氧同位素靶的制备方法技术

本发明专利技术属于靶材制备技术领域，公开了氧同位素靶的制备方法。该方法包括：将气体状态的氧气同位素

Preparation of oxygen isotope target

【技术实现步骤摘要】
氧同位素靶的制备方法
本专利技术属于靶材制备
，具体涉及氧同位素靶的制备方法。
技术介绍
O在自然界中有三种同位素，分别为16O、17O和18O，它们在自然界中的丰度分别为99.762％、0.038％和0.2％，由于17O和18O在自然界中的丰度极低，因此浓缩的高丰度(99％以上)17O和18O材料非常昂贵。17O和18O在核物理学研究上具有重要的意义，核物理科学工作者研究17O和18O的相关核反应特性时往往需要固体状态17O和18O靶材。目前商业渠道只能从国外买到气体状态的17O2和18O2，如何将气体状态的17O2或18O2制备成物理实验所需的固体17O或18O靶是目前亟待解决的一个难题。
技术实现思路
(一)专利技术目的根据现有技术所存在的问题，本专利技术提出了一种16O含量低、材料利用率高、制备成本低、产品成功率高且制备方法简单的氧同位素靶的制备方法。(二)技术方案为了解决现有技术所存在的问题，本专利技术所提供的技术方案如下：氧同位素靶的制备方法，该方法包括：将气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.氧同位素靶的制备方法，其特征在于，该方法包括：/n将气体状态的氧气同位素

【技术特征摘要】
1.氧同位素靶的制备方法，其特征在于，该方法包括：
将气体状态的氧气同位素17O2或18O2与钨粉发生氧化还原反应生成粉状W17O3或W18O3；
将得到的粉状W17O3或W18O3利用物理气相沉积法制备成W17O3或W18O3靶材。


2.根据权利要求1所述的氧同位素靶的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)钨粉脱氧处理；
(2)钨粉与气体状态的17O2或18O2反应生成粉末状W17O3或W18O3；
(3)将步骤(2)得到的粉末状W17O3或W18O3压制成片状；
(4)将步骤(3)得到的片状W17O3或W18O3放入物理气相沉积设备中，将所需厚度的W17O3或W18O3蒸发并沉积在碳基衬上。


3.根据权利要求2所述的氧同位素靶的制备方法，其特征在于，所述脱氧处理是利用氢气将表面氧化的钨粉还原成W，具体反应式为WO3+3H2→W+3H2O。


4.根据权利要求2或3所述的氧同位素靶的制备方法，其特征在于，所述脱氧处理的反应分为两个阶段，第一个阶段是600～700℃下将WO3还原成WO2，该阶段持续8～12min；第二阶段在800～900℃下将WO2还原成W，该阶段持续13～17min。


5.根据权利要求2所述的氧同位素靶的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的反应是在真空条件下进行，真空度低于3×10-4Pa；反应容器为石英管，反应温度为350～450℃，...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊启文，孟波，王华，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11