【技术实现步骤摘要】
一种复合材料及其制备方法
本专利技术涉及量子点复合材料领域，尤其涉及光催化材料。
技术介绍
氢能是最受瞩目的清洁和无碳能源，被视为化石燃料理想的替代品，但是现有的工业技术不适于生产燃料用途的氢气。利用光催化技术将太阳能转化为氢气被认为是最具前景的制氢途径之一，有望从根本上解决能源短缺及环境污染问题。光催化反应就是利用半导体的结构特性将太阳能转换成高能量密度的化学能并且储存在化学键里的反应过程。半导体材料具有不连续的能带结构，即包含能量高的空的导带（CB）和能量低的满的价带（VB）。而导带底端和价带顶端的能量带隙被称为禁带，禁带宽度用Eg表示，价带上的电子不稳定，当半导体受到能量大于其禁带宽度的光的照射时，价带电子吸收能量跃迁到导带，在价带上留下光生空穴（h+）。导带上的光生电子具有强还原性，可以将H+离子还原成H2，价带上的光生空穴具有强氧化性，可以将水氧化成O2。半导体光催化水分解产氢的关键在于选择适宜的光催化剂。然而，早期的光催化剂如TiO2等大多为紫外光响应的（紫外光占太阳光能量的5%，可见光占太阳光能...
【技术保护点】
1.一种复合材料，其特征在于，包括：CdS纳米片，所述CdS纳米片表面结合有量子点和L-半胱氨酸。/n
【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，包括：CdS纳米片，所述CdS纳米片表面结合有量子点和L-半胱氨酸。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述量子点的电导率为10-2-10-3Scm-1；和/或，
所述CdS纳米片的厚度为1-10nm。
3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述量子点选自WS2量子点、MoS2量子点和碳量子点中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述CdS纳米片的厚度为2.5-4nm；和/或，
所述CdS纳米片的横向尺寸为200-300nm。
5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述量子点与所述CdS纳米片的质量比为7:93-15:85。
6.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料用作产氢用光催化剂。
7.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一CdS纳米片；
在碱性条件下，将所述第一CdS纳米片与L-半胱氨酸混合，进行超声剥离得到表面结合有L-半胱氨酸的第二CdS纳米片；...
【专利技术属性】
技术研发人员：马松，黎瑞锋，钱磊，曹蔚然，刘文勇，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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