组件的光诱致选择性转移制造技术

一种用于组件的光诱致选择性转移的方法和设备。一施体基板(10)具有多个组件(11，12)，该组件被分成不同的子集并根据各自布局(A，B)来被布置。一目标基板(20)包括凹槽(21)和突起(25)。该施体和目标基板(10，20)被对位，使得一第一组件(11)子集被悬挂在该目标基板(20)中对应的凹槽(21)之上而且一第二组件(12)子集与该目标基板(20)之对应的突起(25)接触。光(L)被投射到该施体基板(10)之上以把该第一组件(11)子集转移进入到该对应的凹槽(21)中，同时该第二组件(12)子集保持附接在该施体基板(10)上。

Light induced selective transfer of modules

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组件的光诱致选择性转移
和
技术介绍
本专利技术系涉及一种用于组件之光诱致选择性转移的方法和设备，例如，用于制造或修复一微LED显示器。微LED(μLED)显示器因其(潜在的)高亮度、稳定性、低功耗、以及出色的色域而成为未来显示器的一候选者。当用于高亮度显示器时，由于它们的亮度，该像素区域只有一小部分区域需要为发射性的。换句话说，仅需要一个相对较低的覆盖率。因此，即使对于相对高的显示器分辨率，例如，大约每英寸70-600像素(PPI)，取决于该应用，该LED也可以具有非常小的尺寸，例如，小于30微米。但是因为μLED在诸如蓝宝石之昂贵的基板上在高温下增长可能是昂贵的，于LED制造时尽可能地多利用芯片面积系优选的。因此从一增长或其他施体基板选择性地把组件转移到目标基板使之在组件之间具有增加的间距(间隔)系所欲的。举例而言，美国专利第8,056,222号B2描述了一种雷射直接写入方法，被使用来把诸如半导体裸晶粒或表面安装被动及主动组件转移到一基板上或到一基板中的凹槽中用以制造嵌入式微电子器件。然而，当在该施体基板上的该组件非常小和/或靠近在一起时，可能难以防止相邻组件的转移。由于这些和其他的原因，改进诸如μLED之组件的组装方法，把高分辨率放置及正确性结合高产出量，例如用于制造显示器或其他装置，系所欲的。
技术实现思路
本专利技术的各种方面系有关于涉及在组件之光诱致选择性转移中的方法及系统。一施体基板被提供成具有分成不同子集的多个组件。在一第一转移步骤期间，一第一组件子集被选择用于转移，并根据一第一组件布局来进行布置。在该第一转移步骤期间，一第二组件子集被选择保留在该施体基板上，并根据一第二组件布局来进行布置。一目标基板包括至少被设置在与该第一组件布局相应的相对位置处的多个凹槽。在该目标基板上的多个突起系被设置在至少与该第二组件布局相应的相对位置处。该施体和目标基板被相对地定位或对位，例如，被带到邻近处。借由该对位，该第一组件子集被悬挂在该相应的凹槽的上方而不接触该目标基板。此外，该第二组件子集最好与该目标基板之该相应的突起接触。然后光被投射到在该施体基板上的至少该第一组件布局上。这致使该第一组件子集转移跨越并进入到该相应的凹槽中，同时该第二组件子集仍然附接在该施体基板上。将被理解的是，与该相应突起的接触可以防止该第二组件子集的转移。例如，该接触可以物理地阻止在那些位置处的转移。例如，该接触的目标基板可以作用为一散热器以至少部分地减少在该接触位置处之该组件的加热。同时，该凹槽可以有助于该转移。例如，在不与该目标基板接触的情况下，该组件可以从该施体基板被释放并且行进到该目标基板。将被理解的是，该行进的距离可借由该限定的接触点和/或该凹槽的深度来被良好地控制。这可以改善在该转移过程上的控制。此外，该悬挂的组件因没有该接触目标基板而无该散热效应，可以被加热到一相对较高的温度从而弱化在其接触位置处的一种粘合或其他反应的来导致它们的释放。附图说明本专利技术的该设备、系统及方法的这些和其他的特征、方面及优点将可从以下描述、所附专利技术申请专利范围、以及所附图示中变得更佳地理解，其中：图1A-1C根据一个实施例示意性地图示出从一施体基板到一目标基板组件之选择性转移的步骤；图2A-2C根据一个实施例示意性地图示出从不同的施体基板进行不同组件之选择性转移的步骤；图3A根据一个实施例示意性地图标出通过各种组件的热传递；图3B示意性地图示出一实施例其中该目标基板具有一反射表面；图3C示意性地图示出一设备的一实施例用于组件之选择性转移；图4A-4C根据某些实施例示意性地图示出可能的形状、尺寸、以及距离；具体实施方式用于描述特定实施例的术语不旨在限制本专利技术。如在这里所使用的，该单数形式“一”、“一个”及“该”也旨在包括该复数形式，除非上下文另有明确地指出。术语“和/或”包括一或多个该相关所列项目之任何及所有的组合。将被理解的是，该术语“包括”和/或“包含”指定该陈述特征的存在，但并不排除一或多个其他特征的存在或附加。将进一步被理解的是，当一方法的一特定步骤被参照为另一步骤的后续时，它可以直接遵循所述其他步骤，或者可在执行该特定步骤之前执行一或多个中间步骤，除非另有说明。同样地，将被理解的是，当描述在结构或组件之间的一连接时，这个连接可以直接地被建立或通过中间结构或组件被建立，除非另有说明。参照该附图，本专利技术会在下文中被更全面性地描述，该附图展示了本专利技术的实施例。在该附图中，为了清楚起见，可能夸大了系统、组件、层、以及区域的该绝对及相对尺寸。参照本专利技术可能理想化之实施例及中间结构的示意性和/或横截面图示，实施例可被描述。在整个说明书和附图中，相同的标号表示相同的组件。相对词语以及其衍生词应被解释为参照如所描述或如在讨论附图中所示出的定向。