一种钼靶坯的水浸式超声波探伤方法技术

本发明专利技术涉及一种钼靶坯的水浸式超声波探伤方法，所述水浸式超声波探伤方法包括如下步骤：(1)对烧结所得钼靶坯进行表面处理；(2)将经过表面处理的钼靶坯放置于水槽中，进行水浸式超声波探伤。传统的水浸式超声波探伤的目的为探索钼靶坯内部的缺陷，因此，往往不对钼靶坯的表面进行处理，本发明专利技术创造性的对钼靶坯进行表面处理，通过对经过表面处理的钼靶坯进行水浸式超声波探伤，减少了水浸式超声波探伤时的杂波信号，提高了检测的精确度；而且，通过对钼靶坯车削过程中的废料进行密度检测，已确定钼靶坯的密度达到产品要求。

A water immersion ultrasonic inspection method for molybdenum target

【技术实现步骤摘要】
一种钼靶坯的水浸式超声波探伤方法
本专利技术属于溅射靶材制备
，涉及一种靶材的探伤方法，尤其涉及一种钼靶坯的水浸式超声波探伤方法。
技术介绍
钼作为一种稀有金属材料，具有高熔点、高电导率、低阻抗、耐腐蚀性等诸多优良性能。基于上述特性，钼靶坯在电子行业中应用非常广泛，按市场需求量来分析，钼靶坯主要应用于平面显示器、镀膜太阳能电池电极、配线材料以及半导体阻挡层材料等领域。近年来，随着市场对平面显示器需求的不断扩大，PVD制备过程所需的溅射钼靶坯市场需求量日趋旺盛。目前，钼靶生产工艺包括粉末冶金烧结、热轧处理、退火处理、后续加工等工序，加工所得钼靶需要控制杂质元素、微观结构以及致密度。其中，钼靶作为溅射中的阴极源，固体中的杂质以及气孔中的气体是沉积薄膜的主要污染源，因此，在钼靶生产过程中需要严格控制杂质元素，最大程度降低其在钼靶中的含量；而且，细小尺寸晶粒的钼靶溅射速率要比粗晶快，且晶粒尺寸均匀的靶材，沉积薄膜的厚度也更近均匀，此外钼靶晶粒方向对溅射速率以及沉积薄膜的均匀性有直接的影响，因此，在钼靶生产过程中需要严格控制钼靶的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钼靶坯的水浸式超声波探伤方法，其特征在于，所述钼靶坯的水浸式超声波探伤方法包括如下步骤：/n(1)对烧结所得钼靶坯进行表面处理；/n(2)将经过表面处理的钼靶坯放置于水槽中，进行水浸式超声波探伤。/n

【技术特征摘要】
1.一种钼靶坯的水浸式超声波探伤方法，其特征在于，所述钼靶坯的水浸式超声波探伤方法包括如下步骤：
(1)对烧结所得钼靶坯进行表面处理；
(2)将经过表面处理的钼靶坯放置于水槽中，进行水浸式超声波探伤。


2.根据权利要求1所述钼靶坯的水浸式超声波探伤方法，其特征在于，步骤(1)所述表面处理为抛光处理。


3.根据权利要求2所述钼靶坯的水浸式超声波探伤方法，其特征在于，所述抛光处理为对烧结所得钼靶坯的测试面进行抛光处理。


4.根据权利要求3所述钼靶坯的水浸式超声波探伤方法，其特征在于，所述抛光处理使测试面的粗糙度Ra为0.5-1μm。


5.根据权利要求4所述钼靶坯的水浸式超声波探伤方法，其特征在于，所述抛光处理使测试面的平整度为0.2-0.5mm。


6.根据权利要求5所述钼靶坯的水浸式超声波探伤方法，其特征在于，步骤(2)所述水浸式超声波探伤所用超声波探头的焦距为90-120mm，优选为101.6mm。


7.根据权利要求5或6所述钼靶坯的水浸式超声波...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，边逸军，王学泽，雷宇，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33