一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路制造技术

技术编号:24736970 阅读:107 留言:0更新日期:2020-07-01 01:04
本实用新型专利技术公开了一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路,包括滤波模块、RCD吸收模块、变压器、脉冲开关、整流模块、储能模块。滤波模块接收低电压的直流电;滤波模块、RCD吸收模块、变压器、整流模块、储能模块顺次连接;脉冲开关与变压器相连接。通过滤波模块对接收的低压直流电进行滤波,消除毛刺信号的影响;脉冲开关通过脉冲驱动信号,控制变压器的通断;RCD吸收模块吸收变压器的自感电势,有效保护脉冲开关;变压器将低压直流电转化为高压交流电,经过整流模块、储能模块的整流和进一步升压,从而输出稳定、可靠的高压直流电,本实用新型专利技术实现简单、成本低,易于批量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路
本技术涉及电子
,尤其涉及一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路。
技术介绍
随着经济的发展,人民生活水平的提高,人们开始越来越关注自身的美丽。尤其对于女性而言,她们比较关注自身皮肤的光泽,这是因为女性天性爱美,而皮肤的光泽常常是美丽的重要标准之一。在生活中,很多人通常都会选择褪去皮肤中的毛发以使自己的皮肤白皙、靓丽、富有光泽。IPL(IntensePulsedLight)被称为强脉冲光,也称为彩光、复合光、强光,是一种有特殊波长的宽谱可视光,IPL是强脉冲光的缩写,光子脱毛能够穿透表皮,在真皮内被毛囊吸收,产生热能,将毛囊破坏,光子脱毛得到永久脱毛的效果。同时它能使真皮层的胶原纤维和弹力纤维内部产生分子结构的化学变化,促进皮肤胶原再生及重新排列。IPL光子脱毛的技术是在光子脱毛的同时可恢复皮肤原有弹性、消除或减轻皱纹、缩小毛孔。改善肤质,肤色,收紧皮肤。有解决如轻度毛周角化,肤色不均等较轻的皮肤问题的作用。IPL光子脱毛的一大优点是光斑大,达5平方厘米,故脱毛速度很快,轻微疼痛。IPL光子脱毛轻松去除体毛和单一波长的激光脱毛术相比,强脉冲光热脱毛术是采用特定的多波长光波进行照射治疗,经过光热强脉冲光照射之后,毛发在短期时间内生长延缓甚至完全停止,从而获得永久性脱毛的目的。然而,如何将低直流电压转化成高直流电压,为IPL光子脱毛仪提供稳定的高直流电压是本领域亟需解决的问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本技术提出了一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路。为了实现上述目的,本技术技术方案如下:一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路,包括滤波模块、RCD吸收模块、变压器、脉冲开关、整流模块、储能模块。滤波模块接收低电压的直流电;滤波模块、RCD吸收模块、变压器、整流模块、储能模块顺次连接;脉冲开关与变压器相连接。滤波模块包含电容C3、C26、C28;RCD吸收模块的输入端通过电容C3接地;电容C3、C26和C28相并联。RCD吸收模块包含电容C13、二极管D1、电阻R28;电容C13并联在变压器的初级绕组上;电阻R28与二极管D1串联后与电容C13并联。整流模块包含二极管D7;变压器的次级绕组与二极管D7的输入端相连接;二极管D7的输出端与储能模块的输入端相连接。储能模块包含电容C8;二极管D7的输出端通过电容C8接地。可选地,脉冲开关包含N型MOS管Q1、功率因数校正芯片U5、电容C7、C11、C12、电阻R1、R4、R5、R7、R27、R9、R11、R23、R24、R26。功率因数校正芯片U5的型号为L6562D。储能模块顺次通过电阻R4、R5、R7、R27接地;电阻R7和电阻R27的公共节点与功率因数校正芯片U5的反相误差放大输入引脚相连接。变压器的次级绕组顺次通过电阻R9、R11、R23与功率因数校正芯片U5的电流检测引脚相连接。电容C11接在功率因数校正芯片U5的反相误差放大输入引脚和误差放大输出引脚之间。滤波模块顺次通过电阻R26、R24接地;电容C7与电阻R24相互并联;电阻R26和电阻R24的公共节点与功率因数校正芯片U5的乘法器输入引脚相连接。滤波模块还通过电容C12接地;滤波模块和电容C12的公共节点与功率因数校正芯片U5的电源引脚相连接。N型MOS管Q1的漏极D与变压器的初级绕组相连接;N型MOS管Q1的源极S通过电阻R1接地;N型MOS管Q1的栅极G与功率因数校正芯片U5的门驱动输出引脚相连接。N型MOS管Q1的源极S与电阻R1的公共节点与功率因数校正芯片U5的回路比较引脚相连接。本技术的有益效果:本技术通过滤波模块对接收的低压直流电进行滤波,消除毛刺信号的影响;脉冲开关通过脉冲驱动信号,控制变压器的通断;RCD吸收模块吸收变压器的自感电势,有效保护脉冲开关;变压器将低压直流电转化为高压交流电,经过整流模块、储能模块的整流和进一步升压,从而输出稳定、可靠的高压直流电,本技术实现简单、成本低,易于批量生产。附图说明图1为本技术的电路原理图。