【技术实现步骤摘要】
显示器件及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示器
，特别是涉及一种显示器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
在AMOLED(Active-matrixorganiclight-emittingdiode，有源矩阵有机发光二极管)、QLED(Quantumdotlightemittingdiodes，量子点发光二极管)显示技术中，顶发射的器件结构由于驱动电路不妨碍出光，因此有利于实现较高的开口率，提升显示效果。在这种技术中，由于位于出光侧的电极经常具有反射可见光的特性，于是器件内部经常具有较强的光学微腔效应。在光学微腔效应下，正面出光得到加强，但是侧角度相应出光变弱。如图1所示为常见顶发射显示器的结构示意图，其中，11为基板，12为带有驱动TFT电路的驱动层，13为像素之间的像素堤岸(Bank)，14为顶发射发光像素，15为透明粘合层，16为封装基板；如图1所示，出光方向相对集中平行于基板法线的正向(即0度)，而当观察角度为45度角及以上则光强明显变弱。这对于手机屏幕等主要为个人使用，正面观看的显示设备问题不大，但...
【技术保护点】
1.一种显示器件，其特征在于，包括：/nTFT阵列基板；/n发光结构，设于所述TFT阵列基板上，所述发光结构包括像素堤岸、像素隔离柱和多个像素单元，所述像素堤岸的高度大于所述像素隔离柱的高度；所述像素堤岸于所述TFT阵列基板上围成多个像素凹槽，所述像素隔离柱位于所述像素凹槽内并将所述像素凹槽至少分隔成两个子像素凹槽，每个所述子像素凹槽内均形成有一个子像素，且位于同一所述像素凹槽内的多个子像素的颜色相同；/n散射层，设于所述发光结构的出光侧，所述散射层包括第一黑色隔离墙和被所述第一黑色隔离墙隔开的多个散射单元，所述散射单元和所述像素单元的位置一一对应设置，且所述第一黑色隔离墙...
【技术特征摘要】
1.一种显示器件，其特征在于，包括：
TFT阵列基板；
发光结构，设于所述TFT阵列基板上，所述发光结构包括像素堤岸、像素隔离柱和多个像素单元，所述像素堤岸的高度大于所述像素隔离柱的高度；所述像素堤岸于所述TFT阵列基板上围成多个像素凹槽，所述像素隔离柱位于所述像素凹槽内并将所述像素凹槽至少分隔成两个子像素凹槽，每个所述子像素凹槽内均形成有一个子像素，且位于同一所述像素凹槽内的多个子像素的颜色相同；
散射层，设于所述发光结构的出光侧，所述散射层包括第一黑色隔离墙和被所述第一黑色隔离墙隔开的多个散射单元，所述散射单元和所述像素单元的位置一一对应设置，且所述第一黑色隔离墙和所述像素隔离柱的位置对应设置。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，多个所述像素凹槽排列成多行像素凹槽行，所述多行像素凹槽行包括至少一个第一像素凹槽行和至少一个第二像素凹槽行，所述第一像素凹槽行与所述第二像素凹槽行交替排列，所述第一像素凹槽行包括沿第一方向排列的多个所述像素凹槽，所述第二像素凹槽包括沿第一方向排列的多个所述像素凹槽，且所述第一像素凹槽行中的多个所述像素凹槽与所述第二像素凹槽行中的多个所述像素凹槽错位排列；
位于所述第一像素凹槽行的多个所述像素凹槽均设置有第一像素，所述第一像素包括两个第一子像素，且两个所述第一子像素沿第二方向排列，所述第二方向与所述第一方向相交；
位于所述第二像素凹槽行的多个所述像素凹槽依次交替设置有第二像素和第三像素；所述第二像素包括四个第二子像素，且四个所述第二子像素呈2×2矩阵排列；所述第三像素包括四个第三子像素，且四个所述第三子像素呈2×2矩阵排列。
3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述第一子像素为蓝色子像素，所述第二子像素为红色子像素或绿色子像素，所述第三子像素为红色子像素或绿色子像素，且所述第二子像素和所述第三子像素的颜色不相同；
位于相邻的所述第一像素凹槽行和所述第二像素凹槽行内相邻的所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素构成一个所述像素单元。
4.根据权利要求1或2所述的显示器件，其特征在于，每个所述散射单元均围绕有所述第一黑色隔离墙。
5.根据权利要求1或2所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件还包括彩色滤光片，所述彩色滤光片设于所述发光结构与所述散射层之间，或者所述彩色滤光片设于所述散射层上；
所述彩色滤光片包括第二黑色隔离墙和被所述第二黑色隔离墙隔开的多个彩色滤光膜单元，所述彩色滤膜单元与所述像素凹槽的数量相同，所述第二黑色...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈颖，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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