【技术实现步骤摘要】
一种具有过流限制功能的设备及其构建方法
本专利技术涉及半导体领域,并且特别涉及一种具有过流限制功能的设备及其构建方法,和一种具有过流限制功能的电路或电路结构及其构建方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是家用电器,工业,可再生能源,UPS,铁路,电机驱动、电动汽车(EV)和混合动力电动汽车(HEV)应用等电力电子应用中使用最广泛的功率器件。由于存在双极结型晶体管,具有非常高的电流处理能力。在其结构中,大约数百安培,阻断电压为6500V,从而IGBT可以控制数百千瓦的负载,可用于许多应用。IGBT特别适用于失效工作周期,低频,高电压和负载变化,可用于机车,电动汽车和混合动力汽车。太阳能和风能等可再生能源领域的增长导致需求增加。大功率IGBT用于风力涡轮机的电动机是变速型的,并且需要使用高功率IGBT来提高效率。随着发展中国家基础设施活动的增长,对高压机械的需求预计将增长,从而推动市场对高功率IGBT的需求。电动汽车和混合动力电动汽车中的IGBT应用包括它们在 ...
【技术保护点】
1.一种具有过流限制功能的设备,所述设备适用于绝缘栅双极型晶体管IGBT,并且所述设备包括:控制器、比较器、过流限制二级管、过流限制三级管、电流镜检测IGBT、第一检测电阻、第二检测电阻、第一温度补偿二极管以及第二温度补偿二极管;/n所述电流镜检测IGBT的发射极一方面连接参考电压端,另一方面连接所述过流限制三级管的基极;/n所述过流限制三级管的基极通过依次连接的所述第一温度补偿二极管、第一检测电阻、第二温度补偿二极管及第二检测电阻连接所述参考电压端;所述过流限制三级管的集电极通过所述过流限制二级管连接所述电流镜检测IGBT的基极;所述过流限制三级管的发射极连接所述参考电压 ...
【技术特征摘要】
1.一种具有过流限制功能的设备,所述设备适用于绝缘栅双极型晶体管IGBT,并且所述设备包括:控制器、比较器、过流限制二级管、过流限制三级管、电流镜检测IGBT、第一检测电阻、第二检测电阻、第一温度补偿二极管以及第二温度补偿二极管;
所述电流镜检测IGBT的发射极一方面连接参考电压端,另一方面连接所述过流限制三级管的基极;
所述过流限制三级管的基极通过依次连接的所述第一温度补偿二极管、第一检测电阻、第二温度补偿二极管及第二检测电阻连接所述参考电压端;所述过流限制三级管的集电极通过所述过流限制二级管连接所述电流镜检测IGBT的基极;所述过流限制三级管的发射极连接所述参考电压端;
所述比较器的正输入端连接所述第一检测电阻与所述第二温度补偿二极管之间的连接点;所述比较器的负输入端连接所述参考电压端;
所述比较器的输出端连接所述控制器的输入端,所述控制器的输出端连接所述电流镜检测IGBT的基极。
2.如权利要求1所述的设备,所述过流限制二级管为齐纳二极管。
3.如权利要求2所述的设备,所述电流镜检测IGBT由数万个并联连接的小电池组成。
4.如权利要求1-3中任一项所述的设备,所述比较器的负输入端连接参考电压源的正极,所述参考电压源的负极连接所述参考电压端。
5.如权利要求4所述的设备,所述第一温度补偿二极管、以及第二温度补偿二极管的温度系数为-1.8mV/℃,所述第一检测电阻及第二检测电阻感应电阻的温度系数为+1.5mV/℃。
6.如权利要求2所述的设备,所述齐纳二极管的击穿电压设置为10~12V。
7.一种构建具有过流限制功...
【专利技术属性】
技术研发人员:樱井建弥,吴磊,
申请(专利权)人:上海新微技术研发中心有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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