这些相对词语系针对描述的方便性，并不要求该系统系以特定的方面被建构或操作，除非另有说明。图1A-1C根据一个实施例示意性地图示出从一施体基板10到一目标基板20组件11之选择性转移的步骤。在一个实施例中，如在图1A中所示，一施体基板10被设置成具有多个组件11、12、13，它们被分成不同的，即互斥的子集。例如，一第一组件子集11被选择在一第一转移步骤期间转移并根据一第一组件布局“A”来布置。在该示出的实施例中，一第二组件子集12被选择在一第一转移步骤期间保持在该施体基板10上并且根据一第二组件布局“B”来布置。还可以定义另外的子集，例如，在该所示的实施例中，该第三组件子集13系根据一布局“C”来布置，其在这种情况下也被选择在该第一转移步骤期间保持在该施体基板10上。当然，就此地而言，该保留的组件12及13也可被认为是一单一布局的一部分。在一优选的实施例中，一目标基板20包括凹槽21，该凹槽至少被设置在相应于该第一组件布局“A”的相对位置A'处。换句话说，在该凹槽21之间的该距离对应于在该第一组件子集11之间的该距离。而且该凹槽21的该尺寸，例如直径，对应于该组件11的该尺寸，使得它们适合处在该凹槽中，如在下文会被进一步解释的。如在这里所使用的，该凹槽的概念通常系指该目标基板20的一凹度或准位低于该目标基板20的该平均表面准位的一区域。在一优选的实施例中，该目标基板20包括突起25。该突起25被至少设置在相应于该第二组件布局“B”的相对位置B'处。换句话说，在该突起25的该尺寸之间的该距离对应于该第二组件子集12之间的该距离(在本例中也是第三组件子集13之间的该距离)。例如，突起可由该目标基板20的非凹陷区域来形成，或者以其他的方式形成。如在这里所使用的，该突起的概念通常系指该目标基板20的一凸起或准位高于该目标基板20之该平均表面准位的一区域。在该目标基板20之该表面上的突起可以在其间限定凹槽和/或反之亦然。在一个实施例中，例如，如在图1B中所示，该施体和目标基板10、20被对位，即，被相对地定位。在该所示的实施例中，该第一组件子集11被悬挂在相应凹槽21的上方而不接触该目标基板20。此外，如图所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于组件的光诱致选择性转移的方法，所述方法包括：/n提供一施体基板(10)，所述施体基板具有分成不同子集的多个组件(11，12，13)，所述子集至少包括/n一第一组件(11)子集，在一第一转移步骤期间被选择用于转移并根据一第一组件布局(A)来被布置；以及/n一第二组件(12)子集，在所述第一转移步骤期间被选择保留在所述施体基板(10)上并根据一第二组件布局(B)来被布置；/n提供一目标基板(20)，所述目标基板包括设置在至少与所述第一组件布局(A)相应的相对位置(A’)处的多个凹槽(21)以及由所述目标基板(20)的非凹槽区域所形成的多个突起(25)，所述突起被设置在至少与所述第二组件布局(B)相应的相对位置(B’)处；/n对位所述施体与目标基板(10，20)，其中/n所述第一组件(11)子集被悬挂在相应的所述凹槽(21)的上方而不接触所述目标基板(20)，而且/n所述第二组件(12)子集与所述目标基板(10)的相应的所述突起(25)接触；以及/n在所述第一转移步骤中，将光(L)投射在所述施体基板(10)上的至少所述第一组件布局(A)上，以把所述第一组件(11)子集转移跨越且进入到相应的所述凹槽(21)中，同时所述第二组件(12)子集维持附接到所述施体基板(10)。/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171121 EP 17202786.41.一种用于组件的光诱致选择性转移的方法，所述方法包括：
提供一施体基板(10)，所述施体基板具有分成不同子集的多个组件(11，12，13)，所述子集至少包括
一第一组件(11)子集，在一第一转移步骤期间被选择用于转移并根据一第一组件布局(A)来被布置；以及
一第二组件(12)子集，在所述第一转移步骤期间被选择保留在所述施体基板(10)上并根据一第二组件布局(B)来被布置；
提供一目标基板(20)，所述目标基板包括设置在至少与所述第一组件布局(A)相应的相对位置(A’)处的多个凹槽(21)以及由所述目标基板(20)的非凹槽区域所形成的多个突起(25)，所述突起被设置在至少与所述第二组件布局(B)相应的相对位置(B’)处；
对位所述施体与目标基板(10，20)，其中
所述第一组件(11)子集被悬挂在相应的所述凹槽(21)的上方而不接触所述目标基板(20)，而且
所述第二组件(12)子集与所述目标基板(10)的相应的所述突起(25)接触；以及
在所述第一转移步骤中，将光(L)投射在所述施体基板(10)上的至少所述第一组件布局(A)上，以把所述第一组件(11)子集转移跨越且进入到相应的所述凹槽(21)中，同时所述第二组件(12)子集维持附接到所述施体基板(10)。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二组件(12)子集被选择用以在一第二转移步骤期间中进行转移，其中，所述第二转移步骤与所述第一转移步骤是分隔的，其中，所述第二转移步骤包括利用保留着的所述第二组件(12)子集来将所述施体基板(10)对位于同一或另一目标基板上，该目标基板包括至少设置在相应于所述第二组件布局(B)的相对位置处的凹槽，其中，在所述第二转移步骤中，光(L)被投射在至少所述施体基板上的所述第二组件布局上，以把所述第二组件(12)子集转移跨越且进入到相应的所述凹槽中。


