【技术实现步骤摘要】
一种二维SnO纳米片的制备及光催化性能测试方法
本专利技术涉及半导体纳米材料制备领域,尤其涉及一种二维SnO纳米片的制备及光催化性能测试方法。
技术介绍
纳米材料具有粒度小、比表面积大、能量集中等优点,在气敏材料、锂离子电池材料、光电材料等领域成为人们研究的热点。然而光催化效果明显的大都是贵金属纳米材料,成本高昂,所以我们迫切需要一种价格低,制备简单,且在日光下对染料降解效果好的材料。而SnO作为天然的P型半导体受到研究人员的广泛关注,并且SnO的成本远远低于贵金属纳米粒子,但是以往的SnO纳米材料的制备方法较为复杂,且多为3D纳米粒子,其光催化化性能差,效率低。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种二维SnO纳米片的制备及光催化性能测试方法,以解决上述技术问题中提出的现有技术中SnO纳米材料制备方法复杂,且对染料催化降解效果差、效率低的技术问题。为解决上述问题,本专利技术实施方式提供一种二维SnO纳米片的制备及光催化性能测试方法,包括:步骤一、将锡源SnCl2、溶剂ODE以 ...
【技术保护点】
1.一种二维SnO纳米片的制备方法:其特征在于,包括以下步骤:/n步骤一、将锡源SnCl
【技术特征摘要】
1.一种二维SnO纳米片的制备方法:其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、将锡源SnCl2、溶剂ODE以及NH3·H2O按比例放入三口烧瓶中混合;
步骤二、将上述混合溶液置入希莱克系统并通入N2加热至160℃;
步骤三、加热持续3min后,注射6ml无水乙醇淬灭反应;
步骤四、将上述得到的二维SnO纳米片样品取出,并通过离心、超声清洗样品后进行烘干收集。
2.根据权利要求1所述的SnO纳米片的制备及测试方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:王英楠,张信平,任倩倩,贾恺,
申请(专利权)人:西北大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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