一种应用于灶具的抗干扰装置制造方法及图纸

技术编号:24736554 阅读:34 留言:0更新日期:2020-07-01 01:04
本实用新型专利技术公开了一种应用于灶具的抗干扰装置,包括抑制高压抗干扰装置,抑制高压抗干扰装置设置在外部供电及串口通讯电路和2.4G通讯透传模块U1之间,当灶具打火产生瞬时高压,并产生干扰时,抑制高压抗干扰装置消除瞬时高压及其干扰,保证外部供电及串口通讯电路和2.4G通讯透传模块U1正常通讯,同时也保障了整体灶具的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于灶具的抗干扰装置
本技术涉及一种抗干扰装置,特别是一种应用于灶具的抗干扰装置。
技术介绍
随着生活水平的提高,越来越多灶具趋向智能化,当灶具点火时,灶具会产生高达3KV的瞬时高电压,瞬时高压不仅会威胁到通讯模块的使用安全及其寿命,并且干扰通讯模块的正常通讯,导致灶具的智能化止步不前,因此需要一种装置来抑制高压、抗干扰,保障灶具的使用安全和寿命。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本技术提供一种简单和实用的应用于灶具的抗干扰装置。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种应用于灶具的抗干扰装置,包括抑制高压抗干扰装置,所述抑制高压抗干扰装置设置在外部供电及串口通讯电路和2.4G通讯透传模块U1之间。所述外部供电及串口通讯电路设置有接口CN1,所述接口CN1用于连接所述抑制高压抗干扰装置,所述2.4G通讯透传模块U1设置外围电路,所述外围电路包括电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电阻R2、电阻R4、天线E1、晶振Y1和电感L1。所述抑制高压抗干扰装置包括第一高压抑制电路、第二高压抑制电路、保护电路、抗干扰电路和降压电路,所述第一高压抑制电路的输入端、第二高压抑制电路的输入端和保护电路的输入端与所述接口CN1连接,所述抗干扰电路的输入端与所述第一高压抑制电路的输出端连接,所述抗干扰电路的输出端与所述2.4G通讯透传模块U1的一个输入端连接,所述保护电路的输入端与所述第二高压抑制电路的输出端连接,所述保护电路的输出端与所述2.4G通讯透传模块U1的另一个输入端连接。所述第一高压抑制电路包括电感组LT1,所述第二高压抑制电路包括电感组LT2和电容C15,所述保护电路包括二极管DT1、二极管DT2和二极管DT3,所述抗干扰电路包括MOS管Q2、MOS管Q3、电阻R7、电阻R8、电阻R1、电阻R9、电阻R5和电阻R10,所述降压电路包括降压芯片UT1、电容C14、电容C16、电容C17、电容C18、电容C19和电阻R3,所述电感组LT1由两个并联的差模电感组成,和电感组LT2由两个并联的差模电感组成,所述接口CN1的4引脚分两路,一路接所述二极管DT1的正极,另一路接所述电感组LT1的1引脚,所述接口CN1的3引脚分两路,一路接所述二极管DT2的正极,另一路接所述电感组LT1的2引脚,所述接口CN1的2引脚分两路,一路接所述二极管DT3的正极,另一路接所述电感组LT2的1引脚,所述接口CN1的1引脚接所述电感组LT2的2引脚,所述二极管DT2的负极接所述二极管DT3的负极,所述电阻R8的一端分两路,一路接所述电感组LT2的3引脚,另一路接所述降压芯片UT1的3引脚,所述电阻R7的一端、电容C15的一端和电容C14的一端接所述降压芯片UT1的3引脚和电感组LT2的3引脚之间的节点,所述电感组LT2的4引脚和降压芯片UT1的1引脚同时接地,所述二极管DT1的负极、电容C15的另一端和电容C14的另一端接所述电感组LT2的4引脚和降压芯片UT1的1引脚之间的节点,所述电感组LT1的3引脚分三路,第一路接所述电阻R1的一端,第二路接所述电阻R8的另一端,第三路接所述MOS管Q2的源极,所述电阻R7的另一端分三路,第一路接所述电感组LT1的4引脚,第二路接所述电阻R5的一端,第三路接所述MOS管Q2的源极,所述MOS管Q2的栅极分两路,一路接所述电阻R1的另一端,另一路接所述2.4G通讯透传模块U1的1引脚,所述MOS管Q2的漏极接所述2.4G通讯透传模块U1的13引脚,所述二极管DT1的负极和电感组LT2的4引脚之间的节点接所述二极管DT2的负极和二极管DT3的负极之间的节点,所述电阻R9的一端和电阻R10的一端接所述MOS管Q2的栅极和2.4G通讯透传模块U1的1引脚之间的节点,所述电阻R9的另一端接所述MOS管Q2的漏极和2.4G通讯透传模块U1的13引脚之间的节点,所述MOS管Q3的栅极分两路,一路接所述电阻R5的另一端,另一路接所述电阻R10的一端和电阻R9的一端之间的节点,所述2.4G通讯透传模块U1的15引脚分两路,一路接所述MOS管Q3的漏极,另一路接电阻R10的另一端,所述降压芯片UT1的2引脚接所述电阻R3的一端,所述电阻R3的另一端分两路,一路接所述电阻R2的一端,另一路接所述MOS管Q1的漏极,所述电容C16的一端、电容C17的一端、电容C18的一端和电容C19的一端同时接所述降压芯片UT1的2引脚和电阻R3的一端之间的节点,所述电容C1的一端和电容C3的一端接所述电阻R3的另一端和MOS管Q1的漏极之间的节点,所述电容C16的另一端、电容C17的另一端、电容C18的另一端、电容C19的另一端、电容C1的另一端和电容C3的另一端同时接地,所述电容C13的一端接所述2.4G通讯透传模块U1的22引脚,所述电容C2的一端和电容C5的一端接所述电阻R3的另一端和电阻R2的一端之间的节点,所述电容C13的另一端、电容C2的另一端和电容C5的另一端同时接地,所述2.4G通讯透传模块U1的8引脚接地,所述电阻R2的另一端分两路,一路接所述电阻R4的一端,另一路接所述MOS管Q1的源极,所述电阻R4的另一端接所述2.4G通讯透传模块U1的4引脚,所述MOS管Q1的栅极分两路,一路接所述电容C6的一端,另一路接所述2.4G通讯透传模块U1的3引脚,所述电容C4的一端接所述电阻R1的另一端,所述电容C7的一端接所述2.4G通讯透传模块U1的7引脚,所述电容C9的一端和电容C10的一端同时接所述天线E1的输出端,所述电容C9的另一端分两路,一路接所述电容C7的另一端,另一路接地,所述电容C4的另一端和电容C6的另一端接所述电容C9的另一端和电容C7的另一端之间的节点,所述电容C10的另一端接所述电感L1的一端,所述电容C8的一端分两路,一路接所述电感L1的另一端,另一路所述2.4G通讯透传模块U1的2引脚,所述电容C8的另一端接地,所述2.4G通讯透传模块U1的23引脚分两路,一路接所述电容C12的一端,另一路接所述晶振Y1的一端,所述2.4G通讯透传模块U1的24引脚分两路,一路接所述晶振Y1的另一端,另一路接所述电容C11的一端,所述电容C12的另一端和电容C12的另一端接地。本技术的有益效果是:当灶具打火产生瞬时高压,并产生干扰时,抑制高压抗干扰装置消除瞬时高压及其干扰,保证外部供电及串口通讯电路和2.4G通讯透传模块U1正常通讯,同时也保障了整体灶具的使用寿命。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术的系统框图;图2是本技术的第一幅电路原理图;图3是本技术的第二幅电路原理图。具体实施方式参照图1至图3,一种应用于灶具的抗干扰装置,包括抑制高压抗干扰装置,所述抑制高压抗干扰装置设置在外部供电及串口通讯电路和2.4G通讯透传模块U1之间,其中外部供电及串口通讯电路输出瞬时高压,瞬时高压经过抑制高压抗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于灶具的抗干扰装置,其特征在于包括抑制高压抗干扰装置,所述抑制高压抗干扰装置设置在外部供电及串口通讯电路和2.4G通讯透传模块U1之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种应用于灶具的抗干扰装置,其特征在于包括抑制高压抗干扰装置,所述抑制高压抗干扰装置设置在外部供电及串口通讯电路和2.4G通讯透传模块U1之间。


