锭化环氧树脂组合物和使用其来包封的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物和使用锭化环氧树脂组合物来包封的半导体装置。锭化环氧树脂组合物满足以下要求：(i)具有如通过使用ASTM标准筛的筛分析所测量的大于或等于0.1毫米且小于2.8毫米的直径和大于或等于0.1毫米且小于2.8毫米的高度的锭剂的比例是约97重量％；(ii)锭剂具有大于约1.7克/毫升的填充密度；以及(iii)锭剂的填充密度与固化密度的比在约0.6到约0.87范围内。

Ingot epoxy resin composition and semiconductor device for encapsulation thereof

【技术实现步骤摘要】
锭化环氧树脂组合物和使用其来包封的半导体装置
本专利技术涉及一种用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物和使用所述锭化环氧树脂组合物来包封的半导体装置。
技术介绍
随着近来电子件市场的焦点已转移到以智能手机和平板计算机为代表的移动装置，近期研究已聚焦在研发更小、更轻且性能更高的移动装置上。因此，正在研发更薄且高度集成的半导体装置以便实施符合更高水平堆叠、更高性能、更大规模集成、多功能性以及纤薄(slimness)的趋势的移动装置。当将这种高度堆叠且高度集成的半导体装置包封在小且薄的半导体封装中时，可能归因于在半导体装置的操作期间所产生的热而更频繁地发生封装的故障和开裂。为了解决这一问题，已使用散热片。然而，这种散热片只可用于一些半导体封装且需要额外工艺，导致低生产率和高成本。因此，存在对用于半导体装置的包封的具有高热导率的环氧树脂组合物的需要。跟随这一趋势，正在研发通过压缩模制来包封半导体装置的方法。压缩模制是对模具中的物品进行模制的技术，且近来已归因于即使在多堆叠半导体装置的包封时也抑制空隙产生的能力而吸引关注。在压缩模制时，可将用于半导体装置的包封的环氧树脂组合物以膜或薄片形式引入到模具中。然而，鉴于环氧树脂组合物的可模制性、可流动性以及类似物，通常以粉末或细粒形式引入组合物。然而，粉末颗粒或细粒之间的大小存在一定程度的差异，导致半导体封装的电线偏移(wiresweep)和/或翘曲。常规上，已采用离心粉碎技术和热切割技术来制备用于半导体装置的包封的环氧树脂组合物。然而，这些方法难以制备需要适合于通过压缩模制来包封半导体装置的高热导率的环氧树脂组合物。
技术实现思路
本专利技术的一个方面是提供一种用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，所述锭化环氧树脂组合物具有高热导率。本专利技术的另一方面是提供一种用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，可防止所述锭化环氧树脂组合物在通过压缩模制来包封半导体装置时散射和/或粘附到压缩模制仪器，从而减少对压缩模制仪器的污染。本专利技术的又一方面是提供一种用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，所述锭化环氧树脂组合物可显著减小通过压缩模制来包封半导体装置时的电线偏移。根据本专利技术的一个方面，提供一种用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物。1.所述锭化环氧树脂组合物满足以下要求：(i)具有如通过使用ASTM标准筛的筛分析所测量的大于或等于0.1毫米且小于2.8毫米的直径和大于或等于0.1毫米且小于2.8毫米的高度的锭剂的比例是约97重量％或大于97重量％；(ii)锭剂具有大于约1.7克/毫升的填充密度；以及(iii)锭剂的填充密度与固化密度的比在约0.6到约0.87范围内。2.在实施例1中，所述锭剂可具有圆柱形形状。3.在实施例1或实施例2中，所述锭化环氧树脂组合物可包含无机填料，所述无机填料包含选自以下群组的至少一种：二氧化硅、氧化铝、氮化铝、碳酸钙、碳酸镁、氧化镁、粘土、滑石、硅酸钙、氧化钛、氧化锑、玻璃纤维以及氮化硼。4.在实施例3中，所述无机填料可以70重量％到99重量％的量存在于锭化环氧树脂组合物中。5.在实施例3或实施例4中，所述二氧化硅可以约90重量％或小于90重量％的量存在于无机填料中。6.在实施例3到实施例5任一项中，所述氮化铝可以约50重量％或小于50重量％的量存在于无机填料中。7.在实施例3到实施例6任一项中，所述无机填料可具有约3微米到约15微米的平均粒径(D50)。8.在实施例3到实施例7任一项中，所述氧化铝可以约10重量％到约100重量％的量存在于无机填料中。9.在实施例3到实施例8任一项中，所述氧化铝可以约75重量％到约98重量％的量存在于锭化环氧树脂组合物中。10.在实施例3到实施例9任一项中，所述锭化环氧树脂组合物可包含氧化铝与二氧化硅的混合物作为无机填料。11.在实施例10中，所述氧化铝与二氧化硅的混合物可以约75重量％到约98重量％的量存在于锭化环氧树脂组合物中。12.在实施例3到实施例9任一项中，所述锭化环氧树脂组合物可包含二氧化硅与氮化铝的混合物作为无机填料。13.在实施例12中，所述二氧化硅与氮化铝的混合物可以约75重量％到约98重量％的量存在于锭化环氧树脂组合物中。14.在实施例1到实施例13任一项中，所述锭剂可具有约1.9克/毫升到约4克/毫升的固化密度。15.在实施例1到实施例14任一项中，所述锭化环氧树脂组合物可通过压缩锭化来制备。根据本专利技术的另一方面，提供一种使用根据本专利技术的用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物来包封的半导体装置。本专利技术提供一种用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，所述锭化环氧树脂组合物具有高热导率。本专利技术提供一种用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，可防止所述锭化环氧树脂组合物在通过压缩模制来包封半导体装置时散射和/或粘附到压缩模制仪器，从而减少对压缩模制仪器的污染。本专利技术提供一种用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，所述锭化环氧树脂组合物可显著减小通过压缩模制来包封半导体装置时的电线偏移。附图说明图1是示出根据本专利技术的每一示范性锭剂的形状、直径以及高度的视图。图2(a)及图2(b)是示出根据本专利技术的通过压缩模制来包封半导体装置的示范性工艺的视图。图3是根据本专利技术的通过压缩模制来包封的示范性半导体装置的视图。附图标号说明1：锭化环氧树脂组合物；2：振动进料器；3：组合物进料容器；4：挡闸；5：下部模腔；6、101：半导体装置；7：上部基板；102：包封体；103：裸片垫；104：裸片接合材料；105：引线框；106：电线；D：直径；H：高度；T：厚度。具体实施方式下文中将参考附图详细描述本专利技术的示范性实施例。以下实施例通过实例提供，以便将本专利技术的精神完全传达给本专利技术所涉及的领域的技术人员。因此，本专利技术不限于本文中所公开的实施例并且也可以不同形式实施。如本文中所使用，术语“锭剂”是指以下形式：具有第一表面、第二表面以及使第一表面连接到第二表面的侧表面，第一表面与第二表面相对。在一个实施例中，第一表面和第二表面可以各自是平坦表面且侧表面可以是一个弯曲表面。在一个实施例中，锭剂可以是圆柱体。参考图1，锭剂可以是圆柱体，其中圆柱体的第一表面(或第二表面)可具有预定直径D，且圆柱体的侧表面可具有预定高度H。在本专利技术中，“锭剂”也可具有直径D小于或等于高度H的形状，以及直径D大于高度H的形状。如本文中所使用，“宽高比”可指高度H与直径D的比(高度H/直径D)。如本文中所使用，术语“用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物”可指用于半导体装置的包封的环氧树脂组合物，其中锭剂的比例是98重量％或大于98重量％，例如99重量％或大于99重本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，所述锭化环氧树脂组合物满足以下要求：/n(i)具有如通过使用ASTM标准筛的筛分析所测量的大于或等于0.1毫米且小于2.8毫米的直径和大于或等于0.1毫米且小于2.8毫米的高度的锭剂的比例是97重量％或大于97重量％；/n(ii)所述锭剂具有大于1.7克/毫升的填充密度；以及/n(iii)所述锭剂的填充密度与固化密度的比在0.6到0.87范围内。/n