其中,图1中的附图标记为:滤波模块1、RCD吸收模块2、变压器3、脉冲开关4、整流模块5、储能模块6。具体实施方式下面结合附图和实施例,进一步阐述本技术。如图1所示,一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路,包括滤波模块1、RCD吸收模块2、变压器3、脉冲开关4、整流模块5、储能模块6。滤波模块1、RCD吸收模块2、变压器3、整流模块5、储能模块6顺次连接。脉冲开关4与变压器3相连接。滤波模块1从直流电源处接收低压的直流电,并对接收的直流电进行滤波。脉冲开关4用于控制变压器3的通、断,使得滤波模块1输出的直流电从变压器3的初级绕组耦合至变压器3的次级绕组。RCD吸收模块2用于吸收变压器3的初级绕组的自感电势,抑制过电压,避免脉冲开关4在截至的瞬间出现过高的反峰高压损坏脉冲开关4。变压器3对滤波模块1输出的直流电进行升压并转化成交流电。整流模块5对变压器3输出的交流电进行整流,得到高压直流电。储能模块6对整流模块5输出的高压直流电进行滤波,并为IPL光子脱毛仪存储提供稳定的高压直流电。进一步地,滤波模块1包含电容C3、C26、C28。RCD吸收模块2的输入端通过电容C3接地。电容C3、C26和C28相并联。电容C3、C26、C28分别采用电解电容,用于滤除所接收的直流电中的交流成分,使直流电平滑稳定。进一步地,脉冲开关4包含N型MOS管Q1、功率因数校正(PFC)芯片U5、电容C7、C11、C12、电阻R1、R4、R5、R7、R27、R9、R11、R23、R24、R26。功率因数校正(PFC)芯片U5的型号为L6562D。储能模块6顺次通过电阻R4、R5、R7、R27接地;电阻R7和电阻R27的公共节点与功率因数校正(PFC)芯片U5的反相误差放大输入引脚(INV)相连接。变压器3的次级绕组顺次通过电阻R9、R11、R23与功率因数校正(PFC)芯片U5的电流检测(ZCD)引脚相连接。电容C11接在功率因数校正(PFC)芯片U5的反相误差放大输入引脚和误差放大输出引脚(COMP)之间。滤波模块1顺次通过电阻R26、R24接地;电容C7与电阻R24相互并联;电阻R26和电阻R24的公共节点与功率因数校正(PFC)芯片U5的乘法器输入引脚(MULT)相连接。滤波模块1还通过电容C12接地;滤波模块1和电容C12的公共节点与功率因数校正(PFC)芯片U5的电源(VCC)引脚相连接。N型MOS管Q1的漏极D与变压器3的初级绕组相连接;N型MOS管Q1的源极S通过电阻R1接地;N型MOS管Q1的栅极G与功率因数校正(PFC)芯片U5的门驱动输出引脚(GD)相连接。N型MOS管Q1的源极S与电阻R1的公共节点与功率因数校正(PFC)芯片U5的回路比较引脚(CS)相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路,其特征在于:/n包括滤波模块(1)、RCD吸收模块(2)、变压器(3)、脉冲开关(4)、整流模块(5)、储能模块(6);/n滤波模块(1)接收低电压的直流电;滤波模块(1)、RCD吸收模块(2)、变压器(3)、整流模块(5)、储能模块(6)顺次连接;脉冲开关(4)与变压器(3)相连接;/n滤波模块(1)包含电容C3、C26、C28;RCD吸收模块(2)的输入端通过电容C3接地;电容C3、C26和C28相并联;/nRCD吸收模块(2)包含电容C13、二极管D1、电阻R28;电容C13并联在变压器(3)的初级绕组上;电阻R28与二极管D1串联后与电容C13并联;/n整流模块(5)包含二极管D7;变压器(3)的次级绕组与二极管D7的输入端相连接;二极管D7的输出端与储能模块(6)的输入端相连接;/n储能模块(6)包含电容C8;二极管D7的输出端通过电容C8接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路,其特征在于:
包括滤波模块(1)、RCD吸收模块(2)、变压器(3)、脉冲开关(4)、整流模块(5)、储能模块(6);
滤波模块(1)接收低电压的直流电;滤波模块(1)、RCD吸收模块(2)、变压器(3)、整流模块(5)、储能模块(6)顺次连接;脉冲开关(4)与变压器(3)相连接;
滤波模块(1)包含电容C3、C26、C28;RCD吸收模块(2)的输入端通过电容C3接地;电容C3、C26和C28相并联;
RCD吸收模块(2)包含电容C13、二极管D1、电阻R28;电容C13并联在变压器(3)的初级绕组上;电阻R28与二极管D1串联后与电容C13并联;
整流模块(5)包含二极管D7;变压器(3)的次级绕组与二极管D7的输入端相连接;二极管D7的输出端与储能模块(6)的输入端相连接;
储能模块(6)包含电容C8;二极管D7的输出端通过电容C8接地。


2.根据权利要求1所述的IPL光子脱毛仪升压充电驱动电路,其特征在于:
脉冲开关(4)包含N型MOS管Q1、功率因数校正芯片U5、电容C7、C11、C1...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙士东
申请(专利权)人:深圳市振瑞智能技术有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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