一种矢量合成移相器和矢量合成移相方法技术

一种矢量合成移相器和矢量合成移相方法。包括：通过第一电流源对第一基准输入激励进行调节后，经过第一矢量方向控制电路后确定矢量方向，输出至第一栅宽控制电路，经过第一栅宽控制电路的调节后，生成第一输出信号；通过第二电流源对第二基准输入激励进行调节后；经过第二矢量方向控制电路后确定矢量方向，输出至第二栅宽控制电路，经过第二栅宽控制电路的调节后，生成第一输出信号；对所述第一输出信号和所述第二输出信号进行矢量合成。本申请能够在保证移相器增益恒定的同时，大幅降低矢量合成器功耗，同时减小了相移值对于电路失配的敏感度，提高了移相器的移相精度。

A vector synthesis phase shifter and its method

【技术实现步骤摘要】
一种矢量合成移相器和矢量合成移相方法
本专利技术涉及无源移相器领域，尤其涉及一种矢量合成移相器和矢量合成移相方法。
技术介绍
相控阵技术具有波束赋形，波束扫描的能力，可以显著提高无线通信系统的信噪比和灵敏度，降低对系统中单个通道的功率和噪声要求，相控阵技术以其优异的特性在军事和微波毫米波信号传输中有广泛的应用，并且已经成为5G毫米波通信的关键技术。如图1所示为典型的相控阵系统原理框图，通过不同通道的可控相位差可以改变波束指向，并进行有效的波束合成。其中根据通道相位差的实现方式分为射频移相，本振移相，中频移相和数字移相等实现方式。数字移相在纯数字域实现，对于数字处理的速度和处理算法要求较高，在高速通信中实现起来相对困难，目前主流的移相方式还是模拟域移相+数字域移相的混合移相方式。模拟域移相(射频移相，本振移相，中频移相)中的重点和难点是移相器的实现。目前常见的移相器实现方式主要分为无源移相器和有源矢量合成。无源移相器主要缺点有差损大，面积大，带宽小。而采用矢量合成原理的有源移相器主要利用有源器件的放大特性将不同大小的正交信号叠加来获得所需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种矢量合成移相器，其特征在于，包括：第一矢量合成支路、第二矢量合成支路和合成器，所述第一矢量合成支路的输入端、所述第二矢量合成支路的输入端分别连接于第一基准输入激励和第二基准输入激励，所述第一矢量合成支路的输出端与所述第二矢量合成支路的输出端连接合成器；/n所述第一矢量合成支路包括：第一电流源、第一矢量方向控制电路和第一栅宽控制电路；/n所述第一基准输入激励经过所述第一电流源的调节后，经过第一矢量方向控制电路后确定矢量方向，输出至第一栅宽控制电路，经过第一栅宽控制电路的调节后，输出至合成器；/n所述第二矢量合成支路包括：第二电流源、第二矢量方向控制电路和第二栅宽控制电路；/n所述第二基准...

【技术特征摘要】
1.一种矢量合成移相器，其特征在于，包括：第一矢量合成支路、第二矢量合成支路和合成器，所述第一矢量合成支路的输入端、所述第二矢量合成支路的输入端分别连接于第一基准输入激励和第二基准输入激励，所述第一矢量合成支路的输出端与所述第二矢量合成支路的输出端连接合成器；
所述第一矢量合成支路包括：第一电流源、第一矢量方向控制电路和第一栅宽控制电路；
所述第一基准输入激励经过所述第一电流源的调节后，经过第一矢量方向控制电路后确定矢量方向，输出至第一栅宽控制电路，经过第一栅宽控制电路的调节后，输出至合成器；
所述第二矢量合成支路包括：第二电流源、第二矢量方向控制电路和第二栅宽控制电路；
所述第二基准输入激励经过所述第二电流源的调节后，经过第二矢量方向控制电路后确定矢量方向，输出至第二栅宽控制电路，经过第二栅宽控制电路的调节后，输出至合成器；
所述合成器，对所述第一矢量合成支路的输出信号和所述第二矢量合成支路的输出信号进行矢量合成。


2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一矢量方向控制电路包括：两个控制开关，所述两个控制开关在所述移相器工作时有且只有一个开关闭合，所述第二矢量方向控制电路包括：两个控制开关，所述两个控制开关在所述移相器工作时有且只有一个开关闭合。


3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一基准输入激励与所述第二基准输入激励正交。


4.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电流源包括多个电流输出电路，所述多个电流输出电路的电流值相同或者不同，通过一个或者多个电流输出电路作为电流源输出电流；所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾成伟，
申请(专利权)人：深圳市中兴微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44