【技术实现步骤摘要】
一种用于微尺度流动式电转染的三维电极快速制备方法
本专利技术属于微流控芯片领域,涉及一种在微流控芯片上制备精确位置限定的三维微电极的方法。
技术介绍
微尺度下的流动式直流电穿孔具有高效转送小分子、高通量、安全可靠、操作简单等优点。然而,基于恒压的电穿孔容易产生电解产物,限制了电压操作窗口。为了降低电压,同时为电穿孔提供足够的电场,需要具有间距紧密且均匀的平行片上三维电极。基于微流控芯片的电穿孔和电化学检测都对间距紧凑、均匀的平行片上三维电极有着强烈的需求。通过微机电加工技术进行片上电极制作可以降低电极间距和电穿孔电压,但这种电极制备方法受限于复杂的工艺流程。液体导电材料如银浆、生物相容性材料或液态合金,通过灌注的方法已被应用于制备电极。几乎所有的灌注方法都是基于毛细扩张阀或毛细限制阀原理将液体物质限制在中心流道的两侧。目前广泛应用的XY平面的毛细阀结构采用微柱阵列将液体材料限制在相邻两个微柱之间。然而微柱的存在导致电极界面不连续,因而在外加电压后产生的电场也不均匀的技术问题。
技术实现思路
基于上述问题, ...
【技术保护点】
1.一种用于微尺度流动式电转染的三维电极快速制备方法,其特征在于,包括以下制备步骤:/nS1.制备芯片模具,且模具中不同位置结构厚度不同;/nS2.浇筑聚二甲基硅氧烷,待聚二甲基硅氧烷浇筑层固化后进行脱模;将聚二甲基硅氧烷浇筑层与载玻片键合,制得微流控芯片,芯片上相邻流道结构存在高度差;/nS3.制备液体导电材料,使其处于液态;/nS4.利用压力将液体导电材料灌注入到相邻流道中高度较高的流道内,液体导电材料被精确限定在相邻流道高度骤然变化的位置。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种用于微尺度流动式电转染的三维电极快速制备方法,其特征在于,包括以下制备步骤:
S1.制备芯片模具,且模具中不同位置结构厚度不同;
S2.浇筑聚二甲基硅氧烷,待聚二甲基硅氧烷浇筑层固化后进行脱模;将聚二甲基硅氧烷浇筑层与载玻片键合,制得微流控芯片,芯片上相邻流道结构存在高度差;
S3.制备液体导电材料,使其处于液态;
S4.利用压力将液体导电材料灌注入到相邻流道中高度较高的流道内,液体导电材料被精确限定在相邻流道高度骤然变化的位置。
2.根据权利要求1所述的一种用于微尺度流动式电转染的三维电极快速制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,芯片模具采用微机电加工中的多重软光刻技术或深硅刻蚀技术制作硅模具;或通过激光加工、精密机械加工的方法制作金属模具。
技术研发人员:彭志海,韩超,陈翔,王杰,于洋,
申请(专利权)人:上海市第一人民医院,
类型:发明
国别省市:上海;31
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