3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，每一个转移步骤由光(L)的一个别脉冲来实现。


4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述施体基板(10)上，所述第一组件(11)子集的多个组件被穿插在所述第二组件(12)子集的多个组件中，其中，所述第二组件(12)子集具有与所述第一组件(11)子集相同的相对位置。


5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述施体基板(10)上，所述第二子集的该组件(12)与所述第一子集的该组件(11)相邻。


6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，进行接触的所述目标基板(20)充当用于所述第二组件(12)子集的一散热器，其中，由所述光(L)所产生热的大于20％的一个分额通过与所述目标基板(20)的接触来消散。


7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述光(L)致使所述第一组件(11)子集被加热到一第一温度(T1)而所述第二组件(12)子集被加热到一第二温度(T2)，其中，所述第二温度(T2)低于所述第一温度(T1)，其中，所述第一温度(T1)高于用于从所述施体基板(10)释放所述第一组件(11)子集的一临界值，并且所述第二温度(T2)低于所述临界值。


8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述凹槽(21)的外部边缘以相对于所述目标基板(20)和/或底部的一表面法线的一角度(θ)而倾斜，其中，所述角度(θ)在十度到八...

【专利技术属性】
技术研发人员：加里·阿鲁季诺夫，罗纳德·斯托特，艾德斯格尔·康斯坦·彼得·斯米茨，
申请(专利权)人：荷兰应用科学研究会TNO，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL