一种声学装置包含第一腔室、第一穿孔、振动结构和分离结构。所述第一腔室包含第一末端和第二末端。所述第一穿孔限定在所述第一腔室的所述第一末端处。所述振动结构安置在所述第一腔室的所述第二末端处且经配置以远离所述第一腔室发射声波。所述分离结构安置在所述第一腔室内且将所述第一腔室分隔成第一子腔室和第二子腔室。所述分离结构限定第二穿孔，所述第二穿孔将所述第一子腔室与所述第二子腔室连接。
【技术实现步骤摘要】
声学装置
本公开大体上涉及一种声学装置，以及更具体地说，本公开涉及一种包含腔室的声学装置。
技术介绍
声学装置(例如耳机)已变得非常流行，因为越来越多的人佩戴便携式电子装置，例如mp3播放器和移动电话。为了提高声学装置的声学性能，低频谐振起到重要作用。然而，当前声学装置由于有限的体积而无法提供充分低频谐振。
技术实现思路
在一个方面中，根据一些实施例，声学装置包含第一腔室、第一穿孔、振动结构和分离结构。第一腔室包含第一末端和第二末端。第一穿孔限定在第一腔室的第一末端处。振动结构安置在第一腔室的第二末端处且经配置以远离第一腔室发射声波。分离结构安置在第一腔室内且将第一腔室分隔成第一子腔室和第二子腔室。分离结构限定第二穿孔，所述第二穿孔将第一子腔室与第二子腔室连接。在另一方面中，根据一些实施例，声学装置包含第一腔室、第一穿孔、振动膜和分离结构。第一腔室包含第一末端和第二末端。第一穿孔限定在第一腔室的第一末端处。振动膜安置在第一腔室的第二末端处且经配置以远离第一腔室发射声波。分离结构安置在第一腔室内且限定第一子腔室和第二子腔室。分离结构限定第二穿孔，所述第二穿孔将第一子腔室与第二子腔室连接。第一子腔室的体积大于第二子腔室的体积。在又一方面中，根据一些实施例，声学装置包含第一腔室、第二腔室、膜和分离结构。膜安置在第一腔室与第二腔室之间。分离结构安置在第二腔室内以将第二腔室分隔成第一子腔室和第二子腔室。分离结构具有第一孔，所述第一孔将第一子腔室与第二子腔室连接。第二腔室具有穿透第二腔室的第二孔。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且图式中所描绘特征的尺寸可能出于论述的清楚起见而任意增大或减小。图1说明根据本公开的一些实施例的声学装置的横截面视图。图2A、图2B、图2C和图2D是图1中的声学装置在各种工作阶段处的横截面视图。图3说明根据本公开的一些实施例的声学装置的透视图。图4说明根据本公开的一些实施例的声学装置的横截面视图。图5说明根据本公开的一些实施例的声学装置的分解视图。贯穿图式和详细描述使用共同参考编号来指示相同或相似元件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易地理解本公开。具体实施方式根据本公开的一些实施例，借助于例如耳机等声学装置的腔室中的分离结构来在腔室内限定两个子腔室，可提高低频谐振而不增大声学装置的体积。在一些实施例中，借助于分离结构上和腔室的末端上的穿孔，可减小或防止声学失真。图1说明根据本公开的一些实施例的声学装置1a的横截面视图。声学装置1a包含腔室12、14、振动结构13、分离结构125、衬垫15和音频线16。声学装置1a可为头戴式耳机，例如内部外耳耳机或耳塞头戴式耳机。腔室12和腔室14形成或限定外壳10。外壳10的大小、形状可被设定成和/或经配置以搁置在用户的耳朵的外耳内。衬垫15与外壳10组合且面朝耳朵。在图1中所示出的实施例中，衬垫15至少部分地覆盖腔室14的一部分。振动结构13安置在腔室12与腔室14之间。振动结构13经配置以将通过音频线16接收的电音频信号转换成声音或声波。振动结构13可在两个方向上发射声波。举例来说，振动结构13可远离腔室12且朝向衬垫15、或远离衬垫15且朝向腔室12发射声波。振动结构13可为由音频线16驱动的声学驱动器。在一些实施例中，振动结构13可经由与外部装置的无线连接驱动。在一些实施例中，振动结构13可为或可包含振动膜。振动结构13可包含弹性材料。腔室12包含远离振动结构13的末端121和与末端121相对的末端122。腔室12的末端122邻近于腔室14。振动结构13安置在腔室12的末端122处。如图1中所示出，穿孔(或排气孔、孔口)O1限定或定位在腔室12的末端121的表面处。穿孔O1穿透腔室12的壁或壳。在一些实施例中，穿孔O1的直径可介于0.6mm与0.9mm之间的范围内。在一些实施例中，穿孔O1的直径可介于0.7mm与0.8mm之间的范围内。分离结构125安置在腔室12内且将腔室12分隔成子腔室124和子腔室126。穿孔(或排气孔、孔口)O2限定在分离结构125处。穿孔O2穿透通过分离结构125且将子腔室124与子腔室126连接。在一些实施例中，子腔室124的体积等于或大于子腔室126的体积。在其它实施例中，子腔室124的体积可小于或等于子腔室126的体积的两倍。分离结构125可增大声学装置1a的结构强度。在图1中所示出的实施例中，穿孔O1的中心轴线X1不同于或与穿孔O2的中心轴线X2间隔开。也就是说，分离结构125上的穿孔O1的突起不会重叠穿孔O2。