【技术实现步骤摘要】
一种用于多晶硅生产的氧化夹层清理设备
本技术涉及多晶硅生产装置
,具体是一种用于多晶硅生产的氧化夹层清理设备。
技术介绍
多晶硅,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。多晶硅生产是一个庞大而复杂的系统,该系统的每一个部位都要运转正常,多晶硅的质量才会有保障,有一处出现问题,还原炉里的多晶硅棒质量就会发生变化,多晶硅的生长就会受影响,就可能长出不合格的多晶硅。在合格的多晶硅表面上生长一层不合格的多晶硅,这层不合格的多晶硅就是夹层。在多晶硅还原过程中,如果遇到氢气含水或氧过高时,沉积在硅棒上的就不是高纯硅,硅棒表面就会失去光泽而发污,出现夹层。这种由于氧化造成的夹层就是氧化夹层。为得到高纯度的多晶硅成品,必须将硅锭表面的氧化夹层清理掉。目前通常采用酸洗的方式清洗掉氧化夹层。目前市场上存在多种用于多晶硅生产的氧化夹层清理设备,但是这些氧化夹层清理设备普遍存在硅锭经酸溶液清洗后不能将硅锭上残留的酸溶 ...
【技术保护点】
1.一种用于多晶硅生产的氧化夹层清理设备,包括清洗池主体(6),其特征在于,所述清洗池主体(6)的前侧安装有控制器(7),且清洗池主体(6)的顶端的中间位置安装有电机(5),所述清洗池主体(6)的顶端设置有硅锭进管(3),所述清洗池主体(6)的一侧连接有第一水管(2),所述清洗池主体(6)的另一侧连接有排水管(8),所述清洗池主体(6)的底端的四角均连接有支撑脚(10),所述清洗池主体(6)的底端的两边均开设有硅锭排口(17),所述清洗池主体(6)的底端靠近硅锭排口(17)的位置连接有硅锭排口封板(12),所述清洗池主体(6)的内侧的顶部连接有第二水管(16),所述清洗池主 ...
【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅生产的氧化夹层清理设备,包括清洗池主体(6),其特征在于,所述清洗池主体(6)的前侧安装有控制器(7),且清洗池主体(6)的顶端的中间位置安装有电机(5),所述清洗池主体(6)的顶端设置有硅锭进管(3),所述清洗池主体(6)的一侧连接有第一水管(2),所述清洗池主体(6)的另一侧连接有排水管(8),所述清洗池主体(6)的底端的四角均连接有支撑脚(10),所述清洗池主体(6)的底端的两边均开设有硅锭排口(17),所述清洗池主体(6)的底端靠近硅锭排口(17)的位置连接有硅锭排口封板(12),所述清洗池主体(6)的内侧的顶部连接有第二水管(16),所述清洗池主体(6)的内侧连接有搅拌杆(14),所述搅拌杆(14)的外侧等距离设置有若干个搅拌叶(15),所述第二水管(16)的外侧等距离安装有若干个喷头(13),所述第一水管(2)远离清洗池主体(6)的一端连接有水箱(1),所述水箱(1)的内壁的底端安装有潜水泵(11),所述排水管(8)远离清洗池主体(6)的一端连接有杂质收集装置(9),所述硅锭进管(3)的顶端设置有入料斗(4)。
2.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅生产的氧化夹层清理设备,其特征在于,所述杂质收集装置(9)包括第一连接板(91),所述第一连接板(91)的底端连接有第二连接板(92),所述第一连接板(91)的顶端的两边均...
【专利技术属性】
技术研发人员:苗康,陈文,
申请(专利权)人:内蒙古东立光伏电子有限公司,
类型:新型
国别省市:内蒙;15
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