一种提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法技术

技术编号:24765147 阅读:39 留言:0更新日期:2020-07-04 11:25
本发明专利技术公开了一种提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法,包括以下步骤:S1:在表面开有矩形开孔的屏蔽体内部插入金属网;S2:把所述金属网的表面阻抗用无限大金属网的表面阻抗进行等效,基于传输线理论,将屏蔽体等效为终端短路的传输线,建立等效解析模型;S3:基于等效解析模型计算在平面波照射下,一系列频率下屏蔽体内部开孔中心轴线上的电磁屏蔽效能。本发明专利技术通过在屏蔽体内部加装金属网,提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能。本技术方案不仅提出了解析模型,对屏蔽体局部区域屏蔽效能的提升效果进行了研究,还对影响屏蔽体内部屏蔽效能的因素进行了分析。

A method to improve electromagnetic shielding effectiveness of shielding body in local area

【技术实现步骤摘要】
一种提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法
本专利技术涉及电磁屏蔽领域,更具体地,涉及一种提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法。
技术介绍
电磁屏蔽是抑制电磁干扰的有效措施。在实际应用中,通常将屏蔽体应用于设备的外壳、高压直流换流阀厅等对电磁环境有要求的场所,以隔离骚扰源和敏感设备,达到电磁屏蔽的目的。完全封闭的屏蔽体具有良好的屏蔽效能,但是在实际应用中,由于散热、通风等以及技术水平的限制,腔体上不可避免的存在着开孔和缝隙,导致屏蔽效能下降,因此,开孔屏蔽体的电磁屏蔽效能问题是电磁兼容领域的研究热点。目前关于开孔屏蔽体电磁屏蔽效能的研究主要集中在屏蔽体中部的屏蔽效能、在屏蔽体开孔表面覆盖屏蔽材料后屏蔽体内部屏蔽效能以及有孔双层屏蔽体内部屏蔽效能的计算。开孔屏蔽体屏蔽效能的计算方法主要有解析理论和数值计算两类,解析理论有已提出的如Bethe小孔耦合和等效电路法等,数值方法适用范围广,计算精度高,得到结果准确,但是计算速度慢、时间长,并且需要专业软件以及配置较高的计算机。已有的提高开孔屏蔽体内部屏蔽效能的方法大都是在开孔上覆盖屏蔽材料或采用有孔双层屏蔽体,利用数值计算、实验或矩量法等方法计算屏蔽体内部屏蔽效能。
技术实现思路
本专利技术提供一种提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法,既能提高屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能又能保留开孔且不影响设备通风、散热的方法。为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案如下:一种提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法,包括以下步骤:S1:在表面开有矩形开孔的屏蔽体内部插入金属网;S2:把所述金属网的表面阻抗用无限大金属网的表面阻抗进行等效,基于传输线理论,将屏蔽体等效为终端短路的传输线,建立等效解析模型;S3:基于等效解析模型计算在平面电磁波照射下,一系列频率下屏蔽体内部开孔中心轴线上的电磁屏蔽效能。优选地,所述屏蔽体的尺寸为a×d×b,厚度为t,所述屏蔽体的矩形开孔的尺寸为w×l,所述金属网的孔直径为a1,金属网的线直径为d1,金属网到开孔面的距离为q,所述开孔面为屏蔽体上开有矩形开孔的表面,观测点距离开孔面的距离为p。优选地,所述金属网将屏蔽体分为外屏蔽体和内屏蔽体,所述外屏蔽体为开孔面与金属网之间的屏蔽体部分,所述内屏蔽体为金属网与屏蔽体背板之间的屏蔽体部分,所述屏蔽体背板为与开孔面相对的面。