2.根据权利要求1所述的应用于灶具的抗干扰装置,其特征在于所述外部供电及串口通讯电路设置有接口CN1,所述接口CN1用于连接所述抑制高压抗干扰装置,所述2.4G通讯透传模块U1设置外围电路,所述外围电路包括电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电阻R2、电阻R4、天线E1、晶振Y1和电感L1。


3.根据权利要求2所述的应用于灶具的抗干扰装置,其特征在于所述抑制高压抗干扰装置包括第一高压抑制电路、第二高压抑制电路、保护电路、抗干扰电路和降压电路,所述第一高压抑制电路的输入端、第二高压抑制电路的输入端和保护电路的输入端与所述接口CN1连接,所述抗干扰电路的输入端与所述第一高压抑制电路的输出端连接,所述抗干扰电路的输出端与所述2.4G通讯透传模块U1的一个输入端连接,所述保护电路的输入端与所述第二高压抑制电路的输出端连接,所述保护电路的输出端与所述2.4G通讯透传模块U1的另一个输入端连接。


4.根据权利要求3所述的应用于灶具的抗干扰装置,其特征在于所述第一高压抑制电路包括电感组LT1,所述第二高压抑制电路包括电感组LT2和电容C15,所述保护电路包括二极管DT1、二极管DT2和二极管DT3,所述抗干扰电路包括MOS管Q2、MOS管Q3、电阻R7、电阻R8、电阻R1、电阻R9、电阻R5和电阻R10,所述降压电路包括降压芯片UT1、电容C14、电容C16、电容C17、电容C18、电容C19和电阻R3,所述电感组LT1由两个并联的差模电感组成,和电感组LT2由两个并联的差模电感组成,所述接口CN1的4引脚分两路,一路接所述二极管DT1的正极,另一路接所述电感组LT1的1引脚,所述接口CN1的3引脚分两路,一路接所述二极管DT2的正极,另一路接所述电感组LT1的2引脚,所述接口CN1的2引脚分两路,一路接所述二极管DT3的正极,另一路接所述电感组LT2的1引脚,所述接口CN1的1引脚接所述电感组LT2的2引脚,所述二极管DT2的负极接所述二极管DT3的负极,所述电阻R8的一端分两路,一路接所述电感组LT2的3引脚,另一路接所述降压芯片UT1的3引脚,所述电阻R7的一端、电容C15的一端和电容C14的一端接所述降压芯片UT1的3引脚和电感组LT2的3引脚之间的节点,所述电感组LT2的4引脚和降压芯片UT1的1引脚同时接地,所述二极管DT1的负极、电容C15的另一端和电容C14的另一端接所述电感组LT2的4引脚和降压芯片UT1的1引脚之间的节点,所述电感组LT1的3引脚分三路,第一路接所述电阻R1的一端,第二路接所述电阻R8的另一端,第三路接所述MOS管Q2的源极,所述电阻R7的另一端分三路,第一路接所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡鸿
申请(专利权)人:中山市启鼎科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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