【技术实现步骤摘要】
用于预测晶片级缺陷可印性的设备及方法本申请案为申请日为2016年8月5日，申请号为“201680045998.4”，而专利技术名称为“用于预测晶片级缺陷可印性的设备及方法”的申请的分案申请。相关申请案的交叉参考本申请案主张先前申请案(即，阿卜杜拉曼·瑟尼那(AbdurrahmanSezginer)等人在2015年5月1日申请的第14/702,336号美国申请案)的权利且为所述先前申请案的部份接续申请案，所述申请案主张2014年5月6日申请的第61/988,909号美国临时申请案及2014年9月23日申请的第62/054,185号美国临时申请案的优先权。这些申请案的全文出于所有目的以引用的方式并入本文中。
本专利技术大体上涉及光罩检验的领域。更具体来说，本专利技术涉及图案合格性鉴定。
技术介绍
一般来说，半导体制造的产业涉及用于使用分层及图案化到衬底上的半导体材料(例如硅)制作集成电路的高复杂性技术。由于半导体装置的大规模集成电路化及缩小尺寸，制作成的装置已变得对缺陷越来越敏感。即，引起装置中的故障的缺...
【技术保护点】
1.一种鉴定光刻光罩合格性的方法，所述方法包括：/n使用光罩检验工具在不同成像配置处从测试光罩的多个图案区域中的每一者获取多个图像；/n基于从所述测试光罩的每一图案区域获取的所述图像恢复所述测试光罩的所述图案区域中的每一者的光罩近场；/n将光刻模型施加到所述测试光罩的所述光罩近场以模拟多个测试晶片图像；以及/n分析经模拟的测试晶片图像以确定所述测试光罩是否将可能导致不稳定或缺陷晶片。/n
【技术特征摘要】
20150810 US 14/822,5711.一种鉴定光刻光罩合格性的方法，所述方法包括：
使用光罩检验工具在不同成像配置处从测试光罩的多个图案区域中的每一者获取多个图像；
基于从所述测试光罩的每一图案区域获取的所述图像恢复所述测试光罩的所述图案区域中的每一者的光罩近场；
将光刻模型施加到所述测试光罩的所述光罩近场以模拟多个测试晶片图像；以及
分析经模拟的测试晶片图像以确定所述测试光罩是否将可能导致不稳定或缺陷晶片。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：
使用光罩检验工具在不同成像配置处从校准光罩的多个图案区域中的每一者获取多个图像；
基于从所述校准光罩的每一图案区域获取的所述图像恢复所述校准光罩的所述图案区域中的每一者的所述光罩近场；
基于所述光罩近场使用所述校准光罩的经恢复的光罩近场模拟多个晶片图像；
调整所述光刻模型的参数以使经模拟晶片图像与使用所述校准光罩印刷的晶片一致。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻模型是基于自光罩恢复的光罩近场。
4.根据权利要求3所述的方法，其中使用用于确定所述光罩近场的拟牛顿或共轭梯度技术恢复所述光罩近场。
5.根据权利要求3所述的方法，其中通过最小化多个在所获取的图像与从所述光罩近场计算的多个图像之间的差异的平方的总和的回归技术恢复所述光罩近场。
6.根据权利要求3所述的方法，其中使用霍普金斯近似法恢复所述光罩近场。
7.根据权利要求3所述的方法，其中在不使用用于制作所述光罩的设计数据库的情况下恢复所述光罩近场。
8.根据权利要求3所述的方法，其中所获取的图像包含在经选择以导致相同光罩近场的不同成像条件下获取的至少三个图像。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述不同过程条件包含不同焦点设置、不同照明方向或图案、完整照明光瞳或照明光瞳的不同部分的不同线性偏振、及/或遮蔽集光光束的不同部分的不同切趾设置。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻模型模拟光刻过程，包含特定光致抗蚀剂材料的效应。
11.根据权利要求1所述的方法，其中在多个不同光刻过程条件下将所述模型施加到所述测试光罩近场且分析所述经模拟的测试晶片图像包含通过比较具有不同过程条件且与相同光罩区域相关联的经模拟的测试图像而确定所述测试光罩是否将可能在所述不同光刻过程条件下导致不稳定晶片。
12.一种用于鉴定光刻光罩合格性的检验系统，所述系统包括：
光源，其用于产生入射光束；
照明光学...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿卜杜勒拉赫曼阿波·塞兹吉内尔，石瑞芳，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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