LED泄放线路和LED驱动线路制造技术

本发明专利技术提供了一种LED泄放线路和LED驱动线路，包括：齐纳二极管和串联元件；所述齐纳二极管的负极与所述串联元件的一端串联；所述串联元件的另一端连接在LED的负极与升压驱动芯片之间；所述齐纳二极管的正极连接信号地。本发明专利技术可以维持电路稳定工作输出，避免LED的闪烁现象，向LED的负极提供释放回路，吸收尖峰电压。

Led drain line and LED drive line

【技术实现步骤摘要】
LED泄放线路和LED驱动线路
本专利技术涉及电子电路领域，具体地，涉及一种LED泄放线路和LED驱动线路。
技术介绍
发光二极管是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛。发光二极管可高效地将电能转化为光能，随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛地应用于显示器和照明。在专利文献CN109743818A和专利文献CN107396492A中，参考本专利技术图3、4，由boost线路的输出C1-LED-Q2-GND构成一回路,当LED负极检测电压低于设定值时，切换假负载R1时，由于Q2的关断，由于能量守恒定律，L1的能量不能发生突变，LED负极会产生一定的尖峰电压，使得检测电压重新高于设定值，输出便会在LED负极和假负载R1之间来回切换，造成LED闪烁，如图1所示。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种LED泄放线路和LED驱动线路。根据本专利技术提供的一种LED泄放线路，包括：齐纳二极管和串联元件；所述齐纳二极管的负极与所述串联元件的一端串联；所述串联元件的另一端连接在LED的负极与升压驱动芯片之间；所述齐纳二极管的正极连接信号地。优选地，所述串联元件包括：二极管或电阻。优选地，所述升压驱动芯片包括：NMOS管Q1、NMOS管Q2、升压驱动电路、假负载电路和去纹波电路；所述齐纳二极管的电压低于所述假负载电路的检测电压。优选地，所述升压驱动电路连接NMOS管Q1的栅极，所述NMOS管Q1的源极接信号地，所述NMOS管Q2的源极接信号地，所述NMOS管Q2的漏极连接LED的负极和所述串联元件的另一端。根据本专利技术提供的一种LED驱动线路，包括上述的LED泄放线路。优选地，还包括：电感L1、二极管D1，电容C1、电阻R1和LED；电源的正极经过整流电路连接所述电感L1的一端，所述电感L1的另一端分别连接所述NMOS管Q1的漏极和所述二极管D1的一端，所述二极管的另一端分别连接所述电容C1的一端、所述电阻R1的一端和所述LED的正极；所述电容C1的另一端连接信号地，所述电阻R1的另一端连接所述升压驱动芯片的假负载电路。与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：本专利技术可以维持电路稳定工作输出，避免LED的闪烁现象，向LED的负极提供释放回路，吸收尖峰电压。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为现有LED驱动线路的假负载电路触发电压波形；图2为本专利技术的LED驱动线路的电路图；图3为本专利技术LED泄放线路的第一实施例的电路图；图4为本专利技术LED泄放线路的第二实施例的电路图；图5为本专利技术的LED驱动线路的假负载电路触发电压波形。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本专利技术，但不以任何形式限制本专利技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本专利技术的保护范围。如图2所示，本专利技术提供的一种LED泄放线路，包括：齐纳二极管和串联元件，齐纳二极管的负极与串联元件的一端串联，串联元件的另一端连接在LED的负极与升压驱动芯片之间，齐纳二极管的正极连接信号地。在本实施例中，升压驱动芯片采用DS9581D芯片。如图3、4所示，串联元件包括：二极管或电阻。升压驱动芯片包括：NMOS管Q1、NMOS管Q2、升压驱动电路(boostdriver)、假负载电路(dummyload)和去纹波电路(currentremovesystem)，齐纳二极管的电压低于假负载电路的检测电压。升压驱动电路连接NMOS管Q1的栅极，NMOS管Q1的源极接信号地，NMOS管Q2的源极接信号地，NMOS管Q2的漏极连接LED的负极和串联元件的另一端。本专利技术还提供的一种LED驱动线路，如图2所示，包括上述的LED泄放线路，还包括：电感L1、二极管D1，电容C4、电阻R1和LED。电源的正极经过整流电路连接电感L1的一端，电感L1的另一端分别连接NMOS管Q1的漏极和二极管D1的一端，二极管的另一端分别连接电容C4的一端、电阻R1的一端和LED的正极。电容C4的另一端连接信号地，电阻R1的另一端连接升压驱动芯片的假负载电路。U1为一个升压驱动芯片，集成了升压控制系统、假负载切换系统、去纹波系统。电源的正极经过整流电路连接电感L1的一端，电感另一端连接U1的LX1(内置MOS开关)，通过U1信号地SGND连接检测电阻R1的一端，电阻R1另一端连接整流桥的负端。同时连接二极管D1,电解C4，负载LED,U1的LX2(内置去纹波MOS),电阻R3，回到SGND。当输入源电压调低时，LED-的产生的电压作为了重要的检测电压点，随着LED-的电压低于U1BLD(内置开关线路)开启的检测电压时，LED-端会产生如图1所示的尖峰电压，造成电流在R2和LED负载之间来回切换，造成闪烁现象。LED-连接二极管D2,稳压管D3到SGND，将会吸收LED-产生的尖峰电压，如图5所示，此专利技术打破了假负载与LED负载之间的动态平衡，有效解决了LED闪烁现象。本专利技术的一种LED驱动线路中，因为存在的电压电流较小，不需要用到MOS等复杂控制线路来达成，虽然是用2个简单器件组合而成，但在整个调光系统复杂的应用中却能够打破原有的动态平衡，形成了新的回路。(在纯粹的boost线路中，Inductor、Diode、CAP、R形成一个回路，而这两个器件则在此基础了另外形成自己的回路)。另外此线路既可以保护到芯片VC2pin脚保护功能，又可以在调光过程中对系统起到快速动态调整功能，使其在这个调光系统中有这不可或缺的功能且必须独立存在于外围，方便调整其参数，如果直接做在芯片内部会有耐压限制、不容易达成也不好做参数调整。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。以上对本专利技术的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本专利技术并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本专利技术的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED泄放线路，其特征在于，包括：齐纳二极管和串联元件；/n所述齐纳二极管的负极与所述串联元件的一端串联；/n所述串联元件的另一端连接在LED的负极与升压驱动芯片之间；/n所述齐纳二极管的正极连接信号地。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED泄放线路，其特征在于，包括：齐纳二极管和串联元件；
所述齐纳二极管的负极与所述串联元件的一端串联；
所述串联元件的另一端连接在LED的负极与升压驱动芯片之间；
所述齐纳二极管的正极连接信号地。


2.根据权利要求1所述的LED泄放线路，其特征在于，所述串联元件包括：二极管或电阻。


3.根据权利要求1所述的LED泄放线路，其特征在于，所述升压驱动芯片包括：NMOS管Q1、NMOS管Q2、升压驱动电路、假负载电路和去纹波电路；
所述齐纳二极管的电压低于所述假负载电路的检测电压。


4.根据权利要求3所述的LED泄放线路，其特征在于，所述升压驱动电路连接NMOS管Q1的栅极，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶桐林，
申请(专利权)人：叶桐林，上海奥简微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35