【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电镀钴的包含流平剂的组合物本专利技术涉和一种用于电镀钴的包含钴离子和流平剂的组合物。专利技术背景通过金属电镀进行的小型构件如通孔和沟道的填充是半导体制造工艺的必需部分。众所周知，电镀浴中作为添加剂的有机物质的存在对于在基材表面上获得均匀金属沉积和避免金属线内的缺陷如空隙和接缝而言是关键的。在进一步减小凹入构件如通孔或沟道的孔尺寸的情况下，具有铜的互连件的填充变得尤其具有挑战性，这也是因为在铜电沉积之前的通过物理气相沉积(PVD)进行的铜晶种沉积可能表现出非均匀性和非一致性，因此进一步减小特别地在孔的顶部处的孔尺寸。此外，由于钴显示较少向介电质的电迁移，因此用钴代替铜变得越来越受关注。为了电镀钴，提出了若干种添加剂以确保亚微米尺寸的构件的无空隙填充。US2011/0163449A1公开了使用包含钴沉积抑制添加剂如糖精、香豆素或聚乙烯亚胺(PEI)的浴的钴电沉积方法。US2009/0188805A1公开了使用包含选自聚乙烯亚胺和2-巯基-5-苯并咪唑磺酸的至少一种加速、抑制或去极化添加剂的浴的钴电沉积方法。
【技术保护点】
1.一种组合物，其包含以下组分：/n(a)金属离子，基本上由钴离子组成，和/n(b)流平剂，包含式L1结构：/n[B]
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171120 EP 17202568.61.一种组合物，其包含以下组分：
(a)金属离子，基本上由钴离子组成，和
(b)流平剂，包含式L1结构：
[B]n[A]p(L1)
或具有式L2结构：
或包含式L3a或L3b结构：
或具有式L4结构：
及其盐，
其中：
R1选自X1-CO-O-R11、X1-SO2-O-R11、X1-PO(OR11)2和X1-SO-O-R11；
R2、R3、R4独立地选自R1和(i)H、(ii)芳基、(iii)C1-C10烷基、(iv)芳烷基、(v)烷芳基和(vi)-(O-C2H3R12)m-OH，条件是如果R2、R3或R4之一选自R1，则其他基团R2、R3或R4不同于R1，
为C6-C14碳环或C3-C10含氮或氧的杂环芳基，其可未被取代或被至多3个C1-C12烷基或至多2个OH、NH2或NO2基团取代，
R31选自R1、H、OR5和R5，
R32选自(i)H和(ii)C1-C6烷基，
X1为选自以下的二价基团：(i)化学键、(ii)芳基、(iii)可间隔有O原子的C1-C12烷二基、(iv)芳烷基-X11-X12-、(v)烷芳基-X12-X11-和(vi)-(O-C2H3R12)mO-，
X2为(i)化学键或(ii)甲烷二基，
R11选自H和C1-C4烷基，
R12选自H和C1-C4烷基，
X12为二价芳基，
X11为二价C1-C15烷二基，
A为选自可任选(聚)乙氧基化的乙烯醇和丙烯酰胺的共聚单体，
B选自式L1a：
n为2-10,000的整数，
m为2-50的整数，
o为2-1000的整数，且
p为0或1-10,000的整数，
并且其中所述组合物不含任何分散颗粒。
2.如权利要求1或2所述的组合物，其中R2、R3和R4选自H、甲基、乙基或丙基。
3.如权利要求1所述的组合物，其中R2和R3或R4选自H、甲基、乙基或丙基，且其他基团R3或R4选自R1。
4.如权利要求1所述的组合物，其中R3和R4选自H、甲基、乙基或丙基，且R2选自R1。
5.如权利要求1所述的组合物，其中流平剂为式L4a化合物：
其中R5、R6、R7、R8和R9独立地选自(i)H和(ii)C1-C6烷基，优选为H、甲基、乙基或丙基。
6.如前述权利要求中任一项所述的组合物，其中R11为H。
7.如前述权利要求中任一项所述的组合物，其中n+p为10-5000的整数且m为2-30的整数。
8.如前述权利要求中任一项所述的组合物，其中流平剂选自聚丙烯酸、衣康酸、马来酸丙烯酸共聚物、衣康酸丙烯酸共聚物、聚膦酸和聚磺酸...
【专利技术属性】
技术研发人员：N·恩格尔哈特，D·迈耶，M·阿诺德，A·弗鲁格尔，C·埃姆内特，L·B·亨德森，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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