像素电路、显示装置和电子设备制造方法及图纸

提供一种像素电路，能够防止有机EL元件由于驱动晶体管的漏电流而导致的轻微发光。提供一种像素电路，包括：发光元件，以对应于电流量的亮度发光；第一电容，其是金属绝缘体金属(MIM)电容；以及第二电容，其是与发光元件并联设置的金属绝缘体半导体(MIS)电容。

Pixel circuit, display device and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】像素电路、显示装置和电子设备交叉引用相关申请本申请要求2017年11月21日提交的日本优先权专利申请JP2017-223968的权益，其全部内容通过引用结合于此。
本公开涉及像素电路、显示装置和电子设备。
技术介绍
近年来，均包括以矩阵设置的像素的各平板显示装置是显示装置领域的主流，像素均包括发光单元。作为平板显示装置中的一种，有机电致发光(EL)显示装置包括有机EL元件，该有机EL元件是所谓的电流驱动电光元件的示例，其中，发光的亮度响应于在发光单元中流动的电流值而变化。在以有机EL显示装置为代表的平板显示装置中，在一些情况下，驱动电光元件的驱动晶体管的晶体管特性(例如，阈值电压)因工艺变化等而对于每个像素不同。例如，PTL1公开了一种显示装置技术，该技术能够在对驱动晶体管的特性执行校正操作的情况下缩短初始化电压向驱动晶体管的栅极节点的写入时间。引文目录专利文献PTL1：JP2015-34861A
技术实现思路
技术问题对于显示装置来说，实现高亮度和实现低功耗是通常要考本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电路，包括：/n发光元件，被配置为以与电流量对应的亮度发光；/n第一电容，是金属绝缘体金属(MIM)电容；以及/n第二电容，是与所述发光元件并联设置的金属绝缘体半导体(MIS)电容。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171121 JP 2017-2239681.一种像素电路，包括：
发光元件，被配置为以与电流量对应的亮度发光；
第一电容，是金属绝缘体金属(MIM)电容；以及
第二电容，是与所述发光元件并联设置的金属绝缘体半导体(MIS)电容。


2.根据权利要求1所述的像素电路，
其中，所述第二电容具有可变电容值。


3.根据权利要求2所述的像素电路，
其中，所述第二电容具有的电容值在所述发光元件发光时比在所述发光元件不发光时小。


4.根据权利要求1所述的像素电路，
其中，所述第二电容是金属氧化物半导体(MOS)电容或薄膜晶体管(TFT)电容。


5.根据权利要求4所述的像素电路，
其中，所述第二电容是金属氧化物半导体(MOS)电容。


6.根据权利要求5所述的像素电路，
其中，所述MOS电容包括MOS晶体管。


7.根据权利要求4所述的像素电路，
其中，所述第二电容是薄膜晶体管(TFT)电容。


8.根据权利要求7所述的像素电路，
其中，所述TFT电容包括TFT晶体管。


9.根据权利要求4所述的像素电路，
其中，MOS晶体管或TFT晶体管包括栅极、源极和漏极，其中，所述源极和漏极形成为公共掺杂区。


10.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂口贲之，藤井拓磨，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP