一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉技术

一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉，所述的方法是将炉内气体从位于热场上方侧壁的排气孔排出的方法；所述的单晶炉包括：石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温材料、金属筒、筒盖、热屏，其特征在于：在金属筒筒体的上部连接一带排气孔的上筒体。本发明专利技术的优点是：硅单晶生长过程中多晶硅和石英坩埚产生的挥发物ＳｉＯ的流向不再经过加热器和石墨坩埚，增加了热场部件等的寿命，同时该装置便于清扫，增加了效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉，特别是一种采用SiO走向为炉上部的工艺方法，以及一种排气孔位于热场上方的金属筒侧壁上的直拉硅单晶炉。
技术介绍
半导体硅单晶生长中，大约85％是采用直拉(Czochralski)法制造。在这种方法中，多晶硅被装进石英坩埚内，加热熔化，然后，将熔硅略做降温，给予一定的过冷度，把一支特定晶向的硅单晶体(称做籽晶)与熔体硅接触，通过调整熔体的温度和籽晶向上提升速度，使籽晶体长大至近目标直径时，提高提升速度，使单晶体近恒直径生长。在生长过程的尾期，此时埚内的硅熔体尚未完全消失，通过增加晶体的提升速度和调整向埚的供热量将晶体直径渐渐减小而形成一个尾形锥体，当锥体的尖足够小时，晶体就会与熔体脱离，从而完成晶体的生长过程。直拉硅单晶在制造时大致分为这么几个阶段装多晶料、抽空、多晶硅熔化、颈及肩的生长、等直径生长、尾部晶体的生长、晶体冷却。在多晶硅熔化、颈及肩的生长、等直径生长、尾部晶体的生长过程中，高温下的熔硅和石英坩埚反应生成SiO并从熔体表面挥发，挥发的SiO然后经过热场的加热器、石墨坩埚等部件，最后从单晶炉的底部排气孔由真空泵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法，其特征在于：它采用使炉内气体从位于热场上方侧壁的排气孔排出的方法。

【技术特征摘要】
1.一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法，其特征在于它采用使炉内气体从位于热场上方侧壁的排气孔排出的方法。2.一种权利要求1所述的提高直拉硅单晶炉热场部件寿命直拉硅单晶炉，它包括石英坩埚、石墨坩...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴志强，戴小林，任雨昆，姜舰，周旗钢，张果虎，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，有研半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]