硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法技术

本发明专利技术提供一种硬掩模组合物、硬掩模层及形成图案的方法。硬掩模组合物包含由化学式1表示的化合物和溶剂：[化学式1]

【技术实现步骤摘要】
硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法相关申请的交叉参考本申请要求2018年12月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0167677号的优先权和权益，所述申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术公开一种硬掩模组合物、一种包含硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层以及一种使用硬掩模组合物形成图案的方法。
技术介绍
近来，半导体行业已发展到具有几纳米到几十纳米大小的图案的超精细技术。此类超精细技术主要需要有效的光刻(lithographic)技术。典型的光刻技术包含：在半导体衬底上提供材料层；在材料层上涂布光刻胶层；曝光且显影光刻胶层以提供光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为掩模来蚀刻材料层。当今，根据待形成的图案的小尺寸，仅仅通过上述典型光刻技术难以提供具有极佳轮廓的精细图案。因此，可在材料层与光刻胶层之间形成称为硬掩模层的辅助层来提供精细图案。
技术实现思路
一实施例提供能够改进耐蚀刻性和耐化学性的硬掩模组合物。另一实施例提供包含硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层。又一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硬掩模组合物，包括由化学式1表示的化合物和溶剂：/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
20181221 KR 10-2018-01676771.一种硬掩模组合物，包括由化学式1表示的化合物和溶剂：
[化学式1]



其中，在化学式1中，
A是C6到C30芳族部分，
B是相同或不同的且独立地是由化学式2表示的基团，且
n是2或大于2的整数，
[化学式2]



其中，在化学式2中，
R1到R5独立地是氢、取代或未取代的C6到C30芳基、取代或未取代的C3到C30杂芳基或其组合，
R1到R5中的至少一个是取代或未取代的C3到C30杂芳基；或由以下中的至少一者取代的C6到C30芳基：羟基、氨基、巯基、取代或未取代的C1到C30烷氧基、取代或未取代的C1到C30烷基硫醇基以及取代或未取代的C1到C20烷基氨基，
R1到R5独立地存在或其相邻的两个彼此连接以形成环，且

意指与化学式1中的A的连接点。


2.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中
A是苯部分、萘部分、蒽部分、并四苯部分、并五苯部分，
联苯部分、三联苯部分、四联苯部分、五联苯部分，
菲部分、芘部分、荧蒽部分、苯并菲部分、部分、苝部分、苯并芘部分、苉部分、苯并荧蒽部分、二苯并荧蒽部分、苯并苝部分、蔻部分、萘并蒽部分或联伸三苯部分。


3.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中A是由群组1中选出的任何一个：
[群组1]





4.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中
所述取代或未取代的C6到C30芳基是取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的并四苯基、取代或未取代的并五苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的五联苯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的基、取代或未取代的苉基、取代或未取代的联伸三苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苊烯基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的苯并荧蒽基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的苯并芘基、取代或未取代的萘并蒽基、取代或未取代的苯并苝基、取代或未取代的二苯并芘基、取代或未取代的蔻基或其组合，且
所述取代或未取代的C3到C30杂芳基是取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吲哚并基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的吡唑基、取代或...

【专利技术属性】
技术研发人员：林栽范，金瑆焕，金昇炫，金兑镐，朴裕信，梁善暎，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR