【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于微型扬声器膜片的阻尼粘合剂层
本公开涉及用于片状材料诸如可被转变为微型扬声器膜片的片状材料中的阻尼粘合剂层。
技术介绍
在诸如移动电话、平板电脑、耳塞、耳机和膝上型计算机之类的小型电子器件中，微型扬声器越来越普遍。微型扬声器膜片理想地为轻质且非常刚性的，以便表现出单纯的活塞运动，并且还具有良好的阻尼，以抑制导致声音失真重现的非驱动运动或共振。在一些情况下，膜片材料为三层膜，其包括夹在两个刚性层之间的阻尼层。阻尼层也可用作将三个层粘结在一起的粘合剂。在一些情况下，膜片材料包括五个、七个或更多个层，其中层为交替的刚性层和阻尼层。下面的参考文献可与本公开的一般
相关：US7,569,278；US5,308,887；US5,624,763；US5,464,659；US5,823,301；WO2008/141004；US9,359,529；US8,173,252；WO2016/061121；CN10202238B；US2014/017491；US5,712,038；US5,695,867；US8,541,481；US...
【技术保护点】
1.一种膜，所述膜具有至少4微米且小于60微米的厚度，所述膜包含阻尼粘合剂，所述阻尼粘合剂包含聚硅氧烷或聚硅氧烷的混合物，其中所述阻尼粘合剂对于介于20℃和250℃之间的每个温度都表现出至少0.42的损耗角正切值，并且其中所述阻尼粘合剂在250℃表现出的损耗角正切值比其在20℃至250℃的范围内测得的最小损耗角正切值大不超过0.20。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171009 CN PCT/CN2017/1053461.一种膜，所述膜具有至少4微米且小于60微米的厚度，所述膜包含阻尼粘合剂，所述阻尼粘合剂包含聚硅氧烷或聚硅氧烷的混合物，其中所述阻尼粘合剂对于介于20℃和250℃之间的每个温度都表现出至少0.42的损耗角正切值，并且其中所述阻尼粘合剂在250℃表现出的损耗角正切值比其在20℃至250℃的范围内测得的最小损耗角正切值大不超过0.20。
2.根据权利要求1所述的膜，其中所述阻尼粘合剂在250℃表现出的损耗角正切值比其在20℃至250℃的范围内测得的最小损耗角正切值大不超过0.13。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的膜，其中所述阻尼粘合剂在200℃表现出的损耗角正切值比其在20℃至200℃的范围内测得的最小损耗角正切值大不超过0.08。
4.一种膜，所述膜具有至少4微米且小于60微米的厚度，所述膜包含阻尼粘合剂，所述阻尼粘合剂包含聚硅氧烷或聚硅氧烷的混合物，其中所述阻尼粘合剂对于介于20℃和200℃之间的每个温度都表现出至少0.42的损耗角正切值，并且其中所述阻尼粘合剂在200℃表现出的损耗角正切值比其在20℃至200℃的范围内测得的最小损耗角正切值大不超过0.08。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的膜，其中所述阻尼粘合剂在200℃表现出的损耗角正切值比其在20℃至200℃的范围内测得的最小损耗角正切值大不超过0.05。
6.一种膜，所述膜具有至少4微米且小于60微米的厚度，所述膜包含阻尼粘合剂，所述阻尼粘合剂通过使厚度大于5微米且小于20微米的聚硅氧烷膜的形式的聚硅氧烷在大于150kV的电压下暴露于介于1.5Mrad和5.5Mrad之间的电子束辐射而使所述聚硅氧烷交联来获得，其中聚硅氧烷意指聚硅氧烷或聚硅氧烷的混合物，其中所述聚硅氧烷包含：
40至80合并重量％(基于聚硅氧烷的总重量计)的M单元和Q单元，以及
2.8至20重量％(基于聚硅氧烷的总重量计)的根据式-Si(Ph)2-O-的二苯基硅氧烷单元。
7.根据权利要求6所述的膜，其中使所述聚硅氧烷在大于150kV的电压下暴露于介于2.8Mrad和4.2Mrad之间的电子束辐射。
8.一种膜，所述膜具有大于5微米且小于60微米的厚度，所述膜包含通过使聚硅氧烷交联获得的阻尼粘合剂，其中所述交联通过以下方式来完成：将过氧化物交联剂以等于所述聚硅氧烷的重量的介于1.0％和3.5％之间的量共混到所述聚硅氧烷中，
以及通过活化所述过氧化物交联...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨超，小克里斯托弗·B·沃克，丹尼尔·J·欧尼尔，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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