碳化硅晶须生成炉及生产碳化硅晶须的方法技术

本发明专利技术公开了一种晶须生成炉以及用这种晶须生成炉生产晶须的方法。其目的是解决用现有的工业真空电炉不能连续生产碳化硅晶须问题。其晶须生成炉是在工业真空电炉基础上增加单向气密式给料装置和旋转式碳化硅晶须收集器；其方法是利用单向气密式阀门的开闭，进行连续供料及连续产出碳化硅晶须成品。把现有技术的间歇式生产变为连续式生产，碳化硅晶须生产过程中不需要降温停炉，即可实现连续加料、出料，可提高生产效率，节约能耗；由于采用了诱导板，使碳化硅晶须在诱导板上生成，实现了碳化硅晶须在生长过程中即与粉料的分离，不需要二次提纯，可简化生产工序，使碳化硅晶须的品质得到保证。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶须生成炉，还涉及用这种晶须生成炉生产晶须的方法。
技术介绍
参见图4，公知的制备碳化硅晶须所用炉具是工业真空电炉，包括石墨坩埚1、石墨加热体2、进气孔3、碳毡保温层4、炉壁5、出气孔15、上端盖17、观察孔18、下端盖19、石墨垫板28和石墨密封板29。石墨加热体2置于工业真空电炉的里层，外层是炉壁5，在炉壁5与石墨加热体2之间是碳毡保温层4，石墨加热体2和石墨垫板28固定在下端盖19上，石墨坩埚1放置在石墨垫板28上，穿过炉壁5、碳毡保温层4和石墨加热体2有进气孔3和观察孔18，电炉的上方有上端盖17，在上端盖17上位于炉腔的位置连接有石墨密封板29，上端盖17还有一个出气孔15，炉壁5、上端盖17和下端盖19为钢质中空结构，生产过程中通水冷却。在生产时将原料装入石墨坩埚内放入电炉炉腔中的石墨垫板上，抽真空并用惰性气体保护，通电加热达到预定温度后，保温一定时间，待晶须生成后降温，打开电炉，取出石墨坩埚，将晶须和剩余物料取出分离，得到晶须产品。如要继续生产时，则需要将石墨坩埚重新加料，放入电炉炉腔中，重新抽真空通保护气体，加温、保温，待晶须生成后，降温取出石墨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅晶须生成炉，包括石墨坩埚（１）、石墨加热体（２）、进气孔（３）、碳毡保温层（４）、炉壁（５）、出气孔（１５）、上端盖（１７）、观察孔（１８）、下端盖（１９）、石墨垫板（２８）和石墨密封板（２９），其特征在于：还包括单向气密式给料装置和旋转式碳化硅晶须收集器；单向气密式给料装置包括高温下料管（６）、单向气密式阀门Ａ（７）、给料室（８）、单向气密式阀门Ｂ（９）、低温下料管（１０）、定量给料器（１１）和三通阀门Ａ（１２），低温下料管（１０）通过法兰与定量给料器（１ １）连接，低温下料管（１０）、给料室（８）和高温下料管（６）由单向气密阀门Ｂ（９）、单向气密阀门Ａ（７）通过法兰...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄凤萍，李贺军，李克智，卢锦花，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]