一种正交晶系层状三氧化钨的制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种正交晶系层状三氧化钨的制备方法与应用，属于无机功能材料的制备领域。所述制备方法具体包括如下步骤：利用质子化的阳离子交换树脂去除钨酸盐溶液中多价金属阳离子杂质，获得高纯溶胶；往获得的高纯溶胶中加入形貌控制剂，随后水热合成反应，冷却、过滤并常压干燥，获得正交晶系层状水合三氧化钨；将得到的正交晶系层状水合三氧化钨煅烧，即制得正交晶系层状三氧化钨。本发明专利技术通过离子交换‑水热反应，并利用PVP形貌控制剂及反应条件控制，成功获得了正交晶系层状水合氧化钨和正交晶系层状氧化钨。该方法工艺简单，操作方便，成本低，适合在工业上推广使用。

Preparation and application of an orthorhombic layered tungsten trioxide

【技术实现步骤摘要】
一种正交晶系层状三氧化钨的制备方法与应用
本专利技术属于无机功能材料的制备领域，涉及一种正交晶系层状三氧化钨的制备方法，同时涉及一种正交晶系层状三氧化钨在气体传感和催化领域中的应用。
技术介绍
三氧化钨是一种多功能的金属氧化物半导体材料，带隙范围为2.5至2.8eV。三氧化钨的晶胞通常是由1个钨原子和6个氧原子构成的正八面体单元，这些晶胞单元共用顶点排列形成不同晶型的三氧化钨结构。根据氧化钨八面体的晶胞倾斜角和旋转方向不同，三氧化钨呈现多种不同的晶格结构，如单斜(γ-WO3)、三斜(δ-WO3)、正交(β-WO3)、六方(h-WO3)和四方(α-WO3)等，不同晶型的三氧化钨材料在性能上有着较大的差别。三氧化钨独特的晶格结构为其带来了更优秀的性能，与其他材料相比，三氧化钨具有更好的电荷传输能力，具有很多独特的物理化学性能，在气敏传感器、光催化剂、电致变色智能窗和光电化学设备等方面都有着良好的应用前景。在室温下，三氧化钨的几种晶格结构中单斜(γ-WO3)是最为常见、稳定，其能带(Eg)约为2.62eV，而三斜(δ-WO3)、正交(β-WO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正交晶系层状三氧化钨的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)利用质子化的阳离子交换树脂去除钨酸盐溶液中金属阳离子杂质，获得高纯溶胶；/n(2)往步骤(1)获得的高纯溶胶中加入形貌控制剂，随后水热合成反应，冷却、过滤并常压干燥，获得正交晶系层状水合三氧化钨；/n(3)将步骤(2)得到的正交晶系层状水合三氧化钨煅烧，即制得正交晶系层状三氧化钨。/n

【技术特征摘要】
1.一种正交晶系层状三氧化钨的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)利用质子化的阳离子交换树脂去除钨酸盐溶液中金属阳离子杂质，获得高纯溶胶；
(2)往步骤(1)获得的高纯溶胶中加入形貌控制剂，随后水热合成反应，冷却、过滤并常压干燥，获得正交晶系层状水合三氧化钨；
(3)将步骤(2)得到的正交晶系层状水合三氧化钨煅烧，即制得正交晶系层状三氧化钨。


2.根据权利要求1所述的一种正交晶系层状三氧化钨的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的离子交换时间≥30min。


3.根据权利要求1所述的一种正交晶系层状三氧化钨的制备方法，其特征在于，所述形貌控制剂与所述钨酸盐溶液的质量比为1：(2～5)。


4.根据权利要求3所述的一种正交晶系层状三氧化钨的制备方法，其特征在于，所述钨酸盐溶液至少为Na2WO4·2H2O、K2WO4·2H2O中的一种，且所述钨酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：王炳山，李小红，余金保，
申请(专利权)人：景德镇学院，
类型：发明
国别省市：江西;36