优选地,步骤S2中把所述金属网的表面阻抗用无限大金属网的表面阻抗进行等效,具体为:式中,表示真空中磁导率,Zs为金属网的等效表面阻抗,ω为平面电磁波角频率,σ、μ分别为金属网的电导率和磁导率,τw是金属网材料的扩散时间,I0和I1为不同的第一类修正贝塞尔函数,所述第一类修正贝塞尔函数为当变量为纯虚数时的贝塞尔函数,,为自然常数,为金属网的电阻,为金属网的电抗。优选地,步骤S2中基于传输线理论,将屏蔽体等效为终端短路的传输线,具体为:把开孔等效为两段并联的共面传输线,传输线长度为l/2,且终端短路,其等效阻抗为Zap,然后将屏蔽体等效为一段终端短路的传输线,对于屏蔽体内部插入的金属网,可以用金属网的表面阻抗Zs表示。优选地,所述观测点可在内屏蔽体或外屏蔽体。优选地,步骤S2中建立等效解析模型,当观测点在内屏蔽体时,具体为:外屏蔽体孔缝处的阻抗可表示为:式中,表示传输线特性阻抗,表示孔缝等效宽度,表示真空中平面电磁波波数,所述波数为波长的倒数;故外屏蔽体孔缝处的等效电压源和等效阻抗分别为:式中,采用等效电路的方法,将入射波等效为内阻等于真空波阻抗的电压源,真空波阻抗=377Ω,电压源为入射波的等效电压源;波矢量为k的入射波沿y轴正向入射,极化方向为z轴正向,其中,y轴正向指开孔面指向屏蔽体背面的方向,z轴正向指平行于开孔面且垂直屏蔽体底面向上的方向;假设屏蔽体内的主要传播模式为TE10模式,故屏蔽体的特征阻抗为,传播常数为,其中,为入射波波长;从金属网看向电路首端的等效电压源和等效阻抗为:外屏蔽体的终端阻抗Z3为外屏蔽体的等效阻抗与金属网表面阻抗的并联,即,该点的电压为;将内屏蔽体等效为终端短路的传输线,那么从观测点P处看向电路首端的等效电压源和等效阻抗为:从观测点P向短路终端看过去的输入阻抗为:由此可得P点的电压为,电流为。优选地,步骤S3中计算屏蔽体内部开孔中心轴线上的电磁屏蔽效能,具体为:当屏蔽体不存在时,从P点看向电路终端的负载为Z0,此时P点的电压为,电流为,由此可以给出P点的电场屏蔽效能和磁场屏蔽效能:。优选地,步骤S2中建立等效解析模型,当观测点在外屏蔽体时,具体为:外屏蔽体孔缝处的阻抗可表示为:故外屏蔽体孔缝处的等效电压源和等效阻抗分别为:波矢量为k的入射波沿y轴正向入射,极化方向为z轴正向,其中,y轴正向指开孔面指向屏蔽体背面的方向,z轴正向指平行于开孔面且垂直屏蔽体底面向上的方向;假设屏蔽体内的主要传播模式为TE10模式,故屏蔽体的特征阻抗为,传播常数为,其中,为入射波波长;从观测点P处看向电路首端的等效电压源和等效阻抗为:从金属网看向电路终端的阻抗为:P点的电压为,电流为。优选地,P点的电场屏蔽效能和磁场屏蔽效能:。与现有技术相比,本专利技术技术方案的有益效果是:本专利技术通过在屏蔽体内部加装金属网,提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能。本技术方案不仅提出了解析模型,对屏蔽体局部区域屏蔽效能的提升效果进行了研究,还对影响屏蔽体内部屏蔽效能的因素进行了分析。本专利技术提出的模型物理意义清晰、易于实施、运算效率高,不仅对提升屏蔽体局部区域屏蔽效能的研究具有一定意义,还对研究屏蔽体内部屏蔽效能具有指导意义。本专利技术在不影响屏蔽体散热、通风的同时,提升了屏蔽体局部区域的电磁屏蔽效能,在工程应用中具有实在意义。附图说明图1为本专利技术的方法流程示意图。图2为观测点在内屏蔽体时屏蔽体的结构示意图。图3为观测点在内屏蔽体时等效电路图。图4为观测点在外屏蔽体时屏蔽体的结构示意图。图5为观测点在外屏蔽体时等效电路图。图6为p=150mm时,电场屏蔽效能随频率的变化示意图。图7为p=150mm时,磁场屏蔽效能随频率的变化示意图。图8为f=1000MHz电场屏蔽效能随观测点的变化示意图。图9为f=1000MHz磁场屏蔽效能随观测点的变化示意图。图10为f=1000MHz,金属网插入位置不同时,电场屏蔽效能随观测点的变化示意图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1:在表面开有矩形开孔的屏蔽体内部插入金属网;/nS2:把所述金属网的表面阻抗用无限大金属网的表面阻抗进行等效,基于传输线理论,将屏蔽体等效为终端短路的传输线,建立等效解析模型;/nS3:基于等效解析模型计算在平面电磁波照射下,一系列频率下屏蔽体内部开孔中心轴线上的电磁屏蔽效能。/n