【技术特征摘要】
20181220 KR 10-2018-01666931.一种用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，所述锭化环氧树脂组合物满足以下要求：
(i)具有如通过使用ASTM标准筛的筛分析所测量的大于或等于0.1毫米且小于2.8毫米的直径和大于或等于0.1毫米且小于2.8毫米的高度的锭剂的比例是97重量％或大于97重量％；
(ii)所述锭剂具有大于1.7克/毫升的填充密度；以及
(iii)所述锭剂的填充密度与固化密度的比在0.6到0.87范围内。


2.根据权利要求1所述的用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，其中所述锭剂具有圆柱形形状。


3.根据权利要求1所述的用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，包括：
无机填料，包括选自以下群组的至少一种：二氧化硅、氧化铝、氮化铝、碳酸钙、碳酸镁、氧化镁、粘土、滑石、硅酸钙、氧化钛、氧化锑、玻璃纤维以及氮化硼。


4.根据权利要求3所述的用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，其中所述无机填料以70重量％到99重量％的量存在于所述锭化环氧树脂组合物中。


5.根据权利要求3所述的用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，其中所述二氧化硅以90重量％或小于90重量％的量存在于所述无机填料中。


6.根据权利要求3所述的用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物，其中所述氮化铝以50重量％或小于50重量％的量存在于所述无机填料中。


7.根据权利要求3所述的用于半导体装置的包封的锭化环氧树脂组合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相珍，金相均，严泰信，李东桓，李英俊，赵镛寒，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR