【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】红外装置
本专利技术涉及一种红外装置，并且涉及一种用于制造红外装置的方法。
技术介绍
基于红外辐射的传统气体传感器尺寸大，因此不适于集成到例如移动电子器件中。因此，期望提供一种特别能够用于气体感测应用的小规模红外装置。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种包括基板的红外装置。构造由基板来支撑，即，构造被布置在基板上或基板中。该构造适于发射红外辐射。根据本专利技术的另一方面，提供了一种包括基板的红外装置。构造由基板来支撑，即，构造布置在基板上或基板中。该构造适于吸收红外辐射。为此，该构造包括厚度小于50nm的导电层布置。该导电层布置被布置在介质层之间。该导电层布置可包括一个或多个导电层，而整个布置的厚度被限制为50nm或更小。在优选实施例中，导电层布置的厚度小于40nm，在不同实施例中，其小于30nm，并且在另一实施例中，其小于20nm。在介质层之间形成导电层布置优选地使得导电层布置被夹在介质层之间，即与介质层直接接触。因此，优选地，在导电层布置的上层的顶部上设...
【技术保护点】
1.红外装置，包括：/n基板(1)，以及/n由所述基板(1)支撑的以下各项：/n-构造(3)，用于发射红外辐射，所述构造(3)包括布置在介质层(34，35)之间的厚度为50nm或更小的导电层布置(31)，/n-加热器(7)，被布置为用于加热所述构造(3)，以发射红外辐射。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170928 EP 17193760.01.红外装置，包括：
基板(1)，以及
由所述基板(1)支撑的以下各项：
-构造(3)，用于发射红外辐射，所述构造(3)包括布置在介质层(34，35)之间的厚度为50nm或更小的导电层布置(31)，
-加热器(7)，被布置为用于加热所述构造(3)，以发射红外辐射。
2.根据权利要求1所述的红外装置，包括：
位于所述基板(1)中的凹部(11)，
跨越所述凹部(11)的至少一部分的膜(21)，
其中，所述构造(3)被布置在所述膜(21)上或所述膜(21)中，或者其中，所述膜(21)代表所述构造(3)，以及
其中，所述加热器(7)被布置在所述膜(21)上或所述膜(21)中。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的红外装置，
其中，所述导电层布置(31)是能够在布置于所述基板(1)上的层堆叠(2)中、特别地CMOS层堆叠中得到的层布置，
其中，沿着朝向所述基板(1)的竖直方向，所述导电层布置(31)下面的介质层(34)是所述层堆叠(2)的金属间介质(4)，以及
其中，所述导电层布置(31)是粘合层和扩散屏障中的一个或多个，所述粘合层用于将所述金属间介质(4)粘合到先前去除的层堆叠(2)的金属层(32)，所述扩散屏障用于防止所述金属间介质(4)与先前去除的金属层(32)之间的扩散。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的红外装置，
其中，所述导电层布置(31)包括间隙化合物或由间隙化合物组成，该间隙化合物包括VI至VIII族金属中的一种。
5.根据前述权利要求1至3中的任一项所述的红外装置，
其中，所述导电层布置(31)包括Ti层和TiN层或由Ti层和TiN层组成，
优选地其中，所述Ti层具有范围在1nm至49nm内的厚度，优选范围在4nm与10nm之间的厚度，
优选地其中，所述TiN层具有范围在1nm至49nm内的厚度，优选范围在4nm与20nm之间的厚度。
6.根据前述权利要求1至3中的任一项所述的红外装置，
其中，所述导电层布置(31)包括Ta层和TaN层或由Ta层和TaN层组成。
7.根据前述权利要求1至3中的任一项所述的红外装置，
其中，所述导电层布置(31)包括Al、Cu、Pt、W中的一种的层或由Al、Cu、Pt、W中的一种的层组成。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的红外装置，
其中，沿着远离所述基板(1)的竖直方向，所述导电层布置(31)顶部上的介质层(35)包括钝化层(351)或由钝化层(351)组成，
特别地其中，所述钝化层(351)是氮化硅层或氧化硅层，
特别地其中，所述钝化层(351)具有400nm与800nm之间的厚度。
9.根据权利要求8所述的红外装置，
其中，所述导电层布置(3...
【专利技术属性】
技术研发人员：N·扎克，M·维因格，N·戴克斯，S·拉布，T·于林格，
申请(专利权)人：盛思锐股份公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH
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