【技术特征摘要】
1.一种提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在表面开有矩形开孔的屏蔽体内部插入金属网;
S2:把所述金属网的表面阻抗用无限大金属网的表面阻抗进行等效,基于传输线理论,将屏蔽体等效为终端短路的传输线,建立等效解析模型;
S3:基于等效解析模型计算在平面电磁波照射下,一系列频率下屏蔽体内部开孔中心轴线上的电磁屏蔽效能。


2.根据权利要求1所述的提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法,其特征在于,所述屏蔽体的尺寸为a×d×b,厚度为t,所述屏蔽体的矩形开孔的尺寸为w×l,所述金属网的孔直径为a1,金属网的线直径为d1,金属网到开孔面的距离为q,所述开孔面为屏蔽体上开有矩形开孔的表面,观测点距离开孔面的距离为p。


3.根据权利要求2所述的提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法,其特征在于,所述金属网将屏蔽体分为外屏蔽体和内屏蔽体,所述外屏蔽体为开孔面与金属网之间的屏蔽体部分,所述内屏蔽体为金属网与屏蔽体背板之间的屏蔽体部分,所述屏蔽体背板为与开孔面相对的面。


4.根据权利要求3所述的提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法,其特征在于,步骤S2中把所述金属网的表面阻抗用无限大金属网的表面阻抗进行等效,具体为:












式中,表示真空中磁导率,Zs为金属网的等效表面阻抗,为平面电磁波角频率,分别为金属网的电导率和磁导率,是金属网的材料的扩散时间,I0和I1为第一
类修正贝塞尔函数,,为自然常数,为金属网的电阻,为金属网的电抗。


5.根据权利要求4所述的提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法,其特征在于,步骤S2中基于传输线理论,将屏蔽体等效为终端短路的传输线,具体为:
把开孔等效为两段并联的共面传输线,传输线长度为l/2,且终端短路,其等效阻抗为Zap,然后将屏蔽体等效为一段终端短路的传输线,对于屏蔽体内部插入的金属网,用金属网的表面阻抗Zs表示。


6.根据权利要求5所述的提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法,其特征在于,所述观测点可在内屏蔽体或外屏蔽体。


7.根据权利要求6所述的提升屏蔽体局部区域电磁屏蔽效能的方法,其特征在于,步骤S2中建立等效解析模型,当观测点在内屏蔽体时,具体为:
外屏蔽体孔缝处的阻抗可表示为:









式中,表示传输线特性阻抗,表示孔缝等效宽度,表示真空中电磁波波数,
所述波数...

【专利技术属性】
技术研发人员:何日陈超雄邓建峰谭志保罗春风钟永严司玮罗志文范伟成刘玲谭志聪王志洋柳云刚
申请(专利权)人:广东电网有限责任公司佛山供电局
类型:发明
国别省市:广东;44

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