显示基板及其制作方法和显示装置制造方法及图纸

技术编号:24681640 阅读:23 留言:0更新日期:2020-06-27 07:32
本发明专利技术提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。显示基板包括衬底基板、显示区、围绕显示区的周边区、触控电极、触控电极线,以及位于周边区中的第一阻挡结构和第二阻挡结构,第一阻挡结构环绕显示区设置,第二阻挡结构环绕第一阻挡结构,且与第一阻挡结构间隔设置;且触控电极线由显示区延伸至第二阻挡结构远离显示区一侧的周边区;位于第一阻挡结构和第二阻挡结构之间的触控电极线与衬底基板之间的垂直距离的最小值,大于第一阻挡结构和第二阻挡结构靠近衬底基板一侧的表面与衬底基板之间的垂直距离的最小值。这样,本发明专利技术实施例能够降低导电层走线过程中的爬坡高度,从而有助于提高走线的可靠性。

Display base plate and its manufacturing method and display device

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制作方法和显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。
技术介绍
OLED(OrganicLightEmittingDiode,有机发光二极管)显示装置的发光单元通常包括层叠设置的第一无机层、有机发光层和第二无机层,由于有机发光层的耐水/氧性较差,水/氧可能沿膜层的交界面侵入而导致有机发光层破坏。相关技术中的OLED显示面板通常通过环绕显示区的凸起状的阻挡结构(dam)提高阻隔水/氧,能够显著的提高对于水/氧的阻隔效果。然而显示面板的某些走线需要跨越这些阻挡结构,例如对于具有与像素单元集成的触控传感器(On-Celltouch)的显示面板来说,其触控传感器的走线需要跨越阻挡结构。为了确保对于水/氧的阻隔效果,阻挡结构需要具有一定的高度,所以走线在跨越这些阻挡结构的时候,其延伸方向需要连续变化,且爬坡高度较大,容易出现短路、断路等问题,因此,这些阻挡结构可能对走线的可靠性造成影响。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置,以解决阻挡结构可能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板,其特征在于,包括衬底基板、显示区、围绕所述显示区的周边区、触控电极、触控电极线,以及位于所述周边区中的第一阻挡结构和第二阻挡结构,所述第一阻挡结构环绕所述显示区设置,所述第二阻挡结构环绕所述第一阻挡结构,且与所述第一阻挡结构间隔设置;/n所述触控电极包括第一电极层和/或第二电极层,所述触控电极位于所述显示区,所述触控电极线与所述第一电极层和/或所述第二电极层电连接,所述触控电极线位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构远离所述衬底基板的一侧,且所述触控电极线由所述显示区延伸至所述第二阻挡结构远离所述显示区一侧的所述周边区;/n位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间的所述触控...

【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括衬底基板、显示区、围绕所述显示区的周边区、触控电极、触控电极线,以及位于所述周边区中的第一阻挡结构和第二阻挡结构,所述第一阻挡结构环绕所述显示区设置,所述第二阻挡结构环绕所述第一阻挡结构,且与所述第一阻挡结构间隔设置;
所述触控电极包括第一电极层和/或第二电极层,所述触控电极位于所述显示区,所述触控电极线与所述第一电极层和/或所述第二电极层电连接,所述触控电极线位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构远离所述衬底基板的一侧,且所述触控电极线由所述显示区延伸至所述第二阻挡结构远离所述显示区一侧的所述周边区;
位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间的所述触控电极线与所述衬底基板之间的垂直距离的最小值,大于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构靠近所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间的垂直距离的最小值。


2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括连接桥,所述连接桥位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间,且所述连接桥的两端分别延伸至所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构,所述触控电极线位于所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构之间部分的在所述衬底基板上的正投影,位于所述连接桥在所述衬底基板上的正投影的范围之内。


3.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述连接桥与所述第一阻挡结构的部分同层同材料设置,所述连接桥和所述第二阻挡结构的部分同层同材料设置。


4.如权利要求2或3所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括平坦层,所述平坦层的部分形成所述连接桥。


5.如权利要求2或3所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括平坦层、像素界定层和隔垫结构中的一项或多项,所述平坦层的部分、所述像素界定层的部分和所述隔垫结构的部分中的一项或多...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘阳升胡许武林伟金楻
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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