存储装置制造方法及图纸

提供一种新颖的存储装置。包括多个存储单元的第一单元阵列与包括多个存储单元的第二单元阵列重叠地设置。第一位线对的两个位线中的一个位线与第一单元阵列中的A个存储单元电连接，第一位线对的两个位线中的另一个位线与第二单元阵列中的D个存储单元电连接。第二位线对的两个位线中的一个位线与第一单元阵列中的B个存储单元及第二单元阵列中的F个存储单元电连接，第二位线对的两个位线中的另一个位线与第一单元阵列中的C个存储单元及第二单元阵列中的E个存储单元电连接。第一位线对与第二位线对交替地设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储装置
本专利技术的一个实施方式涉及存储装置、半导体装置或使用上述装置的电子设备。注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个实施方式涉及一种物体、方法或制造方法。本说明书等所公开的专利技术的一个实施方式涉及一种工序、机器、产品或者组合物。在本说明书等中，半导体装置通常是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路为半导体装置的一个实施方式。另外，显示装置(例如，液晶显示装置和发光显示装置)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、成像装置及电子设备等也可以称为半导体装置。或者，它们可以包括半导体装置。硅基半导体材料是众所周知的适用于晶体管的半导体薄膜的材料。另外，氧化物半导体作为代替材料引起关注。作为氧化物半导体，不仅包括如氧化铟、氧化锌等单元金属氧化物还包括多元金属氧化物。在多元金属氧化物中，有关In-Ga-Zn氧化物(以下也称为IGZO)的研究尤为火热。
技术介绍
通过对IGZO的研究，在氧化物半导体中，发现了既不是单晶也不是非晶的c轴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：/n第一单元阵列，该第一单元阵列包括A个第一存储单元、B个第一存储单元及C个第一存储单元；/n第二单元阵列，该第二单元阵列包括D个第二存储单元、E个第二存储单元及F个第二存储单元；以及/n第一位线对和第二位线对，/n其中，A、B、C、D、E和F为1以上的整数，/n所述A个第一存储单元、所述B个第一存储单元和所述C个第一存储单元都包括第一晶体管和第一电容元件，/n所述D个第二存储单元、所述E个第二存储单元和所述F个第二存储单元都包括第二晶体管和第二电容元件，/n所述第一位线对中的一个位线电连接到所述A个第一存储单元的所述第一晶体管，/n所述第一位线对中的另一个位线电连接到...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171130 JP 2017-2297851.一种存储装置，包括：
第一单元阵列，该第一单元阵列包括A个第一存储单元、B个第一存储单元及C个第一存储单元；
第二单元阵列，该第二单元阵列包括D个第二存储单元、E个第二存储单元及F个第二存储单元；以及
第一位线对和第二位线对，
其中，A、B、C、D、E和F为1以上的整数，
所述A个第一存储单元、所述B个第一存储单元和所述C个第一存储单元都包括第一晶体管和第一电容元件，
所述D个第二存储单元、所述E个第二存储单元和所述F个第二存储单元都包括第二晶体管和第二电容元件，
所述第一位线对中的一个位线电连接到所述A个第一存储单元的所述第一晶体管，
所述第一位线对中的另一个位线电连接到所述D个第二存储单元的所述第二晶体管，
所述第二位线对中的一个位线电连接到所述B个第一存储单元的所述第一晶体管以及所述F个第二存储单元的所述第二晶体管，
所述第二位线对中的另一个位线电连接到所述C个第一存储单元的所述第一晶体管以及所述E个第二存储单元的所述第二晶体管，
所述第一单元阵列与所述第二单元阵列彼此重叠，
并且，所述第一晶体管的沟道形成区和所述第二晶体管的沟道形成区都包含氧化物半导体。


2....

【专利技术属性】
技术研发人员：大贯达也，冈本佑树，池田寿雄，长冢修平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP