个目的是提供一种制备既能导电，又能提高抗熔融金属侵蚀性，且使用寿命长的涂有二硼化钛涂层坩埚的方法。为了实现上述专利技术目的之一，本专利技术涂有二硼化钛涂层的坩埚，具有一带凹槽的高熔点金属坩埚本体，其特点在于所述坩埚凹槽的内壁上涂...
【技术保护点】
一种涂有二硼化钛涂层的坩埚，具有一带凹槽的高熔点金属坩埚本体，其特征在于：所述坩埚的凹槽内壁上涂覆有二硼化钛涂层，在所述坩埚本体的上壁表面部分或全部涂覆有三氧二铝或二氧化硅绝缘保护层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李殿国，刘万生，苏启，张虎寅，
申请(专利权)人：冶金工业部钢铁研究总院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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