【技术实现步骤摘要】
一种基于光电型薄膜芯片的电气火灾监测系统
本专利技术涉及一种电气火灾监测系统，具体是指一种基于光电型薄膜芯片的电气火灾监测系统及其制作方法。技术背景有效的检测火灾，使得火灾初始阶段被发现，对后续工作有绝对的优势，目前的紫外探测器，灵敏度低，易受阳光干扰，造成火灾报警不及时。因此，研究开发一种能准确、有效地探测到电火花信号，在第一时间发现火灾源头，防范于未“燃”的远程火灾监测报警系统是当下安防领域所迫切需要的。为了避免太阳光的干扰，市场上的常用紫外探测器需要增加滤波器，排除太阳光的影响来降低误报率，这些附件一般体积大，易碎价格贵，增加了探测器的复杂程度和制造成本，也使得探测器的适用范围大为缩小。因此，低成本、高便捷和小型化的日盲型紫外探测器是未来电气火灾防御的重要研究方向。Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料，带隙约为4.9eV(对应的波长为254nm)，具有极高的热稳定性和化学稳定性，可以工作在恶劣环境，是一种非常有前景的深紫外日盲探测材料。用这类器件制作的日盲紫外探测器可以检测电火花中存在，而太阳光中不存在的...
【技术保护点】
1.一种基于光电型薄膜芯片的电气火灾监测系统，其特征在于由α-Ga
【技术特征摘要】
1.一种基于光电型薄膜芯片的电气火灾监测系统，其特征在于由α-Ga2O3/β-Ga2O3相结薄膜芯片、电火花光电探测外围电路、蜂鸣器以及网络通讯模块组成；所述的α-Ga2O3/β-Ga2O3相结薄膜芯片，包括α-Ga2O3薄膜、β-Ga2O3薄膜、Ti/Au薄膜电极以及蓝宝石衬底，其中α-Ga2O3薄膜在β-Ga2O3薄膜的上方，厚度为200-300nm，β-Ga2O3薄膜的厚度为200-300nm，并形成α-Ga2O3/β-Ga2O3相结薄膜芯片，蓝宝石衬底作为制备β-Ga2O3薄膜的衬底，所述的α-Ga2O3薄膜面积为β-Ga2O3薄膜面积的一半，所述的Ti/Au薄膜电极位于α-Ga2O3薄膜和β-Ga2O3薄膜表面，形状为边长2.0毫米的正方形，Ti薄膜电极厚度为20-30nm，Au薄膜电极在Ti薄膜电极的上方，厚度为60-90nm；
所述基于光电型薄膜芯片的电气火灾监测系统的制作方法具有如下步骤：一、α-Ga2O3/β-Ga2O3相结薄膜芯片的制备：
将蓝宝石衬底放入V(HF):V(H2O2)＝l:5的溶液中浸泡以去除自然氧化层，然后用丙酮、乙醇和去离子水分别超声清洗，并真空干燥；把Ga2O3靶材放置在磁控溅射系统的靶台位置，将上述处理后的蓝宝石衬底固定在样品托上，放进真空腔；先将腔体抽真空，通入氩气和氧气，调整真空腔内的压强，加热蓝宝石衬底，打开靶材挡板，生长β-Ga2O3薄膜，待薄膜生长完毕，通入氧气，调整真空腔内的压强，对所得β-Ga...
【专利技术属性】
技术研发人员：王顺利，蒋丰章，
申请(专利权)人：浙江万芯集成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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