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，穿孔O1的中心轴线X1与穿孔O2的中心轴线X2相同。也就是说，分离结构125上的穿孔O1的突起可重叠穿孔O2。在一些实施例中，由穿孔O1限定或在穿孔O1内的体积大于由穿孔O2限定或在穿孔O2内的体积。举例来说，由穿孔O1限定的体积与由穿孔O2限定的体积的比大于1且等于或小于1.2。在一些实施例中，比可大于1.2。穿孔O1和O2的配置可在振动结构13的振动期间有助于腔室12内(或子腔室124与子腔室126之间)的压力平衡。穿孔O1和O2的配置还可增大在腔室12内发射的声波的路径，以便增大声学装置1a的声学性能(尤其对低频谐振)。在一些实施例中，分离结构125可限定多于一个穿孔。分离结构125进一步限定孔O3以用于音频线16穿过振动结构13且耦合到振动结构13。音频线16可用于发射电信号以驱动振动结构13，从而生成声音或声波。在一些实施例中，胶粘材料(未示出)可用于将音频线16固定在孔O3中。胶粘材料可密封音频线16与孔O3之间的空间。胶粘材料可填充音频线16与分离结构125之间的孔O3中的空间。因此，音频线16被紧紧地固定且相对于拉拔强度更稳固或相对于拉拔强度具有更多阻力。图2A、图2B、图2C和图2D是图1中的声学装置1a在各种工作阶段处的横截面视图。图2A大体上说明在由电信号驱动时，振动结构13振动且生成朝向衬垫15的声波。声波可由各种部分构成，包含低频波、中频波和高频波。低频波通常对人耳听起来“更低”且可介于10Hz与200Hz之间的范围内或更低。中频波可介于200Hz与2000Hz之间的范围内。高频波可高于2000Hz。参考图2A，当振动结构13(或振动结构13的一部分)朝向衬垫15振动或弯曲时，生成从子腔室124到子腔室126的气流，其中外部空气通过穿孔O1进入子腔室124且子腔室124中的空气通过穿孔O2进入子腔室126。因为子腔室124的体积大于或等于子腔室126的体积，所以气流的力(或密度)F1将在气流进入子腔室126时增强。因此，振动结构13的振动的充分幅度或振动结构13的充分位移可用中等气流实现，且可增强声波的低频部分的动量。参考图2C，振动结构13朝向腔室12向后振动或向后回弹，从而形成气压和从子腔室126到本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种声学装置，其包括：/n第一腔室，其包括第一末端和第二末端；/n第一穿孔，其限定在所述第一腔室的所述第一末端处；/n振动结构，其安置在所述第一腔室的所述第二末端处且经配置以远离所述第一腔室发射声波；以及/n分离结构，其安置在所述第一腔室内且将所述第一腔室分隔成第一子腔室和第二子腔室，其中/n所述分离结构限定第二穿孔，所述第二穿孔将所述第一子腔室与所述第二子腔室连接。/n
【技术特征摘要】
20181220 US 16/228,3371.一种声学装置，其包括：
第一腔室，其包括第一末端和第二末端；
第一穿孔，其限定在所述第一腔室的所述第一末端处；
振动结构，其安置在所述第一腔室的所述第二末端处且经配置以远离所述第一腔室发射声波；以及
分离结构，其安置在所述第一腔室内且将所述第一腔室分隔成第一子腔室和第二子腔室，其中
所述分离结构限定第二穿孔，所述第二穿孔将所述第一子腔室与所述第二子腔室连接。
2.根据权利要求1所述的声学装置，其中所述第一子腔室的体积等于或大于所述第二子腔室的体积。
3.根据权利要求2所述的声学装置，其中所述第一子腔室的所述体积小于或等于所述第二子腔室的所述体积的两倍。
4.根据权利要求1所述的声学装置，其进一步包括邻近于所述第一腔室的所述第二末端的第二腔室，其中所述振动结构介于所述第一腔室与所述第二腔室之间。
5.根据权利要求1所述的声学装置，其中所述第一穿孔的中心轴线不同于所述第二穿孔的中心轴线。
6.根据权利要求1所述的声学装置，其中所述第一穿孔限定第一体积且所述第二穿孔限定第二体积，且所述第一体积与所述第二体积的比大于1且等于或小于1.2。
7.根据权利要求1所述的声学装置，其中所述分离结构限定至少两个穿孔。
8.根据权利要求1所述的声学装置，其中所述分离结构进一步限定经配置以用于音频线穿过的孔。
9.根据权利要求8所述的声学装置，其进一步包括胶粘材料，所述胶粘材料将所述音频线固定在所述孔中且密封所述音频线与所述孔之间的空间。
10.根据权利要求1所述的声学装置，其中所述第一穿孔的中心轴线与所述第二穿孔的中心轴线相同。
11.一种声学装置，其包括：
第一腔室，其包括第一末端和第二末端；
第一穿孔，其限定在所述第一腔室的所述第一末端处；
振动膜，其安置在所述第一腔室的所述第二末端处且经配置以远离所述第一腔室发射声波；以及
分离结构，其安置在所述第一腔室...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄名韬，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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