【技术实现步骤摘要】
一种强辐射场的辐照剂量率测量系统和方法
本专利技术涉及辐射场探测
，特别是涉及一种强辐射场的辐照剂量率测量系统和方法。
技术介绍
在进行辐照实验和辐照加工时，通常采用强辐射放射源，如钴-60辐照室，剂量率通常大于50Gy/h。目前，用于测量高剂量率的探测器种类单一，国内外现有高剂量率探测器成熟产品主要采用电离室探测技术。电离室探头是基于放射源对电离室中的分子进行照射电离，产生电离子，基于该电离子产生模拟信号，该模拟信号需要用专用线缆传输至数据处理设备，对环境适应性差；并且该专用线缆在放射源的照射下，不可避免的会对专用线缆中传输的模拟信号产生影响。另外，电离室探头造价昂贵，无法批量生产，受污染或损坏后将增大探测成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一组强辐射场的辐照剂量率测量系统及方法，有利于降低强辐射场测量的成本。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种强辐射场的辐照剂量率测量系统，包括：设于辐射区域内，用于接收放射源的辐照，并输出相应的像素特征信号的CMOS传感器；设于...
【技术保护点】
1.一种强辐射场的辐照剂量率测量系统，其特征在于，包括：/n设于辐射区域内，用于接收放射源的辐照，并输出相应的像素特征信号的CMOS传感器；/n设于所述辐射区域内，用于设置所述CMOS传感器，并将所述像素特征信号转换输出的线路板；/n设于非辐射区域内，和所述线路板通过线缆连接，用于通过所述线路板获得所述像素特征信号，并根据所述像素特征信号和辐照剂量率之间的关联关系获得辐照剂量率的处理器。/n
【技术特征摘要】
1.一种强辐射场的辐照剂量率测量系统，其特征在于，包括：
设于辐射区域内，用于接收放射源的辐照，并输出相应的像素特征信号的CMOS传感器；
设于所述辐射区域内，用于设置所述CMOS传感器，并将所述像素特征信号转换输出的线路板；
设于非辐射区域内，和所述线路板通过线缆连接，用于通过所述线路板获得所述像素特征信号，并根据所述像素特征信号和辐照剂量率之间的关联关系获得辐照剂量率的处理器。
2.如权利要求1所述的强辐射场的辐照剂量率测量系统，其特征在于，还包括和所述处理器相连接的驱动装置；
所述处理器用于控制所述驱动装置驱动所述CMOS传感器相对于所述放射源移动，获得所述CMOS传感器和所述放射源相距不同距离时对应的像素特征信号。
3.如权利要求1所述的强辐射场的辐照剂量率测量系统，其特征在于，所述CMOS传感器为积分时间和增益可调的传感器；
所述像素信号和辐照剂量率之间的关联关系为在所述CMOS传感器当前积分时间和当前增益条件下所述像素信号和所述辐照剂量率之间的关联关系。
4.如权利要求1所述的强辐射场的辐照剂量率测量系统，其特征在于，还包括金属屏蔽腔体；
所述线路板和所述CMOS传感器设置在所述金属屏蔽腔体内；
所述金属屏蔽腔体贴合所述CMOS传感器的腔壁设置有辐照窗口，所述CMOS传感器可通过所述辐照窗口接收所述放射源的辐照；
所述金属屏蔽腔体贴合所述线路板表面的腔壁设置有多个散热孔。
5.如权利要求1至4任一项所述的强辐射场的辐照剂量率测量系统，其特征在于，所述CMOS传感器为黑白CMOS传感器。
6.一种强辐射场的辐照剂量率测量方法，其特征在于，包括：
通过线缆接收线路板发送的在CMOS传感器被放射源辐照时生成的像素特征信号；
根据预先获得的像素特征信号和辐照剂量率之间的关联关系，和所述像素特征信号，确定通过所述CMOS传感器测得的放射源的辐照剂量率。
7.如权利要求6所述的强辐射场的辐照剂量率测量方法，其特征在于，获得CMOS传感器在接收放射源辐照生成的像素特征信号，包括：
控制驱动装置驱动所述CMOS传感器相对于所述放射源移动；
获得所述CMOS传感器相距所述放射源在不同距离处，...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐守龙，韩永超，邹树梁，吴其反，邓骞，徐玲，
申请(专利权)人：南华大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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