蒸镀设备与蒸镀制作工艺制造技术

技术编号:24670475 阅读:44 留言:0更新日期:2020-06-27 05:03
本发明专利技术公开一种蒸镀设备与蒸镀制作工艺。所述蒸镀设备包括卷对卷基板传送装置、蒸镀装置以及掩模装置。所述卷对卷基板传送装置用以传送基板。所述蒸镀装置与所述卷对卷基板传送装置相对设置。所述掩模装置设置于所述卷对卷基板传送装置与所述蒸镀装置之间,且位于所述蒸镀装置上方,其中所述掩模装置具有多个可调式开孔,所述可调式开孔经调整以控制其在所述蒸镀装置至所述基板的方向上投影至所述基板的投影面积。所述蒸镀装置产生的蒸镀气体穿过所述可调式开孔而到达所述基板。

Evaporation equipment and evaporation technology

【技术实现步骤摘要】
蒸镀设备与蒸镀制作工艺
本专利技术涉及一种蒸镀设备与蒸镀制作工艺。
技术介绍
沉积方法广泛地用于特定电子元件的形成中。举例而言,化学气相沉积或物理气相沉积是用于形成不同元件的传统沉积方法,其中蒸镀制作工艺是一种广泛应用的物理气相沉积技术。在形成薄膜时,膜的厚度及沉积速率需要精确。对于蒸镀制作工艺来说,当基板以卷对卷基板传送装置传送时,由于卷对卷基板传送为连续的,因此并无法以蒸镀的时间作为控制形成于基板上的膜层的厚度以及掺杂浓度的手段。
技术实现思路
本专利技术的蒸镀设备包括卷对卷基板传送装置、蒸镀装置以及掩模装置。所述卷对卷基板传送装置用以传送基板。所述蒸镀装置与所述卷对卷基板传送装置相对设置。所述掩模装置设置于所述卷对卷基板传送装置与所述蒸镀装置之间,且位于所述蒸镀装置上方,其中所述掩模装置具有多个可调式开孔,所述可调式开孔经调整以控制其在所述蒸镀装置至所述基板的方向上投影至所述基板的投影面积。所述蒸镀装置产生的蒸镀气体穿过所述可调式开孔而到达所述基板。本专利技术的蒸镀制作工艺包括以下步骤:提供上述的蒸镀设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸镀设备,其特征在于,包括:/n卷对卷基板传送装置,用以传送基板;/n蒸镀装置,与所述卷对卷基板传送装置相对设置;以及/n掩模装置,设置于所述卷对卷基板传送装置与所述蒸镀装置之间,且位于所述蒸镀装置上方,其中所述掩模装置具有多个可调式开孔,所述可调式开孔经调整以控制其在所述蒸镀装置至所述基板的方向上投影至所述基板的投影面积,/n其中所述蒸镀装置产生的蒸镀气体穿过所述可调式开孔而到达所述基板。/n

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀设备,其特征在于,包括:
卷对卷基板传送装置,用以传送基板;
蒸镀装置,与所述卷对卷基板传送装置相对设置;以及
掩模装置,设置于所述卷对卷基板传送装置与所述蒸镀装置之间,且位于所述蒸镀装置上方,其中所述掩模装置具有多个可调式开孔,所述可调式开孔经调整以控制其在所述蒸镀装置至所述基板的方向上投影至所述基板的投影面积,
其中所述蒸镀装置产生的蒸镀气体穿过所述可调式开孔而到达所述基板。


2.如权利要求1所述的蒸镀设备,其中所述掩模装置具有平行配置的多个叶片,所述多个叶片之间定义出所述多个可调式开孔,其中每一所述叶片的长度方向与所述基板的传送方向交错,且每一所述叶片可绕着与所述长度方向平行的轴转动。


3.如权利要求2所述的蒸镀设备,其中所述掩模装置包括在所述传送方向上依序设置的第一掩模单元与第二掩模单元,且所述第一掩模单元与所述第二掩模单元各自具有多个所述叶片。


4.如权利要求3所述的蒸镀设备,其中所述第一掩模单元与所述第二掩模单元位于不同水平高度。


5.如权利要求3所述的蒸镀设备,其中所述第一掩模单元与所述第二掩模单元各自可绕着与所述长度方向平行的轴转动。


6.如权利要求2所述的蒸镀设备,其中每一所述叶片与垂直所述掩模装置的平面之间的夹角介于15°至70°之间。


7.如权利要求6所述的蒸镀设备,其中所述夹角符合方程式1:
θ=tan-1(xc/yd)方程式1
其中xc为所述蒸镀装置与所述基板的中心点之间的水平距离,yd为所述蒸镀装置与所述基板之间的垂直距离。


8.如权利要求2所述的蒸镀设备,其中每一所述叶片的宽度大于在所述基板上所欲形成的膜层的宽度。


9.如权利要求1所述的蒸镀设备,其中所述掩模...

【专利技术属性】
技术研发人员:许祐霖黄国兴林建宏宋兆峰
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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