一种SiOC雷达型吸波材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种SiOC雷达型吸波材料的制备方法，包括：将聚甲基倍半硅氧烷、甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷和无水溶剂加入反应容器中，室温下搅拌至完全溶解后，加入去离子水和浓盐酸，继续搅拌反应，得到透明溶液；将透明溶液减压蒸馏，得到透明的聚氧硅烷树脂；在聚氧硅烷树脂中加入多官能团活性稀释剂，搅拌后将光引发剂加入反应，制得用于直写成型的聚氧硅烷树脂；将用于直写成型的聚硅氧烷树脂置于直写成型装置的料筒中，挤出并逐层叠加，在浆料沉积平台上增加UV光固化辅助，直至完成整个三维结构的增材制造；将三维结构在高温下煅烧，制得具有雷达吸波性能的SiOC陶瓷材料。本发明专利技术具有制造效率高、成本低、后处理简单的优点。

Preparation of SiOC radar absorbing material

【技术实现步骤摘要】
一种SiOC雷达型吸波材料的制备方法
本专利技术涉及吸波材料的制备方法，具体涉及一种SiOC雷达型吸波材料的制备方法。
技术介绍
雷达吸波材料能够吸收并损耗X波段(8.2～12.4GHz)的电磁波，实现减少目标雷达散射截面的目的，是赋予目标雷达隐身功能的一种功能材料。吸波材料的设计原则是当电磁波通过空气入射到吸波材料界面上时，要使入射电磁波不被材料表面反射而最大限度的进入材料内部，必须使材料满足与空气的阻抗匹配原则。当电磁波进入吸波材料内部后，材料应具备高的电磁波损耗能力，即满足对电磁波的衰减原则。在实际应用中，尤其是在高温环境(高于居里温度)使用吸波材料时，材料介电损耗的提高是与阻抗匹配原则互相矛盾，故需要设计吸波材料的结构使其介电常数同时满足阻抗匹配原则和衰减原则。此外，吸波材料还需要满足隐身技术对材料的四个综合要求。即材料厚度尽可能薄、吸波频带尽可能宽、密度尽可能低、具有优异的热机械性能和高温稳定性。可以看出，从材料宏观结构设计的角度来所，多孔材料同时满足了阻抗匹配和衰减原则，而且具有较低的介电常数和材料密度，容易满足以上对吸波材料的各类本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiOC雷达型吸波材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一、将聚甲基倍半硅氧烷、甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷和无水溶剂按一定比例加入反应容器中，室温下搅拌至完全溶解后，加入一定量的去离子水和浓盐酸，继续搅拌反应10～15h，得到透明溶液；/n步骤二、将步骤一的透明溶液减压蒸馏，得到透明的聚氧硅烷树脂；/n步骤三、在步骤二得到的聚氧硅烷树脂中加入多官能团活性稀释剂，搅拌6～10h，搅拌后将光引发剂加入，待光引发剂完全溶解并均匀分散至整个体系后，制得用于直写成型的聚氧硅烷树脂；/n步骤四、将步骤三得到的用于直写成型的聚硅氧烷树脂置于直写成型装置的料筒中后装入打印机增压器，调节气...

【技术特征摘要】
1.一种SiOC雷达型吸波材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将聚甲基倍半硅氧烷、甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷和无水溶剂按一定比例加入反应容器中，室温下搅拌至完全溶解后，加入一定量的去离子水和浓盐酸，继续搅拌反应10～15h，得到透明溶液；
步骤二、将步骤一的透明溶液减压蒸馏，得到透明的聚氧硅烷树脂；
步骤三、在步骤二得到的聚氧硅烷树脂中加入多官能团活性稀释剂，搅拌6～10h，搅拌后将光引发剂加入，待光引发剂完全溶解并均匀分散至整个体系后，制得用于直写成型的聚氧硅烷树脂；
步骤四、将步骤三得到的用于直写成型的聚硅氧烷树脂置于直写成型装置的料筒中后装入打印机增压器，调节气压控制挤出速率，挤出并逐层叠加，其中，挤出并逐层叠加的温度为15-30℃，气压为15～50PSI，挤出速率为1～10mm/s，挤出采用0.1～0.5mm金属针头，在浆料沉积平台上增加UV光固化辅助，UV光固化的点光源为紫外光，405nm波长，双光斑，强度95mW/m2，直至完成整个三维结构的增材制造；
步骤五、将步骤四所得的三维结构在高温下煅烧，制得具有雷达吸波性能的SiOC陶瓷材料。


2.如权利要求1所述的SiOC雷达型吸波材料的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，无水溶剂为四氢呋喃、1,4-二氧六环、乙二醇二甲醚中的一种或多种。


3.如权利要求1所述的SiOC雷达型吸波材料的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，聚甲基倍半硅氧烷与甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷的质量比为4:1，并采用无水溶剂配制成1g/mL的溶液；所述浓盐酸和去离子水的质量分别为甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷的2％和1％。

【专利技术属性】
技术研发人员：李婧，卫来，李波，张帅，李洁，刘一杨，尹强，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心，
类型：发明
国别省市：四川;51